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• 發布了文章 2024-12-06 01:02

  英飛凌全新一代氮化鎵產品重磅發布，電壓覆蓋700V！

  

  作為第三代半導體材料的代表者，氮化鎵(GaN)憑借其優異的電氣性能、高熱導率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領了全球功率半導體產業革新，隨著氮化鎵技術的不斷成熟和應用領域的不斷拓展，其市場規模正呈現出爆發式增長態勢。英飛凌長期深耕氮化鎵領域，再次推動了氮化鎵革命，率先成功開發出了全球首個300mm氮化鎵(GaN)功率半導體晶圓技術，是全球首家在現有且可擴展的

  氮化鎵 電壓 英飛凌

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• 發布了文章 2024-12-04 01:04

  新品 | Easy2B Easy3B 1200V IGBT7 H7高速芯片的T型三電平模塊的先導產品

  

  新品Easy2BEasy3B1200VIGBT7H7高速芯片的T型三電平模塊的先導產品EasyPACK封裝圖采用最新一代TRENCHSTOPIGBTH7芯片的FS3L40R12W2H7P_B11和F3L500R12W3H7_H11擴展了Easy系列在1000VDC系統中產品組合，可以實現高開關頻率應用。FS3L40R12W2H7P_B11EasyPACK2B

  三電平 高速芯片

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• 發布了文章 2024-12-03 01:03

  功率器件熱設計基礎（七）——熱等效模型

  

  /前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。有了熱阻熱容的概念，自然就會想到在導熱材料串并聯時，就可以用阻容網絡來描述。一個帶銅基板的

  功率器件 熱設計 等效模型

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• 發布了文章 2024-11-29 01:03

  新品 | 第二代 CoolSiC™ 34mΩ 1200V SiC MOSFET D²PAK-7L封裝

  

  新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD2PAK-7L封裝采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiCG21200VMOSFET系列以第一代技術的優勢為基礎，加快了系統設計的成本優化，實現高效率、緊湊設計和可靠性。第二代產品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流

  MOSFET SiC

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• 發布了文章 2024-11-28 01:00

  英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件

  

  英飛凌近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN650VG5晶體管，該系列進一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產品組合。該新產品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數據中心、電信整流器等消費和工業開關電源（SMPS）、可再生能源，以及家用電器中的電機驅動器。CoolGaN650VG5晶體管最新一代CoolGaN晶體管可直接替代Co

  分立器件 晶體管 氮化鎵 英飛凌

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• 發布了文章 2024-11-26 01:02

  功率器件熱設計基礎（六）——瞬態熱測量

  

  功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。確定熱阻抗曲線測量原理——Rth/Zth基礎：IEC60747-9即GB/T29332半導體器件分立器件

  功率器件 測量 熱設計

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• 發布了文章 2024-11-24 01:01

  第三屆電力電子科普作品創作大賽啟航

  

  電力電子技術，這一在新能源發電、輸配電及高效用電領域扮演著舉足輕重角色的科技力量，已悄然滲透至我們生活的各個層面。它憑借高效的功率變換技術，不僅推動了生產活動的綠色節能轉型，更讓我們的生活變得更加舒適便捷，出行方式也更加環保無憂。然而，這位在幕后默默奉獻的英雄——電力電子技術，卻往往不為廣大公眾所熟知。身為電力電子行業的耕耘者，你是否曾夢想過以通俗易懂的語言

  電力電子 電源 英飛凌

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• 發布了文章 2024-11-23 01:04

  新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO247和TO247-4封裝

  

  新品CoolSiCMOSFET650VG2，7mΩ，采用TO247和TO247-4封裝CoolSiCMOSFET650VG2，7mΩ，采用TO-247和TO-247-44引腳封裝，以第1代技術的優勢為基礎，加快了系統設計的成本優化，實現高效、緊湊和可靠解決方案。CoolSiCMOSFET第2代在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常

  MOSFET SiC 封裝

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• 發布了文章 2024-11-19 01:01

  功率器件熱設計基礎（五）——功率半導體熱容

  

  /前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。熱容熱容Cth像熱阻Rth一樣是一個重要的物理量，它們具有相似的量綱結構。熱容和電容，都是描述儲

  功率半導體 功率器件 熱設計

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• 發布了文章 2024-11-17 01:02

  第二屆電力電子創作大賽圓滿收官，優秀作品連連看！

  

  在新能源發電、輸配電及高效用電領域，電力電子技術默默扮演著舉足輕重的角色，卻常隱于幕后，不為公眾所廣泛認知。為揭開這位科技巨擘的神秘面紗，中國電源學會科普工委與英飛凌科技（中國）有限公司共同主辦第二屆電力電子創作大賽，旨在深化公眾對電力電子技術的認識與理解。自今年4月盛大啟幕以來，大賽吸引了社會各界的廣泛關注與積極參與。參賽陣容橫跨學生、工程師、電力電子領域

  電力電子 英飛凌

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