EPROM、EEPROM、FLASH都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結(jié)構(gòu)。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出。EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating-gate tuneling oxide transister)及一個附加的Transister組成，由于FLOTOX的特性及兩管結(jié)構(gòu)，所以可以單元讀/寫。技術(shù)上，F(xiàn)LASH是結(jié)合EPROM和EEPROM技術(shù)達到的，很多FLASH使用雪崩熱電子注入方式來編程，擦除和EEPROM一樣用Fowler-Nordheim tuneling。但主要的不同是，F(xiàn)LASH對芯片提供大塊或整塊的擦除，這就降低了設(shè)計的復(fù)雜性，它可以不要 EEPROM單元里那個多余的Tansister，所以可以做到高集成度，大容量，另FLASH的浮柵工藝上也不同，寫入速度更快。其實對于用戶來說，EEPROM和FLASH的最主要的區(qū)別就是：

1、EEPROM可以按“位”擦寫，而FLASH只能按“塊”一大片一大片的擦寫。

2、EEPROM一般容量都不大，如果大的話，EEPROM相對與FLASH就沒有價格上的優(yōu)勢了。市面上賣的stand alone的EERPOM一般都是在64KBIT以下，而FLASH一般都是8MEG BIT以上(NOR 型)。

3、讀的速度的話，應(yīng)該不是兩者的差別，只是EERPOM一般用于低端產(chǎn)品，讀的速度不需要那么快，真要做的話，其實也是可以做的和FLASH差不多。

4、因為EEPROM的存儲單元是兩個管子，而FLASH是一個(SST的除外，類似于兩管)，所以CYCLING 的話，EEPROM比FLASH要好一些，到1000K次也沒有問題的。

總的來說，對于用戶來說，EEPROM和 FLASH沒有大的區(qū)別，只是EEPROM是低端產(chǎn)品，容量低，價格便宜，但是穩(wěn)定性較FLASH要好一些。

但對于EEPROM和FLASH的設(shè)計來說，F(xiàn)LASH則要難的多，不論是從工藝上的還是從外圍電路設(shè)計上來說。

FLASHMemory指的是“閃存”，所謂“閃存”，它也是一種非易失性的內(nèi)存，屬于EEPROM的改進產(chǎn)品。它的最大特點是必須按塊(Block)擦除(每個區(qū)塊的大小不定，不同廠家的產(chǎn)品有不同的規(guī)格)， 而EEPROM則可以一次只擦除一個字節(jié)(Byte)。目前“閃存”被廣泛用在PC機的主板上，用來保存BIOS程序，便于進行程序的升級。其另外一大應(yīng)用領(lǐng)域是用來作為硬盤的替代品，具有抗震、速度快、無噪聲、耗電低的優(yōu)點，但是將其用來取代RAM就顯得不合適， 因為RAM需要能夠按字節(jié)改寫，而FLASHROM做不到。

ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。ROM在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持數(shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計算機的內(nèi)存。RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。另一種稱為動態(tài)RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留數(shù)據(jù)的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機內(nèi)存就是DRAM的。

DRAM分為很多種，常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，這里介紹其中的一種DDR RAM。DDR RAM(Date-Rate RAM)也稱作DDR SDRAM，這種改進型的RAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內(nèi)存，而且它有著成本優(yōu)勢，事實上擊敗了Intel的另外一種內(nèi)存標(biāo)準-Rambus DRAM。在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDR RAM來提高帶寬，這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

ROM也有很多種，PROM是可編程的ROM，PROM和EPROM(可擦除可編程ROM)兩者區(qū)別是，PROM是一次性的，也就是軟件灌入后，就無法修改了，這種是早期的產(chǎn)品，現(xiàn)在已經(jīng)不可能使用了;而EPROM是通過紫外光的照射擦除原先的程序，是一種通用的存儲器。另外一種EEPROM是通過電子擦除，價格很高，寫入時間很長，寫入很慢。

舉個例子，手機軟件一般放在EEPROM中，我們打電話，有些最后撥打的號碼，暫時是存在SRAM中的，不是馬上寫入通過記錄(通話記錄保存在 EEPROM中)，因為當(dāng)時有很重要工作(通話)要做，如果寫入，漫長的等待是讓用戶忍無可忍的。

FLASH存儲器又稱閃存，它結(jié)合了ROM和RAM的長處，不僅具備電可擦除可編程(EEPROM)的性能，還不會斷電丟失數(shù)據(jù)同時可以快速讀取數(shù)據(jù) (NVRAM的優(yōu)勢)，U盤和MP3里用的就是這種存儲器。在過去的20年里，嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM(EPROM)作為它們的存儲設(shè)備，然而近年來 Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系統(tǒng)中的地位，用作存儲Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼，或者直接當(dāng)硬盤使用(U盤)。

目前Flash主要有兩種NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運行裝載在NOR FLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。NAND Flash沒有采取內(nèi)存的隨機讀取技術(shù)，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個字節(jié)，采用這種技術(shù)的Flash比較廉價。用戶不能直接運行NAND Flash上的代碼，因此好多使用NAND Flash的開發(fā)板除了使用NAND Flah以外，還做上了一塊小的NOR Flash來運行啟動代碼。

一般小容量的用NOR Flash，因為其讀取速度快，多用來存儲操作系統(tǒng)等重要信息，而大容量的用NAND FLASH。最常見的NAND FLASH應(yīng)用是嵌入式系統(tǒng)采用的DOC(Disk On Chip)和我們通常用的"閃盤"，可以在線擦除。目前市面上的FLASH主要來自Intel，AMD，F(xiàn)ujitsu和Toshiba，而生產(chǎn)NAND Flash的主要廠家有Samsung和Toshiba。話說SRAM,DRAM,SDRAM

SRAM 是Static Random Access Memory的縮寫，中文含義為靜態(tài)隨機訪問存儲器，它是一種類型的半導(dǎo)體存儲器。"靜態(tài)"是指只要不掉電，存儲在SRAM中的數(shù)據(jù)就不會丟失。這一點與動態(tài)RAM(DRAM)不同，DRAM需要進行周期性的刷新操作。然后，我們不應(yīng)將SRAM與只讀存儲器(ROM)和FLASHMemory相混淆，因為SRAM是一種易失性存儲器，它只有在電源保持連續(xù)供應(yīng)的情況下才能夠保持數(shù)據(jù)。"隨機訪問"是指存儲器的內(nèi)容可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個位置。

SRAM中的每一位均存儲在四個晶體管當(dāng)中，這四個晶體管組成了兩個交叉耦合反向器。這個存儲單元具有兩個穩(wěn)定狀態(tài)，通常表示為0和1。另外還需要兩個訪問晶體管用于控制讀或?qū)懖僮鬟^程中存儲單元的訪問。因此，一個存儲位通常需要六個MOSFET。對稱的電路結(jié)構(gòu)使得SRAM的訪問速度要快于DRAM。SRAM比DRAM訪問速度快的另外一個原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址復(fù)用的結(jié)構(gòu)。SRAM不應(yīng)該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM(Synchronous DRAM)，這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應(yīng)該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。

從晶體管的類型分，SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分，SRAM可以分為異步SRAM和同步SRAM(SSRAM)。異步SRAM的訪問獨立于時鐘，數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪問都在時鐘的上升/下降沿啟動。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號均與時鐘信號相關(guān)。