當前半導體制程微縮已經來到10納米節(jié)點以下，EUV極紫外光光刻技術已成為不可或缺的設備，包括現(xiàn)在的7納米制程，以及未來5納米、3納米甚至2納米制程都將采用該技術。

藉由EUV設備導入，不僅可以加快生產效率、提升良率，還能降低成本，除了晶圓代工業(yè)者積極導入，連DRAM存儲器生產廠商也考慮引進。

為了因應制程微縮的市場需求，全球主要生產EUV設備的廠商ASML正積極開發(fā)下一代EUV設備，就是High-NA（高數值孔徑）EUV產品，預計幾年內就能正式量產。

根據韓國媒體《ETNews》報導，High-NA的EUV設備與目前EUV設備的最大不同點，在于使用EUV曝光時，透過提升透鏡解析度，使解析度（resolution）和微影疊對（overlay）能力比現(xiàn)行EUV系統(tǒng)提升70%，達到業(yè)界對幾何式芯片微縮（geometric chip scaling）的要求。

ASML利用德國蔡司半導體業(yè)務部門的技術提升透鏡解析度，就為了此目的，ASML于2016年正式收購了德國蔡司半導體業(yè)務部門24.9%股權。

針對下一代High-NA的EUV產品，ASML之前也已從3個主要客戶取得4臺訂單，并售出8臺High-NA EUV產品的優(yōu)先購買權。這些訂單中，晶圓代工龍頭臺積電也是其中之一。

事實上，2018年時，臺積電就宣布增加3億美元資本支出，為下一代EUV設備的預付款，也就是已預購新一代High-NA的EUV設備。針對新一代High-NA EUV設備，ASML預計2025年正式量產。