CP是把壞的Die挑出來，可以減少封裝和測試的成本。
光柵是通過將光纖暴露在紫外線下來寫入的。紫外線（244nm）能夠對芯的折射率進行永久性的改變。
集成電路是一種電子元件的集合：電阻、晶體管、電容等，所有這些都塞進一個小芯片中，并連接在一起以實現一....
硅片是半導體制造的基礎，絕大多數的芯片都是在硅片上制造的。SOI（silicon on insula....
電子束技術在半導體制造行業一直是重要的應用技術。本文就電子束技術作一個簡單的圖文介紹。
光刻膠是一種有機化合物，它受紫外線曝光后在顯影液中的溶解度發生顯著變化，而未曝光的部分在顯影液中幾乎....
ICP-RIE全稱是電感耦合等離子體刻蝕機，是半導體芯片微納加工過程中必不可少的設備，可加工微米級納....
1GW（吉瓦）是光伏產業中常用的裝機容量單位，而硅料、硅片、電池片、組件是光伏產業鏈中不同階段的產品....
微機電系統采用的是梳狀驅動式致動器。要理解其工作原理，可以設想兩個梳齒間隔很大的梳子，它們面對面擺放....
負折射率材料特殊的電磁學特性受到廣泛關注，在各向同性介質中，電場 E、磁場H和波矢k滿足右手定則, ....
金屬里面自由電子構成的特殊氣體，叫做“費米氣體”。那么，費米氣體和超導是什么關系呢？
沉積法是在基板材料上再附加材料的過程。通常是通過沉積一系列的涂層來完成，可以再使用蝕刻法對沉積層進行....
N型硅片通常需要更高純度的硅料，這意味著它們含有的金屬雜質較少，這些金屬雜質可能會作為復合中心降低少....
單晶硅可以用于二極管級、整流器件級、電路級以及太陽能電池級單晶產品的生產和深加工制造，其后續產品集成....
光刻膠按照種類可以分為正性的、負性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時被去除，負膠受到紫外光曝光的地....
半導體爐管設備是用于半導體材料熱處理的設備，包括電阻加熱式和感應加熱式兩種形式。爐管是核心部件，將半....
光刻膠的性能：光刻膠的性能對套刻精度有顯著影響。它決定了圖形的套刻分辨率和邊緣清晰度，光刻膠的收縮和....
氧化硅薄膜整個半導體制造過程是十分常見且不可或缺的，那么它具體有什么用途呢？
單晶硅的少子壽命是指非平衡少數載流子（電子或空穴）在半導體材料中從產生到消失（即通過復合過程失去）的....
SiC boat，即碳化硅舟。碳化硅舟是用在爐管中，裝載載晶圓進行高溫處理的耐高溫配件。
本文介紹了離子注入機的相關原理。
離子注入機的原理是什么？
異質外延是一種先進的晶體生長技術，它指的是在一個特定的襯底材料上生長出與襯底材料具有不同晶體結構或化....
上圖是TSV工藝的一般流程。TSV，全名Through-Silicon Via，又叫硅通孔工藝。
定義為連續50次測量的1σ方差，且未移動樣品接頭。
硬度作為評價材料力學性能的重要指標，其測量和應用對于材料科學和工程領域具有重要意義。
近年IGBT這個專業名詞非常的熱。電子、半導體、汽車、能源、電力、控制系統等行業，好像都涉及到了這個....
刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差，側壁容易產生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝....
摻銻和摻磷硅單晶是兩種不同的半導體材料，它們的物理特性受到摻雜劑類型的影響。
通過超導線環的電流基本上可以在沒有任何電源的情況下永遠流動，因為它永遠不會損失任何能量。現在，由于閉....
本文介紹了硅摻雜其他元素的目的、分凝現象、電阻率與摻雜濃度之間的關系、共摻雜技術等知識，解釋了單晶硅....
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