MOS管緩啟動(dòng)電路

利用的都是MOS管的米勒平臺(tái)效應(yīng)，分為NMOS和PMOS兩種，一般的NMOS用在接地端，PMOS用在電源的正端，這是由與他們的開(kāi)啟電壓不同造成的，以NMOS為例，開(kāi)啟電壓要求Vgs>Vth， 當(dāng)NMOS的源極接地時(shí)，這個(gè)條件很好滿足，只需要一個(gè)較低的電壓就可以控制NMOS的開(kāi)啟和關(guān)閉，而如果將NMOS接到電源的正極部分，當(dāng)NMOS導(dǎo)通時(shí)，源極電壓可以近似看成是電源電壓，這時(shí)要想讓NMOS保持導(dǎo)通則必須在柵極施加一個(gè)比電源電壓還要高Vth的控制電壓，實(shí)際應(yīng)用中需要設(shè)計(jì)復(fù)雜的自舉電路，因此如果沒(méi)有特殊要求，電源的緩啟動(dòng)一般就是NMOS放在地端，PMOS放在源端，下面就介紹幾個(gè)實(shí)用的電路。

NMOS 緩啟動(dòng)電路

上圖中的控制端口可以接MCU的一個(gè)引腳，實(shí)現(xiàn)上下電控制，通過(guò)更改R3和C1的大小控制開(kāi)通的速度，仿真波形如下，開(kāi)啟時(shí)間完全可以通過(guò)軟件進(jìn)行仿真得到。

可以明顯的看到有一個(gè)平臺(tái)期。

下圖是按鍵版本的啟動(dòng)電路，

也可以將按鍵放到和R3串聯(lián)的位置，根據(jù)按鍵的特點(diǎn)和系統(tǒng)情況選擇，上圖中按鍵按下后電路關(guān)閉，可以通過(guò)設(shè)置R3,R5,C1的大小，調(diào)節(jié)開(kāi)啟和關(guān)閉的速度。

PMOS啟動(dòng)電路

上圖是典型的PMOS緩啟動(dòng)電路，三極管的控制端可以接MCU，進(jìn)行程控，通過(guò)調(diào)節(jié)R5,C2,R3,C1的大小調(diào)節(jié)開(kāi)啟和關(guān)閉的速度，下面是該電路的仿真，可以看到上升和下降時(shí)間基本相同。

下圖是按鍵方式的控制，

因?yàn)镻MOS是高電平關(guān)閉，所以當(dāng)按鍵關(guān)閉后電源導(dǎo)通。