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瘋了?內存價格降至冰點,美光卻加緊擴大產能!

h1654155973.6121 ? 來源:YXQ ? 2019-07-03 17:38 ? 次閱讀

在本周早些時候與投資者和金融分析師召開的收益電話會議上,美光對其長期未來及對其產品的強勁需求表示了信心,該公司還概述了擴大產能的計劃,并迅速轉向更先進的工藝技術。

美光表示,“我們相信,受人工智能、自動駕駛汽車、5G物聯網等廣泛的長期趨勢驅動,記憶和存儲的長期需求前景引人注目”美光公司首席執行官桑杰·梅赫特拉(Sanjay Mehrotra)說。“美光公司已準備好利用這些趨勢,創新產品,快速響應的供應鏈,與全球客戶建立良好關系?!?/p>

由于供應超過需求,近幾個季度DRAM價格大幅下跌。為了降低成本并為內存的新應用的出現做好準備,DRAM制造商正在積極地轉向更新的工藝技術。與此同時,雖然承認他們需要平衡DRAM的供需,但他們實際上已經制定了積極的產能擴張計劃,因為他們需要更多的潔凈室用于即將到來的制造技術。

美光公司在制造工藝方面擁有積極的路線圖,現在又增加了4個10納米級節點(總共6個10納米級技術),該公司正在研究最終向極紫外光刻(EUVL)的過渡。美光還在擴大其生產能力,以便為下一代應用生產下一代存儲器,即為消費級準備32 GB內存模塊,為服務器準備64 GB DIMM。

本月早些時候,我們報道了美光的16 Gb DDR4內存芯片,該芯片采用該公司的第二代10納米級制造工藝也稱為1Y nm)生產。這些DRAM芯片已經在用于威剛和英睿達的32 GB DDR4內存條中,這些產品也將不久后上市。

▲美光旗下英睿達的32GB單條內存

早在4月份,為了應對DRAM和新工藝技術需求的增加,美光存儲***(前雷克斯光電半導體)新潔凈室破土動工。

美光儲存(***)早已在使用美光的第一代10納米級制造技術(也稱為1X nm)制造DRAM產品,并將在不久的將來直接進入第3代10納米級工藝(又名1Z nm) 。與此同時,去年美光在臺中附近開辟了一個新的測試和包裝設施,創造了世界上唯一的垂直集成DRAM生產設施之一。

此外,美光公司宣布計劃在日本廣島附近的公廠內投入20億美元用于新的潔凈室。據報道,新的產能將用于制造美光13納米工藝技術的DRAM。

總的來說,美光將擁有多個10納米級節點。除了目前使用的第一代和第二代10納米級工藝技術外,美光還計劃推出至少四種10納米級制造工藝:1Z,1α,1β和1γ

目前,美光公司正在生產第二代10納米級制造工藝(即1Y nm),包括該公司的12 Gb LPDDR4X以及16 Gb DDR4存儲器件。

該公司的下一代1Z nm目前已獲得客戶的認可(即,他們正在測試使用該工藝生產的各種芯片),預計將在近期宣布,該技術將用于生產16 Gb LPDDR5存儲器件以及DDR5存儲器件。

繼1Z nm節點之后,美光計劃開始使用其1αnm制造技術以獲得更高的產量,這意味著它正處于后期開發階段。之后是1βnm制造工藝,該工藝也是處于早期開發階段。

美光沒有說明在1γnm工藝之后是否會直接進入EUV。該公司正在評估ASML的Twinscan NXE步進掃描功能以及使用極紫外光刻技術生產所需的其他設備,并正在評估這些工具何時可用于制造DRAM。

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原文標題:內存價格降至冰點,美光卻擴大產能!

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