國內首家 NAND Flash 大廠長江存儲的新一代 64 層 3D NAND 芯片即將在 8 月投產,這個時間點加入全球存儲競賽堪稱是“最混亂的時代”,但也可視為是“最佳入局的時間點”,因為 NAND Flash 價格從緩跌到重挫,逼得三星電子(Samsung Electronics)放出不再降價的信息,更讓美光(Micron)祭出多年罕見的減產策略,未來長江存儲的猛烈追趕,將帶給全球存儲世界什么樣的震撼?長江存儲在 2018 年成功研發 32 層 3D NAND 芯片后,進一步規劃在 2019 年 8 月開始生產新一代的 64 層 3D NAND 芯片,等于宣告加入全球 NAND Flash 戰局,對比今年三星、SK海力士(SK Hynix )進入 90 層 3D NAND 芯片生產,長江存儲追趕世界大廠的步伐又大幅邁進一步。32 層 3D NAND 芯片的研發成功對于長江存儲而言,只是練兵意義,真正要上戰場打仗的技術,絕對是 2019 年即將亮相的 64 層 3D NAND 芯片,目前的良率進度如期,預計 8 月可進入生產。
力求技術“無時差”,國際技術水平最近的一次
相較 NAND Flash 大廠今年進入 90 層 3D NAND 芯片技術,長江存儲目前的技術約落后國際大廠 1.5 ~ 2 個世代,但 2020 年,長江存儲計劃彎道超車,追平國際大廠。根據目前規劃,2020 年三星、SK海力士等大廠將進入 128 層技術,長江存儲也計劃從 64 層技術,直接跳到 128 層 3D NAND 技術,力拼與國際大廠技術“無時差” 。業界人士認為,從 64 層技術直接跳到 128 層的 3D NAND 技術難度十分高,但這確實會是國內半導體與國際水平差距最近的一次,是否能成功跨越重重難關,這一役十分關鍵。值得注意的是,根據原本規劃,長江存儲量產后的 3D NAND 芯片是要給紫光存儲來負責銷售,但傳出該策略有變,長江存儲有意自產自銷 3D NAND 芯片。業界認為,只要長江存儲的 64 層 3D NAND 芯片良率夠好,不擔心客戶問題,尤其是國內系統層級的客戶,對于采用國產芯片的態度都是躍躍欲試,況且,長江存儲不單是在國內銷售,未來的目標是要將芯片推向國際,這點也是該公司在建立技術體系之初,就非常在意專利和知識產權問題的原因。
不過,長江存儲大舉進入 NAND Flash 產業,這個“入局”的時間點是很微妙的,但或許“最混亂的時代”,也會是“最好的時間點”。2019 年第一季 NAND Flash 價格幾近“崩盤”,合約價跌幅甚至高達 20% ,當前價格已經逼近上游大廠的現金成本,這樣的局勢是多年罕見,同時也逼得三星對下游模組廠放出不再降價的信息,進而帶動第二季度 NAND Flash 價格稍稍穩定。更早之前,美光更是干脆宣布減產來力圖“止血”。 2018 年開始, NAND Flash 價格率先松動,接著 DRAM 價格也挺不住,美光在 2019 年 3 月開第一槍,宣布減產 5% ,涵蓋 NAND Flash 和 DRAM 兩項存儲芯片,這是意識到跌價惡化的速度遠超過市場預期。再者,西部數據也調整四日市工廠產能,并且延后 Fab 6 新廠的投產計劃,預計晶圓出貨將減少 10% ~ 15 %,也等于是變相減產,都是反映市場庫存水位過高的壓力。
成敗都是數據中心,產業進入整理期
存儲供應商認為, 2019 年半導體產業十分艱辛,存儲芯片產能過剩,手機需求不濟,更重要的是,上一波帶動 NAND Flash 再創高峰的應用是數據中心的服務器存儲芯片,從 2018 年下半年起,也進入冷靜期。由于數據中心的數據量大幅提升,傳統的存儲技術出現瓶頸,暴露很多性能、處理時間過長的問題,隨著 NAND Flash 成本降低,與傳統硬盤的成本拉近,很多數據中心在處理不常用的冷數據 cold data 方面,會陸續以 NAND Flash 組成的 SSD 來取代傳統硬盤。這樣的趨勢已經延續1~2年,但從2018年下半起,許多來自數據中心客戶的需求大踩剎車,包括英特爾和Nvidia也都表示來自數據中心的需求將降溫,企業和云端業者的采購模式都大幅走緩,短期的策略會以消化庫存為主,這一槍成為NAND Flash價格崩跌關鍵殺手。供應商則表示,預計下半年北美客戶的數據中心需求會率先回暖,加上存儲大廠不愿流血降價的態度明確,第二季度起, NAND Flash 價格開始止跌,至于何時大幅回升?還要看變化莫測的經濟景氣而定。雖然存儲大廠都信誓旦旦認為,下半年市場仍是有一波傳統旺季,只是力道強弱還待觀察,但還有一個隱憂,就是新技術的量產將導致供給端產能增加,其中包括三星、 SK 海力士的 96 層芯片,以及長江存儲的 64 層芯片量產。長江存儲的 64 層 3D NAND 芯片下半年要進入量產,業界認為新技術在量產初期,總會有一些良率較低的產品在市場流竄,這部分的貨源可能會干擾一些中、低價格的 3D NAND 芯片市場,但這是每一個新技術量產之初的必經之痛。
另外,下半年也是國際存儲大廠 90 層 3D NAND 芯片的放量期,供給增加的時間點遇上傳統旺季,考驗旺季力道的強弱。三星 2019 年的產能是以 3D NAND 為主, 2D NAND 產能則將依需求下修而縮減。同時,堆疊數高達 90 層的第 5 代 V-NAND 技術已將近成熟,預計會逐漸導入量產。另一家韓系大廠 SK 海力士也將進入 96 層新架構的 3D NAND 芯片,今年將處于目前主流 72 層 3D NAND 和新一代 96 層芯片的技術轉換期。再者,美光也進入 96 層 3D NAND 為芯片量產期。根據市調機構TrendForce統計,2018年第四季全球NAND Flash前五強與市場份額分別為三星電子30.4%、東芝19.3%、美光15.4%、西數數據15.3%、SK海力士11.2%。2018年全球NAND Flash全年營收約632億美元水準,較2017年成長10.9%,2018年受惠2D NAND技術轉 3D NAND技術順暢,全年位元出貨量較2017年成長逾40%。以產業長期趨勢來看,技術的演進絕對具有正面挹注,因為唯有工藝技術不斷地往前推進,降低每單位的生產成本,才會刺激更多終端應用出來,未來還有5G世代的來臨,新一波數據中心需求起飛,NAND Flash應用前景相當廣泛。只是,全球NAND Flash產業多年來已習慣國際六強林立,分別為三星、東芝、美光、西部數據、SK海力士、英特爾,身為國內第一家量產的存儲大廠長江存儲在練兵多年后,即將在下半年以新技術64層3D NAND殺入市場,初期將在中、低階市掀起波瀾,再慢慢揮軍國際,這會是第一次有中國存儲芯片可以在國際露臉,后續引發的震撼效應不容小覷。
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原文標題:國內存儲大廠欲破國際技術“時差”,64層技術直跳128層!NAND Flash 陷入全球混戰
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