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DRAM內存芯片價格不斷下跌 海力士推遲無錫新廠投產計劃

中國半導體論壇 ? 來源:yxw ? 2019-06-21 11:33 ? 次閱讀

據外媒報道,由于DRAM內存芯片價格不斷下跌,近期又有華為事件的影響,SK海力士正在計劃推遲位于中國無錫的全球最先進內存芯片工廠的投產計劃。

中國市場是SK海力士最大的海外市場,去年中國區營收占了40%,其中華為就占了12%的營收,但是現在的大環境變了,不僅華為被制裁影響了市場需求,持續不斷的內存跌價也讓SK海力士面臨虧損的可能。

在這樣的雙重打擊下,接近SK海力士的消息人士稱SK海力士準備推遲無錫C2F工廠的加速量產的計劃,該工廠已經在4月份正式竣工,海力士原本計劃在Q3季度加速量產。

SK海力士無錫二廠C2F項目于2016年12月宣布,2017年10月簽約,2017年6月開工,2018年11月開始設備遷入,總投資達86億美元,其中16億美元用于建設3.3萬平米的新廠房和附屬設施,70億美元用于引入全球最先進的內存芯片生產設備。

作為現有工廠(C2)的延伸項目,新工廠建設周期2017-2026年,全部完成后將成為全球單體投資規模最大、月產能最大、技術最先進的10nm級別工藝內存芯片生產基地,月產能可達18萬塊300毫米晶圓,年銷售額可達33億美元。

目前,SK海力士占有中國內存芯片市場大約35%的份額,無錫二廠投用后預計可升至超過45%。

另據市場研究公司預計,DRAM價格將在第三季下跌15%,比之前的估計低5個百分點。|中國半導體論壇公眾號|DRAM是SK集團子公司的主要業務。它占其全部銷售額的80%,而NAND閃存業務占18%。

此外,一些全球和韓國本土市場分析師還預測,今年下半年芯片價格將下跌,預計這家去年營業利潤達到20.9萬億韓元的韓國芯片公司今年第四季度可能會出現虧損。

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原文標題:海力士推遲無錫新廠投產計劃!

文章出處:【微信號:CSF211ic,微信公眾號:中國半導體論壇】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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