led死燈的原因

1、芯片抗靜電能力差

LED燈珠的抗靜電指標高低取決于LED發光芯片本身，與封裝材料預計封裝工藝基本無關，或者說影響因素很小，很細微；LED燈更容易遭受靜電損傷，這與兩個引腳間距有關系，LED芯片裸晶的兩個電極間距非常小，一般是一百微米以內吧，而LED引腳則是兩毫米左右，當靜電電荷要轉移時，間距越大，越容易形成大的電位差，也就是高的電壓。所以，封成LED燈后往往更容易出現靜電損傷事故。

2、芯片外延缺陷

LED外延片在高溫長晶過程中，襯底、MOCVD反應腔內殘留的沉積物、外圍氣體和Mo源都會引入雜質，這些雜質會滲入磊晶層，阻止氮化鎵晶體成核，形成各種各樣的外延缺陷，最終在外延層表面形成微小坑洞，這些也會嚴重影響外延片薄膜材料的晶體質量和性能。

3、芯片化學物殘余

電極加工是制作LED芯片的關鍵工序，包括清洗、蒸鍍、黃光、化學蝕刻、熔合、研磨，會接觸到很多化學清洗劑，如果芯片清洗不夠干凈，會使有害化學物殘余。這些有害化學物會在LED通電時，與電極發生電化學反應，導致死燈、光衰、暗亮、發黑等現象出現。因此，鑒定芯片化學物殘留對LED封裝廠來說至關重要。

4、芯片的受損

LED芯片的受損會直接導致LED失效，因此提高LED芯片的可靠性至關重要。蒸鍍過程中有時需用彈簧夾固定芯片，因此會產生夾痕。黃光作業若顯影不完全及光罩有破洞會使發光區有殘余多出的金屬。晶粒在前段制程中，各項制程如清洗、蒸鍍、黃光、化學蝕刻、熔合、研磨等作業都必須使用鑷子及花籃、載具等，因此會有晶粒電極刮傷的情況發生。

芯片電極對焊點的影響：芯片電極本身蒸鍍不牢靠，導致焊線后電極脫落或損傷；芯片電極本身可焊性差，會導致焊球虛焊；芯片存儲不當會導致電極表面氧化，表面玷污等等，鍵合表面的輕微污染都可能影響兩者間的金屬原子擴散，造成失效或虛焊。

5、新結構工藝的芯片與光源物料的不兼容

新結構的LED芯片電極中有一層鋁，其作用為在電極中形成一層反射鏡以提高芯片出光效率，其次可在一定程度上減少蒸鍍電極時黃金的使用量從而降低成本。但鋁是一種比較活潑的金屬，一旦封裝廠來料管控不嚴，使用含氯超標的膠水，金電極中的鋁反射層就會與膠水中的氯發生反應，從而發生腐蝕現象。

6、鍍銀層過薄

市場上現有的LED光源選擇銅作為引線框架的基體材料。為防止銅發生氧化，一般支架表面都要電鍍上一層銀。如果鍍銀層過薄，在高溫條件下，支架易黃變。鍍銀層的發黃不是鍍銀層本身引起的，而是受銀層下的銅層影響。在高溫下，銅原子會擴散、滲透到銀層表面，使得銀層發黃。銅的可氧化性是銅本身最大的弊病。當銅一旦出現氧化狀態，導熱和散熱性能都會大大的下降。所以鍍銀層的厚度至關重要。同時，銅和銀都易受空氣中各種揮發性的硫化物和鹵化物等污染物的腐蝕，使其表面發暗變色。有研究表明，變色使其表面電阻增加約2～8％，電能損耗增大，從而使LED的穩定性、可靠性大為降低，甚至導致嚴重事故。

7、鍍銀層硫化

LED光源怕硫，這是因為含硫的氣體會通過其多孔性結構的硅膠或支架縫隙，與光源鍍銀層發生硫化反應。LED光源出現硫化反應后，產品功能區會黑化，光通量會逐漸下降，色溫出現明顯漂移；硫化后的硫化銀隨溫度升高導電率增加，在使用過程中，極易出現漏電現象；更嚴重的狀況是銀層完全被腐蝕，銅層暴露。由于金線二焊點附著在銀層表面，當支架功能區銀層被完全硫化腐蝕后，金球出現脫落，從而出現死燈。

8、鍍銀層氧化

金鑒檢測在接觸的LED發黑初步診斷的業務中發現硫／氯／溴元素越難越難找了，然而LED光源鍍銀層發黑跡象明顯，這可能與銀氧化有關。但EDS能譜分析等純元素分析檢測手段都不易判定氧化，因為存在于空氣環境、樣品表面吸附以及封裝膠等有機物中的氧元素都會干擾檢測結果的判定，因此判定氧化發黑的結論需要使用SEM、EDS、顯微紅外光譜、XPS等專業檢測以及光、電、化學、環境老化等一系列可靠性對比實驗，結合專業的檢測知識及電鍍知識進行綜合分析。

9、電鍍質量不佳

鍍層質量的優劣主要決定于金屬沉積層的結晶組織，一般來說，結晶組織愈細小，鍍層也愈致密、平滑、防護性能也愈高。這種結晶細小的鍍層稱為“微晶沉積層”。金鑒指出，好的電鍍層應該鍍層結晶細致、平滑、均勻、連續，不允許有污染物、化學物殘留、斑點、黑點、燒焦、粗糙、針孔、麻點、裂紋、分層、起泡、起皮起皺、鍍層剝落、發黃、晶狀鍍層、局部無鍍層等缺陷。