隨著NVIDIA宣布其新一代的7nm GPU交由三星代工,三星在晶圓代工市場上總算又拉來一個大客戶,如果算上之前的IBM Power 10以及傳聞中的高通驍龍865訂單,再加上三星自己的7nm Exynos芯片,三星在7nm節點總算有所收獲了。
與臺積電相比,三星在7nm及未來的5nm節點上確實還要落后,主要是時間進度上,臺積電的7nm去年都量產了,海思、蘋果、賽靈思以及現在的AMD都是臺積電7nm的大客戶。
日前三星在韓國又舉行了新一輪晶圓代工制造論壇會議,參與的人數比之前多了40%,超過500多名無晶圓廠芯片客戶與會,副總晶圓代工業務的三星副總裁Jung Eun-seung公布了三星在半導體制造工藝上的進展。他表達,三星今年9月份將完成韓國華城的7nm EUV工藝生產線,明年1月份量產。
在7nm之后,三星還將推出5nm FinFET工藝,目前已經完成了技術研發,而且5nm被視為是最后一代FinFET工藝。
在之后的重大節點就是3nm了,三星率先公布了3nm節點將使用GAA環繞柵極晶體管技術,三星通過使用納米片設備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應管),該技術可以顯著增強晶體管性能,主要取代FinFET晶體管技術。
值得注意的是,三星召開會議的這幾天里,日本突然宣布制裁韓國,限制日本半導體材料、OLED顯示面板材料的對韓出口,隨后正式施行。
日本限制出口的材料主要用于半導體芯片及顯示面板生產,即便是三星也要依賴日本供應商,所以這件事可能對三星影響很大。
目前三星官方尚未對此事發表評論,不過韓國總統國家安全辦公室副主任金賢重日前會見了三星副董事長金基南,討論日本的制裁及應對措施。
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原文標題:三星宣布7nm EUV明年1月量產,5nm技術研發已完成
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