隧道二極管，又稱為江崎二極管，它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。隧道二極管是采用砷化鎵（GaAs）和銻化鎵（GaSb）等材料混合制成的半導體二極管，其優點是開關特性好，速度快、工作頻率高；缺點是熱穩定性較差。一般應用于某些開關電路或高頻振蕩等電路中。

隧道二極管的工作符合發生隧道效應具備的三個條件：

（1）費米能級位于導帶和滿帶內；

（2）空間電荷層寬度必須很窄（0.01微米以下）；

（3）簡并半導體P型區和N型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。

隧道二極管為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比（IP/PV），其中，下標“P”代表“峰”；而下標“V”代表“谷”。簡單地說，所謂“隧道效應”就是指粒子通過一個勢能大于總能量的有限區域。這是一種量子力學現象， 按照經典力學是不可能出現的。隧道二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用于高速開關電路中。

基于重摻雜PN結隧道效應而制成的半導體兩端器件。隧道效應是1958年日本江崎玲於奈在研究重摻雜鍺PN結時發現的，故隧道二極管又稱江崎二極管。這一發現揭示了固體中電子隧道效應的物理原理，江崎為此而獲得諾貝爾獎金物理學獎。

隧道二極管通常是在重摻雜 N型（或 P型）的半導體片上用快速合金工藝形成高摻雜的PN結而制成的；其摻雜濃度必須使PN結能帶圖中費米能級進入N型區的導帶和P型區的價帶；PN結的厚度還必須足夠薄（150埃左右），使電子能夠直接從N型層穿透PN結勢壘進入P型層。這樣的結又稱隧道結。