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• 發布了文章 2024-11-17 01:02

  第二屆電力電子創作大賽圓滿收官，優秀作品連連看！

  

  在新能源發電、輸配電及高效用電領域，電力電子技術默默扮演著舉足輕重的角色，卻常隱于幕后，不為公眾所廣泛認知。為揭開這位科技巨擘的神秘面紗，中國電源學會科普工委與英飛凌科技（中國）有限公司共同主辦第二屆電力電子創作大賽，旨在深化公眾對電力電子技術的認識與理解。自今年4月盛大啟幕以來，大賽吸引了社會各界的廣泛關注與積極參與。參賽陣容橫跨學生、工程師、電力電子領域

  電力電子 英飛凌

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• 發布了文章 2024-11-16 01:04

  新品 | 16A 230 VAC或350 VDC交直流固態斷路器參考設計板

  

  新品16A230VAC或350VDC交直流固態斷路器參考設計板REF_SSCB_AC_DC_1PH_16A固態斷路器(SSCB)套件用于快速評估交流和直流斷路器，帶交互式圖形用戶界面。該套件包含兩塊電路板，支持230VAC或350VDC工作電壓和16A額定電流，自然冷卻，采用頂部散熱(TSC)MOSFET封裝上的非隔離式散熱器。它可支持不同的SSCB應用場景

  VAC VDC 斷路器

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• 發布了文章 2024-11-14 01:03

  新品 | D²PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP™的IGBT7系列

  

  新品D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列，是采用額定電壓為1200V的IGBT7S7芯片，器件采用D2PAK和DPAK封裝（TO263-3和TO252-3），提供3A至15A的額定電流產品。是替代西門子SG***N120系列老型號的理想之選，提供兼容升級。產品型號：■IG

  封裝 芯片 額定電壓

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• 發布了文章 2024-11-12 01:04

  功率器件熱設計基礎（四）——功率半導體芯片溫度和測試方法

  

  功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。芯片表面溫度芯片溫度是一個很復雜的問題，從芯片表面測量溫度，可以發現單個芯片溫度也是不均勻的。所以工程上

  功率半導體 功率器件 熱設計 芯片

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• 發布了文章 2024-11-08 01:03

  新品 | 符合AQG324標準的車載充電用CoolMOS™ CFD7A 650V EasyPACK™模塊

  

  新品符合AQG324標準的車載充電用CoolMOSCFD7A650VEasyPACK模塊符合AQG324標準的EasyPACK采用了最新的CoolMOSCFD7A650V芯片和一個集成的直流緩沖器Snubber電路。完美的性價比組合，適用于車載充電器和電動汽車輔助系統應用。產品型號：■F4-35MR07W1D7S8_B11/A產品特點高度可靠的壓接式針腳預涂

  CoolMOS 充電 車載

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• 發布了文章 2024-11-07 08:03

  英飛凌再次榮膺2024年全球電子產品獎，CoolSiC™ MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目

  

  11月5日，英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場領先的產品設計以及卓越的性能，榮獲2024年全球電子成就獎（WorldElectronicsAchievementAwards,WEAA）“年度高性能無源/分立器件”（HighPerformancePassive/Dis

  MOSFET 功率器件 模塊 英飛凌

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• 發布了文章 2024-11-05 08:02

  功率器件熱設計基礎（三）——功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法

  

  功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會聯系實際，比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率半導體模塊殼溫和散熱器溫度功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導熱脂

  功率半導體 功率器件 散熱器 熱設計

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• 發布了文章 2024-11-01 08:06

  新品 | CoolSiC™肖特基二極管G5系列10-80A 2000V

  

  新品CoolSiC肖特基二極管G5系列10-80A2000VCoolSiC肖特基二極管2000VG5系列在高達1500VDC的高直流母線系統中實現了更高的效率和設計簡化。由于采用了.XT互聯技術，該二極管具有一流的散熱性能和很強的防潮能力。它與配套的CoolSiCMOSFET2000V產品組合完美匹配。產品型號：■IDYH10G200C5■IDYH25G20

  SiC 二極管 肖特基二極管

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• 發布了文章 2024-10-31 08:04

  英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術極限并提高能效

  

  ?英飛凌是首家掌握20μm超薄功率半導體晶圓處理和加工技術的公司；?通過降低晶圓厚度將基板電阻減半，進而將功率損耗減少15%以上；?新技術可用于各種應用，包括英飛凌的AI賦能路線圖；?超薄晶圓技術已獲認可并向客戶發布。繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導體晶圓廠之后，英飛凌

  功率半導體 晶圓 英飛凌

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• 發布了文章 2024-10-29 08:02

  功率器件的熱設計基礎（二）——熱阻的串聯和并聯

  

  /前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章將比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。第一講《功率器件熱設計基礎（一）----功率半導體的熱阻》，已經把熱阻和電阻聯系起來了，那自然會

  SiC 功率器件 熱設計 熱阻

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