近日,一年一度的新思科技開發者大會在上海拉開帷幕。作為新思科技開發者大會特邀嘉賓,被譽為FinFET之父的胡正明教授視頻分享了其對行業發展的獨到見解。
2nm之后的路在何方?
胡正明教授指出“行業每20年總會有一個危機。20年前,行業對今后用什么技術來提高芯片性能、降低功耗的同時不增加成本,非常悲觀。FinFET技術的出現解決了這個問題,但是現如今最前端的公司都面臨著先進工藝不斷向7nm、5nm、2nm邁進之后的工藝挑戰。解決之道就是要找到長遠的發展之路。”
近期的研究分享
2018年,胡正明教授的同事有一個發明:負電容晶體管。過去十年,胡正明教授都在參與研究負電容晶體管以期將功耗降低10倍,也許以后還有更多益處。
對中國開發者的寄語
他肯定了過去十幾年,行業的開發者團隊對世界科技進步和經濟成長的重要性,建議開發者一步一個腳印,踏踏實實進行產業革新,不管是對于個人還是公司,都要在現有的基礎上,讓自己的產品研發在國內和國際上越來越有競爭力。
今年的開發者大會對新思科技來說更具時代意義——擁有29年歷史的SNUG(新思科技用戶大會)全新升級、煥然新生。大會共吸引了超過1400位來自全球的開發者共享前沿科技的創新成果,分享了超過40個開發者優秀案例,覆蓋眾多改變未來世界的熱門應用。同時,有超過20家全球合作伙伴在現場展示最新應用互動體驗,涉及人工智能、智能汽車、5G、物聯網、數據中心等前沿領域。
人類走到今天,每一個微小的進步都不可或缺。新思科技致力于為全球開發者提供最前沿的工具和平臺實現芯片創新,攜手開發者讓科技更有溫度,讓世界更美好,讓明天更有新思。
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原文標題:FinFET之父胡正明教授展望2nm之后的長遠發展之路
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