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關(guān)于SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器詳細(xì)解析

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 來(lái)源:djl ? 2019-08-22 09:13 ? 次閱讀

“隔離型反激式轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計(jì):主要元器件的選型-CIN和緩沖”、“隔離型反激式轉(zhuǎn)換器的基礎(chǔ):反激式轉(zhuǎn)換器的工作和緩沖”。

什么是緩沖電路 緩沖電路是抑制浪涌的電路。在本例中是為了抑制輸入浪涌而設(shè)置在輸入端,其實(shí)也可用于輸出端。由于輸入連接于變壓器的一次側(cè),所以受變壓器的漏電感影響,當(dāng)MOSFET從ON變?yōu)镺FF的瞬間,將產(chǎn)生較大的浪涌電壓(尖峰噪聲)。這種浪涌電壓施加在MOSFET的漏極-源極之間,因此如果產(chǎn)生的浪涌電壓超過(guò)MOSFET的耐壓,可能會(huì)造成MOSFET損壞。為了防止MOSFET損壞,插入由RCD(電阻電容二極管)組成的緩沖電路以抑制浪涌電壓。由于大多數(shù)情況下都會(huì)產(chǎn)生這種浪涌,因此建議在設(shè)計(jì)之初就設(shè)置緩沖電路。

緩沖電路:Rsnubber1、Csnubber1、及D13、D14、D15、D16

在本例中使用的緩沖電路,由電阻Rsnubber1、電容Csnubber1、以及二極管D13、D14、D15、D16組成,只要去掉D15和D16就是典型的RCD緩沖電路。首先來(lái)確定鉗位電壓和鉗位紋波電壓,并按R、C、D的順序確定常數(shù)。

1)鉗位電壓(Vclamp)、鉗位紋波電壓(Vripple)

鉗位電壓需要根據(jù)MOSFET的耐壓考慮到余量來(lái)決定。余量取20%。

Vclamp=1700V×0.8=1360V

鉗位紋波電壓(Vripple)定為50V左右。

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2)電阻Rsnubber1

Rsnubber1的選型需要滿(mǎn)足以下條件。

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這里設(shè)漏電感Lleak=Lp×10%=1750μH×10%=175μH,利用下列公式計(jì)算Po=25W、VIN(max)=900V時(shí)的Ip和fsw。

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根據(jù)上述計(jì)算:

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fsw從161kHz變?yōu)?20kHz的原因與以前介紹的一樣,因?yàn)?a target="_blank">電源IC的最大開(kāi)關(guān)頻率為120kHz。Rsnubber1是比計(jì)算結(jié)果253kΩ小的值,因此定為200kΩ。

Rsnubber1的損耗P_Rsnubber1可利用以下公式進(jìn)行計(jì)算。

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考慮到余量,定為2W以上。最終Rsnubber1采用2W、200kΩ的電阻。

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3)Csnubbe1

Csnubber1的電容量通過(guò)下列公式計(jì)算。

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由于容量要大于1607pF,所以選擇2200pF。

施加于Csnubber1的電壓為從Vclamp減去VIN(MAX)后的電壓,即1360V-900=460V,因此考慮到余量,Csnubber1的耐壓定為600V以上。最終選用2200pF、2kV、10%、X7R、1210封裝的陶瓷電容。

4)D13、D14

4個(gè)二極管中,D13和D14使用快速恢復(fù)二極管。耐壓選擇MOSFET的Vds(max)=1700V以上的電壓。此次串聯(lián)使用2個(gè)通用的UF4007(1000V、1A)。

由于浪涌電壓不僅受變壓器的漏電感影響,還受PCB板薄膜布線(xiàn)的寄生分量影響,因此需要在組裝于實(shí)際PCB板中的狀態(tài)下確認(rèn)Vds,并根據(jù)實(shí)際的電壓調(diào)整緩沖電路。

5)D15、D16

這些二極管是TVS(瞬態(tài)電壓抑制)二極管,是浪涌吸收元件。當(dāng)需要獲得更優(yōu)異的保護(hù)性能時(shí),可添加TVS來(lái)吸收瞬態(tài)尖峰噪聲。通過(guò)確認(rèn)MOSFET開(kāi)關(guān)時(shí)的波形來(lái)決定是否使用。施加于這部分的計(jì)算值電壓與施加于Csnubber1的電壓相同,均為460V,因此串聯(lián)使用2個(gè)鉗位電壓274V的1.5KE200A二極管,來(lái)吸收超出的瞬態(tài)電壓。

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