單相全橋逆變電路 單相全橋逆變電路也稱“H 橋”電路，其電路拓樸結構如圖1所示，由兩個半橋 圖1單相....
通過以上方程，現在可以根據測量值來計算所需的死區時間。使用計算出的死區時間，需要進行最壞情況下的測量....
各種拓撲對IGBT驅動器的要求各不相同，比如： 兩電平拓撲通常要求短路保護和過壓保護即可。常用的短路....
IGBT絕緣特性 電子元器件（半導體模塊）中，隔離帶電部分和底板的材料，被稱作絕緣材料。在大功率半導....
計算IGBT模塊死區時間 1 引言 在現代工業中，IGBT器件在電壓源逆變器中的使用越來越廣泛。為了....
采用模擬電路方式測量IGBT模塊NTC溫度傳感器溫度：這個基本的方法是基于一個分壓器作為熱敏裝置。
IGBT模塊在三相電機驅動逆變器中的典型應用案例如下圖，主要包含了整流、IGBT主電路、驅動保護、P....
IGBT模塊采用吸收電路時，典型的關斷電壓波形如下圖所示。從圖中可以看出，初始浪涌電壓△U1之后，隨....
在光伏逆變器等大功率應用場合，主電路(直流電容到IGBT模塊間)存在較大雜散電感(幾十到數百nH)。....
IGBT等功率電子器件在工作中，由于自身的功率損耗，將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發熱的原因主....
功率器件的正常運行在很大程度上依賴于散熱。常用的散熱方式有自冷、風冷、水冷和沸騰冷卻四種。
以IGBT模塊應用三相逆變電路為例。
IGBT模塊關斷截止時，I(t)≈0，損耗的功率可忽略。為了便于分析，將IGBT損耗分為導通損耗和開....
5月28日，青島佳恩半導體有限公司與西安電子科技大學戰略合作簽約儀式在青島隆重舉行，參加此次簽約儀式....
圖5-14所示是采用IGBT過流時UCE增大的原理構成的保護電路，該電路采用IGBT專用驅動器EXB....
IGBT并聯可以分為“硬并聯”及“橋臂并聯”2大類。
并聯IGBT的直流母線側連接點的電阻分量，因此需要盡量對稱；
IGBT驅動器在并聯的場合有2種配置方法（LS1，LS2為雜散參數）
圖1是半橋式逆變電路的原理圖，它是在全橋式逆變電路的基礎上用電容C1、C2代替了Q3、Q4兩個IGB....
由于IGBT模塊自身有一定的功耗，IGBT模塊本身會發熱。在一定外殼散熱條件下，功率器件存在一定的溫....
電化隔離：電荷無法由一個電路移動到另一個電路，雙方信號通過其他方式交換信息。
IGBT的過流保護電路可分為兩類：一類是低倍數(1.2-1.5倍)的過載保護；另一類是高倍數（可達8....
近日，市民營經濟發展局公示了青島市2023年度小微企業創新轉型項目的名單，我司成功入選，同時感謝大家....
所謂集中過電流保護，就是檢測逆變橋輸入直流母線上的電流，當該電流值超過設定的閾值時，封鎖所有橋臂IG....
由于門極-發射極連線電感LG、RG、還有Cies之間的關系，如果在門極驅動環路內發生震蕩，有可能因為....
IGBT模塊的運行溫度范圍是非常重要的參數。一些設備要求工作在室溫下，而另一些設備要求工作在很寬的溫....
IGBT元件的損耗總和分為：通態損耗與開關損耗。開關損耗分別為開通損耗(EON)和關斷損耗(EOFF....
額定門極驅動電壓：門極驅動電壓在±20V范圍內施加超過此范圍的電壓時，門極-發射極間的氧化膜（SiO....
變流器主電路在空間產生的磁場強度隨輸入、輸出母線中通過電流的強弱而變化，同時IGBT模塊產生的空間交....
IGBT最常見的形式其實是模塊（Module），而不是單管。
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