色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

SiC和GaN對傳統Si功率電子的影響

MWol_gh_030b761 ? 來源:YXQ ? 2019-05-30 17:08 ? 次閱讀

眾人皆知,由于半導體制程的不斷精進,數位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高,運算力不斷增強,使運算的取得愈來愈便宜,也愈來愈輕便,運算力便宜的代表是微電腦、個人電腦,而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板。

不過,姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續下去,有些電子系統的輕便度仍待改進提升,例如筆電出門經常要帶著一個厚重占體積的電源配接器(Power Adapter,俗稱變壓器,但變壓器僅是整個配接器中最主要的一個零件),而辦公居家用的桌上型監視器(Monitor)也有類似的情形,只是不外帶,但依然占體積。電源配接電路之所以占體積、重量,部分原因在于功率開關、切換器(Switch)是以矽(Si)材打造,由于今日半導體制程技術的主流大宗(數位邏輯電路)為矽,為了盡可能沿用現行技術與設備等以求降低成本,因而功率元件的材料也采行矽。

然而以矽材制成的功率元件,其技術表現受到限制, 若期望矽材的功率開關承受更大的功率運作,則元件體積必須加大,進而使整個電源、電力系統增大增重。另外,矽材也難以在更高頻率切換運作,切換頻率若能提升,也能縮小元件體積。因此,近年來功率半導體業者更積極于其他材料的技術發展,目前以氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)最受矚目,前者有較矽為高的切換頻率,后者有較矽為高的功率承受能力,若GaN、SiC功率半導體晶片(MOSFETIGBT)的技術更成熟,以及更便宜普及,整個世界將會大不同。首先,各位最可見的筆電、桌上型監視器的大大外掛電源配接器將變小,甚至有機會完全縮到電子產品本體內,使攜帶更便利,或讓環境更簡潔。

再者,桌上型電腦的電源供應器也可以縮小,同樣有助小體積、輕便化,資料中心(Datacenter)內的伺服器,其電源供應器一樣能縮小,使相同面積的機房、相同容積的機柜,可以放入更多臺伺服器。類似的,電動機車、油電混合車也同樣受益,例如豐田(Toyota)的長銷車種Camry,其油電混合版的概念車已嘗試改用SiC功率元件,如此其能源效率可望提升10%,車體省下更多體積,車身也可以減輕若干重量。還有,許多建筑樓上架設的手機基地臺可是吃電怪獸,基地臺(大陸稱為基站,日本稱為基地局)的運作用的多是與冷氣機相同的220V電壓,將數十、數百瓦電力打到空氣中,能量在空氣路徑的傳遞過程中不斷衰減消散,最終微弱的信號到每支手機上。因此,采行新材料的功率元件也能改善基地臺體積、重量、能源效率。

另外,隨著行動通信4G、B4G(Beyond 4G)到5G,無線頻率也愈來愈高,GaN功率元件有著10GHz~100GHz運作頻率(日本稱為動作周波數)的提升潛能,這是Si、SiC難以企及的。SiC雖不易達到10GHz以上運作、切換頻率,但功率承受力一般高于Si、GaN,將適合在大功率場合中應用,電動機車、油電混合車等僅為其小兒科應用,更大的應用包含電網電力設施、電氣化鐵路與火車、工控系統。持續延伸下去,包含無人車、無人機(UAV/Drone)、機器人等也一樣受惠,廣泛而言所有用電產品都有可能受惠,或諸多高頻無線通信也都將受惠,如此將講述不完。

由此可知,過往Steve Jobs常言的“改變世界”,是從人機介面的角度上重新考究,使人們較有機會親近與使用電子產品(此方面有部分助力也來自崇拜、饑餓行銷),而GaN、SiC材料的功率半導體,是從產業的根基進行改變,世界也同樣受改變,但不同的是,人們將在無形、不易察覺下,享受到更短小輕便的益處。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    29

    文章

    2829

    瀏覽量

    62692
  • GaN
    GaN
    +關注

    關注

    19

    文章

    1942

    瀏覽量

    73570
  • 功率電子
    +關注

    關注

    0

    文章

    49

    瀏覽量

    10935

原文標題:SiC和GaN對傳統Si功率電子的影響

文章出處:【微信號:gh_030b7610d46c,微信公眾號:GaN世界】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    在混合電源設計上,SiSiCGaN如何各司其職?

    電子發燒友近期對此也進行了報道。 在電源、逆變器等領域,近年第三代半導體的興起,讓各種采用SiCGaN的方案出現在市場上,同時也包括多種器件混合使用的方案,所以這些混合方案都有哪些優勢? 混合電源方案怎么選擇器件?
    的頭像 發表于 07-08 02:04 ?3521次閱讀
    在混合電源設計上,<b class='flag-5'>Si</b>、<b class='flag-5'>SiC</b>、<b class='flag-5'>GaN</b>如何各司其職?

    開關損耗更低、效率更高,增速超越SiCGaN開始進軍光儲、家電市場

    電子發燒友網報道(文/黃山明)隨著以SiCGaN為主的寬禁帶半導體材料被推出以后,因其優秀的特性,迅速在多種電力電子設備中應用。目前來看,GaN
    的頭像 發表于 07-04 00:10 ?4512次閱讀

    SiC功率器件的特點和優勢

    SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現代電力電子系統中的重要技術,其相較于傳統的硅(Si)器件,特別是在高
    的頭像 發表于 12-05 15:07 ?332次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的特點和優勢

    GaNSiC功率器件的特性和應用

    如今,圍繞第三代半導體的研發和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點,第三代半導體材料能夠滿足未來電子產品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求,被認為是突破
    的頭像 發表于 10-18 15:40 ?766次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b>和<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的特性和應用

    1200V碳化硅sic功率器件測試及建模

    隨著電力電力電子技術逐漸向高壓大電流方向發展,傳統Si 基器件由于損耗大、開關速度慢、耐壓低等缺點逐漸被 SiC(碳化硅)器件所取代。其中 1200V碳化硅
    發表于 10-17 13:44 ?0次下載

    什么是SiC功率器件?它有哪些應用?

    SiC(碳化硅)功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導體器件,它是繼硅(Si)和氮化鎵(GaN)之后的第三代半導體材料的重要應用之一。
    的頭像 發表于 09-10 15:15 ?1880次閱讀

    聚焦綠色能源四大細分市場,英飛凌SiCGaN新品亮相PCIM展會

    在PCIM Asia展上,英飛凌展示了廣泛的硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN功率電子產品組合,其中多款應用于可再生能源、電動交
    的頭像 發表于 09-04 23:07 ?3185次閱讀
    聚焦綠色能源四大細分市場,英飛凌<b class='flag-5'>SiC</b>和<b class='flag-5'>GaN</b>新品亮相PCIM展會

    芯干線科技GaN功率器件及應用

    第一代半導體材料以硅(Si)和鍺(Ge)為代表,它們為半導體行業奠定了堅實的基礎。隨著技術的發展,第二代半導體材料以砷化鎵(GaAs)和銻化銦(InSb)為核心,這些材料的高頻和高速特性,為電子
    的頭像 發表于 08-21 10:01 ?540次閱讀
    芯干線科技<b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>功率</b>器件及應用

    Si+SiC+GaN混合方案,解決數據中心PSU高功率需求

    的PSU功率密度要求,讓SiCGaN等三代半器件進入數據中心PSU提供了極佳的市場機會。近年來功率器件廠商都推出了多種采用SiC
    的頭像 發表于 07-05 00:12 ?3881次閱讀
    <b class='flag-5'>Si+SiC+GaN</b>混合方案,解決數據中心PSU高<b class='flag-5'>功率</b>需求

    SiCGaN 功率器件中的離子注入技術挑戰

    碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體預計將在電力電子器件中發揮越來越重要的作用。與傳統硅(Si)設備相比,它們具有更高
    的頭像 發表于 04-29 11:49 ?1292次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b>與<b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>功率</b>器件中的離子注入技術挑戰

    同軸分流器在SiCGaN器件中的測量應用

    隨著現代電力電子的高速發展,SiC/GaN 功率器件的應用越來越廣泛,工程師經常要測量頻率高達數百 kHz,電流高達數十安培的功率電路。
    的頭像 發表于 03-13 10:50 ?1119次閱讀
    同軸分流器在<b class='flag-5'>SiC</b>和<b class='flag-5'>GaN</b>器件中的測量應用

    GaN導入充電樁,小功率先行

    電子發燒友網報道(文/梁浩斌)充電樁市場隨著高壓直流快充的推廣,在一些400kW以上的充電樁中已經采用了SiC功率器件。同為第三代半導體的GaN,由于在高頻應用上的優勢,一些廠商也在推
    的頭像 發表于 02-21 09:19 ?4600次閱讀

    SiC功率元器件特征有哪些

    碳化硅(SiC功率元器件是一種半導體器件,具有許多獨特的特性,使其在高性能電力電子應用中具有優勢。以下是SiC功率元器件的一些主要特征:
    的頭像 發表于 02-04 16:25 ?771次閱讀

    CGHV96050F1衛星通信氮化鎵高電子遷移率晶體管CREE

    CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比,這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的
    發表于 01-19 09:27

    三安宣布進軍美洲市場,為市場提供SiCGaN功率半導體產品

    1月8日,Luminus Devices宣布,湖南三安半導體與其簽署了一項合作協議,Luminus將成為湖南三安SiCGaN產品在美洲的獨家銷售渠道,面向功率半導體應用市場。
    的頭像 發表于 01-13 17:17 ?1485次閱讀
    主站蜘蛛池模板: 野草观看免费高清视频| 2019午夜75福利不卡片在线| 97成人在线视频| 男人到天堂a线牛叉在线| free乌克兰性xxxxhd| 日韩亚洲视频一区二区三区| 国产伦精品一区二区免费| 亚洲免费精品视频| 免费韩国伦理2017最新| 成年女人免费播放影院| 网友自拍成人在线视频| 九九热视频免费| 哺乳溢出羽月希中文字幕| 香蕉精品国产自在现线拍| 久久爽狠狠添AV激情五月| 扒开美女的内衣亲吻漫画| 亚洲欧美日韩另类精品一区二区三区| 久久这里只精品热在线18| 公和我做好爽添厨房中文字幕| 亚洲 日本 天堂 国产 在线| 里番※琉璃全彩acg奈亚子| 国产AV综合手机在线观看| 印度性hd18| 天美传媒 免费观看| 乱辈通奷XXXXXHD猛交| 国产VA精品午夜福利视频| 在线高清视频不卡无码| 色一欲一性一乱一区二区三区| 精品国产九九| 超碰人热人人热人人看| 一个人在线观看视频| 色欲无码国产喷水AV精品| 开心色99xxxx开心色| 国产精品久免费的黄网站| 18禁在线无遮挡羞羞漫画| 香港成人社区| 日本精品久久久久中文字幕2| 久久99精品AV99果冻| 国产高清美女一级毛片久久| 99精品在线观看| 一区精品在线|