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關(guān)于SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)和性能分析

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 來源:djl ? 2019-08-22 10:30 ? 次閱讀

主要部件選型:輸入電容C2、C3、C4

下方電路圖是從整個(gè)電路圖中摘錄的輸入部分的電路。輸入端的輸入電容需要C2、C3、C4這3個(gè)電容。輸入電容的容值通過下表來確定。

關(guān)于SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)和性能分析

關(guān)于SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)和性能分析

關(guān)于輸入,如設(shè)計(jì)案例電路中所述,將AC輸入電壓整流后會(huì)變?yōu)?a target="_blank">DC電壓,因此將根據(jù)DC輸入電壓值來設(shè)置常數(shù)。

輸入電壓規(guī)格:300~900VDC(400~690VAC)

Pout=24V×1.1A=25W

根據(jù)上述規(guī)格,Cin為1×25=25μF,因此選擇33μF的電容。

輸入電容也與輸入停止后的輸入電壓保持時(shí)間等有關(guān),因此,也可根據(jù)這些相關(guān)規(guī)格來選擇電容量。

接下來,我們將探討并來確定輸入電容的耐壓。從上面可以看出,這個(gè)電路是處理高電壓的電路,要求輸入電容具有高耐壓特性。輸入電容的耐壓需要達(dá)到最大輸入電壓以上。最大輸入電壓按80%降額。

最大輸入電壓/降額=900V/0.8=1125V

要想支持1125V,需要串聯(lián)使用三個(gè)450V耐壓的電容,從而獲得450V×3=1350V的耐壓。當(dāng)然,整體上要獲得33μF的電容量,各電容需要三倍的電容量,因此選擇100μF/450V的電容。

主要部件選型:平衡電阻R1、R2、R3、R4、R5、R6

為了獲得所需的耐壓,我們采用了串聯(lián)連接電容的手法,但在這種情況下,需要保持施加到所有電容的電壓均衡,因而需要與各電容并聯(lián)連接平衡電阻。從電路圖中可以看出,平衡電阻是串聯(lián)在輸入端和GND之間,因此流經(jīng)平衡電阻的電流只是一種損耗,故建議選擇470kΩ以上的電阻值。平衡電阻R1、R2、R3、R4、R5、R6的損耗如下:

平衡電阻損耗(W)=最大輸入電壓×最大輸入電壓/平衡電阻的和

=900V×900V/(470k×6=2.82MΩ)=0.287W

綜上所述,得出:

輸入電容C2、C3、C4:100μF/450V

平衡電阻R1、R2、R3、R4、R5、R6:470kΩ

關(guān)鍵要點(diǎn)

?輸入電容采用串聯(lián)連接的方法,以獲得所需的耐壓。

?串聯(lián)連接電容時(shí),需要插入平衡電阻以確保施加于各電容的電壓均衡。

?由于平衡電阻只是產(chǎn)生IR損耗,因此需要注意電阻值。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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