動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2023-07-31 17:56

  200kW儲能用EasyPACK™ 3B三電平模塊

  

  新品200kW儲能用EasyPACK3B三電平模塊F3L225R12W3H3_B11NPC1三電平EasyPACK3B模塊采用1200VHIGHSPEED3IGBT芯片和EmCon7二極管。它為ESS雙向功率變換進行了優(yōu)化，兩個并聯(lián)模塊，可以實現(xiàn)200千瓦1500VDC功率變換。相關器件：F3L225R12W3H3_B11產(chǎn)品特點采用PressFIT技術的E

  三電平 儲能 模塊

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• 發(fā)布了文章 2023-07-31 17:55

  6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動器評估板（配SiC MOSFET）

  

  新品6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動器評估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路，用兩個柵極驅(qū)動IC1ED3142MU12F來驅(qū)動IGBT、MOSFET和SiCMOSFET等功率開關。該板預裝了兩個CoolSiCSiCMOSFETIMZA120R020M1H，一個額外的柵極驅(qū)動IC用于隔離從上橋臂到邏輯控制側

  MOSFET SiC 評估板

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• 發(fā)布了文章 2023-07-31 17:30

  英飛凌的SiC MOS需要負壓嗎

  

  IPAC|2023年度英飛凌碳化硅直播季第一場直播于5月23日順利結束。直播中英飛凌的三位工程師孫輝波、趙佳、郝欣與大家探討了CoolSiC溝槽柵MOSFET的設計理念、高性能封裝互聯(lián)方案.XT、冷切割技術與應用。直播時間有限，未能回答全部觀眾問題，在此針對一些遺漏問題進行回答。如果大家還有任何問題，歡迎在文末留言，我們會及時回復。點擊下方視頻即可回看溝槽柵

  MOS SiC 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2023-07-31 16:57

  新品 | 用于高速開關應用的1200V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET

  

  新品用于高速開關應用的1200VEasyDUALCoolSiCMOSFET增強型1代1200VCoolSiCMOSFET的EasyDUAL1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術和溫度檢測NTC，并有使用預涂的熱界面材料（TIM）版本。產(chǎn)品型號：FF17MR12W1M1H_B1117mΩ1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ1200V低

  MOSFET 高速開關

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• 發(fā)布了文章 2023-07-06 10:07

  零碳故事丨新能源“東風”下的第三代半導體

  

  來源：內(nèi)容轉自公眾號21tech（News-21），作者：李強。于代輝英飛凌科技高級副總裁英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部大中華區(qū)負責人減碳趨勢下的節(jié)能、高效需求同樣給第三代半導體的登場搭好了舞臺。過去一段時間，盡管全球消費電子市場持續(xù)低迷，存儲芯片等各類半導體零部件的需求明顯減少，但廣泛用于光伏、風電等領域的功率半導體市場卻異常熱鬧。特別是在能源轉型的巨大需求

  半導體 新能源

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• 發(fā)布了文章 2023-07-01 10:10

  晶閘管在UPS旁路應用中的損耗計算

  

  功率晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器，UPS旁路等場合。本文通過公式計算和在線IPOSIM仿真兩種方式，對晶閘管在UPS旁路應用中的損耗計算和結溫預估進行說明，給廣大工程師在晶閘管選型時提供幫助。晶閘管在AC/DC整流應用中的損耗計算，請參考微信文章《PIM模塊中整流橋的損耗計算》。晶閘管是半控型電力電子器件，可通過門極在晶閘管承受正向陽極電壓時，控制晶閘管

  UPS 晶閘管

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• 發(fā)布了文章 2023-06-30 10:08

  搶占席位｜2023英飛凌寬禁帶應用技術發(fā)展論壇

  

  主辦單位：英飛凌科技（中國）有限公司協(xié)辦單位：慕尼黑展覽（上海）有限公司合作媒體：世紀電源網(wǎng)、電源網(wǎng)：7月11日：上海國家會展中心伴隨科技高速發(fā)展，隨之帶來的氣候和能源挑戰(zhàn)愈演愈烈。以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶功率半導體在光伏風能發(fā)電、儲能、大數(shù)據(jù)、5G通信、新能源汽車等領域或?qū)⒂瓉砬八从械狞S金發(fā)展期。如何促進寬禁帶半導體在集成電路領域的融合創(chuàng)新？如何提

  寬禁帶 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2023-06-22 10:14

  英飛凌的 CoolSiC™ XHP™ 2 高功率模塊助力推動節(jié)能電氣化列車低碳化

  

  為了實現(xiàn)全球氣候目標，交通運輸必須轉用更加環(huán)保的車輛，比如節(jié)能的電氣化列車。然而，列車運行有苛刻的運行條件，需要頻繁加速和制動，且要在相當長的使用壽命內(nèi)可靠運行。因此，它們需要采用具備高功率密度、高可靠性和高質(zhì)量的節(jié)能牽引應用。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）為了滿足上述需求，在其CoolSiC功率模塊產(chǎn)品組合中增加了兩款

  電氣 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2023-06-08 08:16

  采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機設計要點

  

  /引言/近年來，為了更好地實現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關于焊機能效的強制性規(guī)定應運而生。經(jīng)改進的碳化硅CoolSiCMOSFET1200V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。文：英飛凌科技高級應用工程師JorgeCerezo逆變焊機通常是通過IGBT功率模塊解決方案設計來實

  MOSFET SiC

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• 發(fā)布了文章 2023-05-27 08:16

  提升新能源車電驅(qū)方案中單管封裝的散熱性能

  

  經(jīng)典單管TO直插封裝有兩類TO-220和TO-247，其使逆變器系統(tǒng)并聯(lián)擴容靈活，器件成本優(yōu)勢明顯，且標準封裝容易找替代品，廣泛應用于中小功率范圍。在單管電驅(qū)應用方案中可以覆蓋30kW到180kW功率范圍，最多需要6-8個單管的并聯(lián)來實現(xiàn)方案。用于最新汽車級EDT2芯片的器件參數(shù)Vcesat/Vth分布比較集中，器件之間電氣參數(shù)差異小，并聯(lián)降額比例小，可以有

  封裝 新能源

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