雪崩光電二極管是一種p-n結型的光檢測二極管，其中利用了載流子的雪崩倍增效應來放大光電信號以提高檢測的靈敏度。其基本結構常常采用容易產(chǎn)生雪崩倍增效應的Read二極管結構（即N+PIP+型結構，P+一面接收光），工作時加較大的反向偏壓，使得其達到雪崩倍增狀態(tài)；它的光吸收區(qū)與倍增區(qū)基本一致（是存在有高電場的P區(qū)和I區(qū)）。

目前光纖通信系統(tǒng)中使用的雪崩光電二極管結構形式有保護環(huán)型和拉通（又稱通達）型．前者是在制作時淀積一層環(huán)形的N型材料，以防止在高反壓時使P-N結邊緣產(chǎn)生雪崩擊穿．下面主要介紹拉通型雪崩光電二極管（ RAPD），它的結構示意圖和電場分布如圖1所示．其中，圖（a）是縱向剖面的結構示意圖；圖（b）是將縱向剖面順時針轉900的示意圖；圖（C）是它的電場強度隨位置的分布圖。

由圖（b）可見，它仍然是一個P-N結的結構形式，只不過其中的P型材料是由三部分構成，光子從P+層射人，進入I層后，在這里，材料吸收了光能并產(chǎn)生了初級電子一空穴對．這時，光電子在I層被耗盡層的較弱的電場加速，移向P-N結．當光電子運動到高場區(qū)時，受到強電場的加速作用出現(xiàn)雪崩碰撞效應，最后，獲得雪崩倍增后的光電子到達N+層，空穴被P+層吸收．P+之所以做成高摻雜，是為了減小接觸電阻以利與電極相連。

由圖（C）還可以看出，它的耗盡層從結區(qū)一直拉通到I層與P+層相接的范圍內，在整個范圍內電場增加較小．這樣，這種RAPD器件就將電場分為兩部分，一部分是使光生載流子逐漸加速的較低的電場，另一部分是產(chǎn)生雪崩倍增效應的高電場區(qū)，這種電場分布有利于降低工作電壓．

前面介紹了雪崩光電二極管具有雪崩倍增效應這個有利面．但是，由于雪崩倍增效應的隨機性，會帶來它的不利的方面，這就是這種隨機性將引入噪聲．

如果不采用APD，則必然要采用多級電的放大器．顯然，這也要引入噪聲．兩者相比，還是采用APD較為有利．雪崩光電二極管隨使用的材料不同有：Si-APD（工作在短波長區(qū)）；Ge-APD，InGaAs-APD等（工作在長波長區(qū)）．