晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能的集成電路產(chǎn)品。

半導(dǎo)體集成電路最主要的原料是硅，因此對(duì)應(yīng)的就是硅晶圓。硅在自然界中以硅酸鹽或二氧化硅的形式廣泛存在于巖石、砂礫中，硅晶圓的制造可以歸納為三個(gè)基本步驟：硅提煉及提純、單晶硅生長(zhǎng)、晶圓成型。

制造工藝：

表面清洗：晶圓表面附著大約2um的Al2O3和甘油混合液保護(hù)層，在制作前必須進(jìn)行化學(xué)刻蝕和表面清洗。

初次氧化：由熱氧化法生成SiO2 緩沖層，用來減小后續(xù)中Si3N4對(duì)晶圓的應(yīng)力氧化技術(shù)。

熱CVD：此方法生產(chǎn)性高，梯狀敷層性佳（不管多凹凸不平，深孔中的表面亦產(chǎn)生反應(yīng)，及氣體可到達(dá)表面而附著薄膜）等，故用途極廣。

熱處理：在涂敷光刻膠之前，將洗凈的基片表面涂上附著性增強(qiáng)劑或?qū)⒒旁诙栊詺怏w中進(jìn)行熱處理。這樣處理是為了增加光刻膠與基片間的粘附能力，防止顯影時(shí)光刻膠圖形的脫落以及防止?jié)穹ǜg時(shí)產(chǎn)生側(cè)面腐蝕（sideetching）。

晶圓的背面研磨工藝：晶圓的集成電路制造，為了降低器件熱阻、提高工作散熱及冷卻能力、便于封裝，在硅晶圓正面制作完集成電路后，需要進(jìn)行背面減薄。晶圓的背面研磨工藝，是在晶圓的正面貼一層膜保護(hù)已經(jīng)制作好的集成電路，然后通過研磨機(jī)來進(jìn)行減薄。

除氮化硅：此處用干法氧化法將氮化硅去除。

離子注入：離子布植將硼離子 （B+3） 透過 SiO2 膜注入襯底，形成P型阱離子注入法是利用電場(chǎng)加速雜質(zhì)離子，將其注入硅襯底中的方法。離子注入法的特點(diǎn)是可以精密地控制擴(kuò)散法難以得到的低濃度雜質(zhì)分布。

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