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臺積電要進行2nm半導體工藝的研究了大概需要多久

mvj0_SEMI2025 ? 來源:未知 ? 2019-06-16 09:42 ? 次閱讀

半導體工藝上,近年來幾大巨頭都紛紛出殺招。Intel終于進入了10nm的工藝時代,同時宣布在后年轉入7nm,而臺積電和三星則是早早完成了7nm工藝的布局,并同時奔向5nm和3nm?,F在,臺積電官宣,正式啟動2nm工藝的研發,工廠設置在位于***新竹的南方科技園,預計2024年投入生產。

臺積電并沒有透露2nm工藝所需要的技術和材料,通過晶體管的結構能夠看到目前并沒有明顯變化,進一步壓榨硅半導體技術。按照臺積電的指示,2nm將會是一個重要借點,Metal Track(金屬單元高度)和3nm一樣維持在5x,同時Gate Pitch(晶體管柵極間距)縮小到30nm,Metal Pitch(金屬間距)縮小到20nm,相比于3nm都小了23%。

當然,2nm只是研發的階段,臺積電還要經歷7nm+、6nm、5nm、3nm等多個工藝節點。當中7nm+首次引入EUV極紫外光刻技術,而6nm只是一個小升級版本,明年第一季度試產。5nm開始風險性試產,明年年底前量產,據說蘋果A14有望采用。

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原文標題:臺積電官宣開始2nm工藝研發,預計2024年投產

文章出處:【微信號:SEMI2025,微信公眾號:半導體前沿】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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