MOS晶體管I-V特性 本章定性和定量分析MOS的電流IDS與柵源電壓VGS、漏源電壓VDS間的IV特性關(guān)系。NMOS的剖面.... 開(kāi)關(guān)電源芯片設(shè)計(jì)指南 發(fā)表于 11-15 10:05 ?6524次閱讀 模擬IC無(wú)源器件特性 晶圓的層次結(jié)構(gòu)如下圖所示:硅基板P型襯底為摻雜硼原子的Si,N阱(n-well)為摻雜磷原子的Si;.... 開(kāi)關(guān)電源芯片設(shè)計(jì)指南 發(fā)表于 10-31 10:33 ?6574次閱讀