物體的導(dǎo)電性能常用電阻率來表示。所謂電阻率,就是某種物體單位長度及單位截面積的體積內(nèi)的電阻值。電阻率越小,越容易導(dǎo)電;反之,電阻率越大,越難導(dǎo)電。
導(dǎo)體、絕緣體的電阻率值隨溫度的影響而變化很小。但溫度變化時,半導(dǎo)體的電阻率變化卻很激烈;每升高1℃,它的電阻率下降達百分之幾到百分之幾十。不僅如此,當(dāng)溫度較高時,整體電阻甚至下降到很小,以致變成和導(dǎo)體一樣。
在金屬或絕緣體中,如果雜質(zhì)含量不超過干分之一,它的電阻率變化是微不足道的。但半導(dǎo)體中含有雜質(zhì)時對它的影響卻很大。以鍺為例,只要含雜質(zhì)一千萬分之一,電阻率就下降到原來的十六分之一。
鍺是典型的半導(dǎo)體元素,是制造晶體管的一種常用材料(注:當(dāng)前的半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)以硅Silicon材料為主)。現(xiàn)以鍺為例來說明如何會在半導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生電流、整流性能和放大性能
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我們知道,世界上的任何物質(zhì)都是由原了構(gòu)成的。原子中間都有一個原子核和者圍繞原子核不停地旋轉(zhuǎn)酌電子。不同元素的原子所包含的電子數(shù)目是不同的。蔗原子的原子核周圍有32個電子,圍繞著原子核運動。原子核帶有正電荷.電子帶有負(fù)電荷;正電荷的數(shù)量剛好和全部電子的負(fù)電荷數(shù)量相等,所以在平時鍺原子是中性的。
電子圍繞原子核運動,和地球圍繞太陽遠(yuǎn)行相似。在核的引力作用下,電子分成幾層按完全確定的軌道運行,而且各層所能容納的電子數(shù)日也有一定規(guī)律。如圖所示:在鍺原子核周圍的32個電子組成四層環(huán),圍繞原子核運動。從里往外數(shù),第一層環(huán)上有2個電子,其余依次為8、18、4個電子。凡是環(huán)上的電子數(shù)為2、8、18時.這些環(huán)上的電子總是比較穩(wěn)定的。若環(huán)上的電子數(shù)不等于以上各數(shù)時,這些環(huán)上的電子總是不太穩(wěn)定。
因此,鍺原子結(jié)構(gòu)中,第一、二、三層的電于是穩(wěn)定的,只有第四層(即最外一“層)的4個電于是不穩(wěn)定的。因最外一層的電子沒有填滿到規(guī)定的數(shù)目。我們把最外一層的電子叫做價電子。一般來說,最外層有幾個價電子,其原子價就為幾。鍺的最外層有4個價電子,所以鍺的原子價為4。
受外界作用,環(huán)上的電子可以克服原子核的吸引力而脫離原子,自由活動成為自由電子。這些自由電子在電場力的作用下,產(chǎn)生空間運動,就形成了電流。可以想像,由于最外層的價電子離核比較遠(yuǎn),所受引力最小,所以最容易受外界影響而形成自由電子。因此,從導(dǎo)電性能看,價電子是很重要的。我們所說的鍺元素就是依靠它最外層的4個價電子進行導(dǎo)電的。
鍺晶體內(nèi)的原子很整齊的排列著。各個原子間有相互排斥的力量,而每個原子除了吸引自己的價電子外,還吸引相鄰原子的價電子。因此,兩個相鄰原子的價電子便成對地存在。這一對電子同時受這兩個原子核的吸引,為它們所“共有”。這兩個相鄰原子也通過這個電子對被聯(lián)系在一起。這樣,電子對就好像起了鍵(聯(lián)結(jié))的作用,我們叫它共價鍵。每一個鍺原子以其4個價電子與其他4個鍺原子的價電子組成4個共價鍵而達到穩(wěn)定狀態(tài)。
在理想情況下,鍺晶體中所有的價電子都織成了電子對,因此沒有自由電子,這時鍺晶體是不易導(dǎo)電的。
但在外力作用下,如受溫度變化,其中可能會有一個價電子脫離鍵的束縛,掙脫共價鍵而跳出來,成為自由電子。這時共價鍵中出現(xiàn)了一個空位,我們把這個空位叫做空穴。由于原子本身正電荷和負(fù)電荷相等,故原子失去了電子后,整個原子就帶正電荷,稱為正離子。正離子容易吸引相鄰原子的價電子來填補,電子離開后所留下的空位,使相鄰原子中又出現(xiàn)空穴,而這個新出現(xiàn)的空穴,又可能為別的電子去填充。電子這樣不斷地填充空穴,就使空穴的位置不斷地在原子問轉(zhuǎn)移。空穴的轉(zhuǎn)移,實際上也是電子(電荷)的運動,所以也就形成電流,這叫做空穴流。而原來失去的屯子,在晶體中運動,形成了電子流。為了便于敘述,今后就認(rèn)為空穴在運動,而且把它當(dāng)作一個正電荷來看(實際上是空穴所在的原子呈現(xiàn)一個單位正電荷的電量)。由于空穴和電子都帶有電荷,它們的運動都形成電流,所以就統(tǒng)稱它們?yōu)檩d流子。
一塊不含有雜質(zhì)的、品格完整的半導(dǎo)體叫做本征半導(dǎo)體。因為它品格完整,如果有一個電子從共價鍵中釋放出來,必定留下一個空眾。所以本征半導(dǎo)體中電子和空眾總是成對地出現(xiàn),它們的數(shù)日相等,稱為電子一空穴對。在常溫下,由于熱運動的結(jié)果,在本征半導(dǎo)體中會產(chǎn)生一定數(shù)量的電子一空穴對,形成電子流和空穴流,總的電流是兩者之和。如沒有外界電場作用,電子和空穴的這種運動是雜亂無章的,電子流和空穴流方向也是不定的,結(jié)果互相抵消,沒有凈電流出現(xiàn)。但在電場作用下,這種半導(dǎo)體兩端就出現(xiàn)電壓,電子向正端方向運動,空穴向負(fù)端方向運動,形成了定向電流,半導(dǎo)體內(nèi)就產(chǎn)生電流了。本征半導(dǎo)體因電場作用而產(chǎn)生的導(dǎo)電現(xiàn)象就叫本征導(dǎo)電。
通常,我們很少見到本征半導(dǎo)體,大多遇到的都是P型半導(dǎo)體或N型半導(dǎo)體。
前面說過,半導(dǎo)體中加進了雜質(zhì),電阻率就大大降低。這是因為加進雜質(zhì)后,空穴和電子的數(shù)目會大大增加。例如,在鍺晶休中摻入很少一點三價元素銦,由于銦的價電子只有三個,滲入鍺晶體后,它的三個價電子分別和相鄰的三個鍺原子的價電子組成共價鍵,而對相鄰的第四個鍺原子,它沒有電于拿出來和這個鍺原子“共有”了,這就留下了一個空穴(見圖1一3(c))。因為摻入了少量的雜質(zhì)銦,就會出現(xiàn)很多空穴;這是因為即使是少量的,里面含有的原子數(shù)目卻不少。雜質(zhì)半導(dǎo)體中空穴和電子數(shù)目不相等,在電場作用下,空穴導(dǎo)電是主要的,所以叫空穴型半導(dǎo)體或者說是P型半導(dǎo)體。換句話說,P型或空穴型半導(dǎo)體內(nèi)是有剩余空穴的,摻入的雜質(zhì)提供了剩余空穴。在P型半導(dǎo)體中,空穴是多數(shù),所以稱空穴為多數(shù)載流子;電子數(shù)目少,就叫少數(shù)裁流子。滲入的雜質(zhì)能產(chǎn)生空穴接受電子,我們叫這種雜質(zhì)為受主雜質(zhì)。
如果把五價元素砷摻入鍺晶體中,砷原子中有5個價電于,它和四個鍺原子的價電子組成共價鍵后,留下一個剩余電子,這個剩余電子就在晶體中到處游蕩,在外電場作用下形成定向電子流。摻入少量的砷雜質(zhì)就會產(chǎn)生大量的剩余電子,所以稱這種半導(dǎo)體為電子型半導(dǎo)體或N型半導(dǎo)體。在這種半導(dǎo)體中有剩余電子,這時電子是多數(shù)載流子,而空穴是少數(shù)載流子。因為砷是施給剩余電子的雜質(zhì),所以叫做施主雜質(zhì)。
如果沒有外電場的作用,不論N型或P型半導(dǎo)體,它們的載流子運動是無規(guī)則的,因此,不會形成電流
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我們知道,P型半導(dǎo)體內(nèi)空穴是多數(shù)載流子,即空穴的濃度大;而N型半導(dǎo)體內(nèi)電子是多數(shù)載流予,電子的濃度大。二者接觸之后,由于在P型區(qū)和N型區(qū)內(nèi)電子濃度不同,N型區(qū)的電子多,就向P型區(qū)擴散,擴散的結(jié)果如圖1—4(b)所示。N型區(qū)薄層I中部分電子擴散到P型區(qū)去,薄層I便因失去電于而帶正電。另一方面,P型區(qū)的空穴多,也會向空穴濃度小的N型區(qū)擴散,結(jié)果一部分空穴從薄層I向P(型區(qū)擴散,使薄層Ⅱ帶負(fù)電。
電于和空穴的擴散是同時進行的,總的結(jié)果,P型區(qū)薄層Ⅱ流走了空災(zāi),流進了電子,所以帶負(fù)電,而N型區(qū)的薄層I流走了電子,流進了空穴,因而帶正電,而且隨著擴散現(xiàn)象的繼續(xù)進行,薄層逐漸變厚,所帶的電量也逐漸增加。不過,這種擴散現(xiàn)象不會無休止的進行下去;當(dāng)擴散進行到一定程度后,薄層Ⅱ帶了很多負(fù)電,從N型區(qū)向P型區(qū)擴散的電子總數(shù)因電子受到它的排斥不再繼續(xù)增加;同樣道理,從P型區(qū)向N型區(qū)擴散的空災(zāi)總數(shù)也不再增加。于是擴散似乎不再繼續(xù),而達到所謂“動態(tài)平衡狀態(tài)”。這時P—N結(jié)也就形成了。
所謂P—N結(jié),就是指薄層I和Ⅱ所構(gòu)成的帶電結(jié)構(gòu)。因為它能阻止電子和空穴的繼續(xù)擴散,所以也叫阻擋層。它們之間的電位差一般稱勢壘或位壘。
若反過來,把P型區(qū)接電池負(fù)極,而N型區(qū)接正極,這時我們會發(fā)現(xiàn):把電壓增高到幾十伏,電流的指示只有幾個或幾十個微安,此時P—N結(jié)的電阻很大,反向電流很快就達到飽和不再增加了。這說明電流只能沿著一個方向流過P—N結(jié),這個現(xiàn)象就叫做單向?qū)щ姟?/P>
單向?qū)щ姮F(xiàn)象可以這樣來解釋;因為在P型區(qū)接電池正極而N型區(qū)接負(fù)極時,外加電壓的方向剛好和P—N結(jié)勢壘電壓的方向相反,使薄層Ⅱ帶的負(fù)電量和薄層I帶的正電量減少,因此削弱了P—N結(jié)的勢壘,于是在正電壓的作用下,電子和空穴的擴散又可進行,N型區(qū)的電子不斷跑到P型區(qū),P型區(qū)的空穴也不斷跑到N型區(qū),正向電流也就產(chǎn)生了。而且,正向電壓加得越高,P—N結(jié)勢壘削弱得越厲害,擴散也就越容易進行,正向電流也就越大。
當(dāng)P—N結(jié)和電池反向連接時,外加電壓起著增強P—N結(jié)勢壘的作用,使薄層Ⅱ帶的負(fù)電荷和薄層I帶的正電荷增加,擴散更無法進行。這時只有P型區(qū)的少數(shù)教流子一電子和N型區(qū)的少數(shù)我流子一空穴,受外加電壓作用形成微弱的反向電流。而少數(shù)栽流子的數(shù)目不多,所以在反向電壓只有零點幾伏時,反向電流就達到飽和了。
P—N結(jié)還有一個十分重耍的特性,即所謂反向擊穿電壓。當(dāng)所加反向電壓大到一定數(shù)值時,P—N結(jié)電阻會突然變得很小,反向電流會驟然增大,而且是無限地增大。這種現(xiàn)象叫P—N結(jié)的反向擊穿。開始擊穿時的電壓數(shù)值叫反向擊穿電壓。它直接限制了P—N結(jié)用做整流和檢波時的工作電壓。
總之,一個簡單的P—N結(jié)具有單向?qū)щ姷奶匦裕雽?dǎo)體收音機正是利用這一特性來進行整流和檢波的。半導(dǎo)體二極管就是根據(jù)這一原理制成的。
- 基礎(chǔ)知識(26193)
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