在電路二中，由于Q2和Q4的發(fā)射極高出基極一個0.7V，而基極最低為0V，實(shí)際由于CPU引腳內(nèi)部有MOSFET管壓降，所以Q2和Q4的發(fā)射極不會低于1V，這樣使M兩端的有效電壓范圍減小。

　　要解決這一問題，則Q2和Q4需換成NPN管。但NPN管的驅(qū)動如電路一所示，只靠CPU引腳的上拉是不行了，所以需要另加上拉電阻，如下圖所示。

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　　上圖中，與電路一不同的是兩只NPN管移到了下方，PNP在上方，這樣，Q1和Q3的集電極的電位最低可達(dá)到一個管壓降(0.3V)。這樣增加了M的壓降范圍。

　　但為了保證對NPN管的足夠的驅(qū)動，P1.3和P2.2必須加上拉電阻，如圖所示。圖中，R2、R5、R6都不可少。所以這種電路的元件用量比較大。

　　還有，R5應(yīng)該比R6大幾倍，比如10倍，這樣，當(dāng)Q1導(dǎo)通時，P1.3處的電壓可以分得較大，不致于使Q2導(dǎo)通。如果R5太小或?yàn)?，則當(dāng)Q1導(dǎo)通時，由于P1.3處的壓降只有0.7V左右，將使Q2也導(dǎo)通。

　　經(jīng)過試驗(yàn)，R2、R6、R3、R4可取510Ω，R5取5.1kΩ。這種值下各處的電壓如下(R1為20歐)：

　　U1：4.04　U2：2.99　U3：3.87　U4：4.00　U5：0.06　U7：0.79

　　電路四

　　這個電路由電路一改造而來，如下圖5，圖中標(biāo)有各點(diǎn)實(shí)測電壓值：

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　　此圖中基極的限流電阻都去掉了，因?yàn)樽髡咴O(shè)計(jì)的電路對元件要求要少。從電路上分析，不要沒什么關(guān)系，有R1起著總的限流作用，而且引腳內(nèi)部有上拉電阻，這樣保證電路不會通過太大的電流。

　　這個電路可以使電機(jī)運(yùn)行。

　　但在R2的選擇上，比較講究，因?yàn)镽2的上拉作用不但對Q1有影響，而且對Q2的導(dǎo)通也有影響。如果R2選的過小，則雖然對Q1的導(dǎo)通有利，但對Q2的導(dǎo)通卻起到抵制作用，因?yàn)镽2越小，上拉作用越強(qiáng)，Q2的導(dǎo)通是要P1.3電位越低越好，所以這是矛盾的。也就是說，Q1的導(dǎo)通條件和Q2的導(dǎo)通條件是矛盾的。

　　經(jīng)實(shí)驗(yàn)，R2取5.1k歐比較合適。由此可見，這個電路雖然很省元件和CPU引腳，但驅(qū)動能力有個最大限，即Q1和Q2的驅(qū)動相互制約下，只能取個二者都差不多的折中方案。否則如果一個放大倍數(shù)大，則另一個則會變小。

　　總結(jié)：以上電路各有利蔽，要視應(yīng)用場而選用。