GaAs FET 1.2ＧＨｚ前置放大器

GaAs FET 1.2ＧＨｚ前置放大器
使用於ＲＦ前置放大器的元件有很多種，但是就ＮＦ之觀點(diǎn)而言，要數(shù)砷化鎵ＧａＡｓ
ＦＥＴ最佳。
圖４－１為使用ＧａＡｓＦＥＴ的２ＳＫ５７１（日電）的低雜音前置放大器的電路，
功率增益為１０ｄＢ左右，ＮＦ在１ｄＢ以下，其價(jià)格大約在日幣數(shù)百元左右。由雙面玻璃
纖維（Glass Epoxy）基板洗成條狀線（Strip Line）而成，基板使用１.６㎜厚度者，基板的正
反面接上數(shù)個(gè)地方的焊錫錐。
條狀線要圖中所示之正確尺寸，零件要以銘鐵直接焊在基板上，分別有電阻器、線圈、
微調(diào)電容器，最後再焊上ＦＥＴ，接收信號(hào)調(diào)整ＴＣ１、ＴＣ２、ＴＣ３，調(diào)整使ＮＦ值達(dá)
最佳值即可。由於電路相當(dāng)簡(jiǎn)潔，所以最適於天線增波器之前置放大器，但是常因輸入過(guò)大
而破壞，這是要特別注意的。配合使用於收發(fā)報(bào)機(jī)時(shí)，發(fā)送接收的切換時(shí)序（Timing）要在
確實(shí)發(fā)送之後再接到前置放大器。

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前置(14203) 前置(14203)

評(píng)論

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