在MOS管選擇方面，系統(tǒng)請(qǐng)求相關(guān)的幾個(gè)重要參數(shù)是：

1． 負(fù)載電流IL。它直接決議于MOSFET的輸出才能；

2． 輸入—輸出電壓。它受MOSFET負(fù)載占空比才能限制；

3． mos開(kāi)關(guān)頻率FS。這個(gè)參數(shù)影響MOSFET開(kāi)關(guān)霎時(shí)的耗散功率；

4． MOSFET最大允許工作溫度。這要滿足系統(tǒng)指定的牢靠性目的。

MOSFET設(shè)計(jì)選擇：

一旦系統(tǒng)的工作條件（負(fù)載電流，開(kāi)關(guān)頻率，輸出電壓等）被肯定，功率MOSFET在參數(shù)方面的選擇如下：

1 RDSON的值。最低的導(dǎo)通電阻，能夠減小損耗，并讓系統(tǒng)較好的工作。但是，較低電阻的MOSFET較高電阻器件。

2 散熱。假如空間足夠大，能夠起到外部散熱效果，就能夠以較低本錢(qián)取得與較低RDSON一樣的效果。也能夠運(yùn)用外表貼裝MOSFET到達(dá)同樣效果。

3 MOSFET組合。假如板上空間允許，有時(shí)分，能夠用兩個(gè)較高RDSON的器件并聯(lián)，以取得相同的工作溫度，并且本錢(qián)較低。

MOS管參數(shù)

（1）MOS管主要參數(shù)

飽和漏極電流IDSS它可定義為：當(dāng)柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時(shí)，對(duì)應(yīng)的漏極電流。

夾斷電壓UP它可定義為：當(dāng)UDS一定時(shí)，使ID減小到一個(gè)微小的電流時(shí)所需的UGS。

開(kāi)啟電壓UT它可定義為：當(dāng)UDS一定時(shí)，使ID到達(dá)某一個(gè)數(shù)值時(shí)所需的UGS。

（2）MOS管交流參數(shù)

交流參數(shù)可分為輸出電阻和低頻互導(dǎo)2個(gè)參數(shù)，輸出電阻一般在幾十千歐到幾百千歐之間，而低頻互導(dǎo)一般在十分之幾至幾毫西的范圍內(nèi)，特殊的可達(dá)100mS，甚至更高。

低頻跨導(dǎo)gm它是描述柵、源電壓對(duì)漏極電流的控制作用。

極間電容MSO管三個(gè)電極之間的電容，它的值越小表示管子的性能越好。

（3）MOS管極限參數(shù)

①最大漏極電流是指管子正常工作時(shí)漏極電流允許的上限值，

②最大耗散功率是指在管子中的功率，受到管子最高工作溫度的限制，

③最大漏源電壓是指發(fā)生在雪崩擊穿、漏極電流開(kāi)始急劇上升時(shí)的電壓，

④最大柵源電壓是指柵源間反向電流開(kāi)始急劇增加時(shí)的電壓值。

除以上參數(shù)外，還有極間電容、高頻參數(shù)等其他參數(shù)。

漏、源擊穿電壓當(dāng)漏極電流急劇上升時(shí)，產(chǎn)生雪崩擊穿時(shí)的UDS。

柵極擊穿電壓結(jié)型MOS管正常工作時(shí)，柵、源極之間的PN結(jié)處于反向偏置狀態(tài)，若電流過(guò)高，則產(chǎn)生擊穿現(xiàn)象。

（4）使用時(shí)主要關(guān)注的MOS管參數(shù)

1、IDSS—飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵MOS管中，柵極電壓UGS=0時(shí)的漏源電流。

2、UP—夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵MOS管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。

3、UT—開(kāi)啟電壓。是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。

4、gM—跨導(dǎo)。是表示柵源電壓UGS—對(duì)漏極電流ID的控制能力，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM是衡量MOS管放大能力的重要參數(shù)。

5、BUDS—漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時(shí)，MOS管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在MOS管上的工作電壓必須小于BUDS。

6、PDSM—最大耗散功率。也是一項(xiàng)極限參數(shù)，是指MOS管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。使用時(shí)，MOS管實(shí)際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量。

7、IDSM—最大漏源電流。是一項(xiàng)極限參數(shù)，是指MOS管正常工作時(shí)，漏源間所允許通過(guò)的最大電流。MOS管的工作電流不應(yīng)超過(guò)IDSM。

MOS管參數(shù)含義說(shuō)明

1、極限參數(shù)：

ID：最大漏源電流。是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許通過(guò)的最大電流。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過(guò) ID 。此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額

IDM：最大脈沖漏源電流。此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額

PD：最大耗散功率。是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。使用時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于 PDSM 并留有一定余量。此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升有所減額

VGS：最大柵源電壓

Tj：最大工作結(jié)溫。通常為 150 ℃ 或 175 ℃ ，器件設(shè)計(jì)的工作條件下須確應(yīng)避免超過(guò)這個(gè)溫度，并留有一定裕量

TSTG：存儲(chǔ)溫度范圍

2、靜態(tài)參數(shù)

V（BR）DSS：漏源擊穿電壓。是指柵源電壓VGS 為 0 時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于 V（BR）DSS 。 它具有正溫度特性。故應(yīng)以此參數(shù)在低溫條件下的值作為安全考慮。△ V（BR）DSS/ △ Tj ：漏源擊穿電壓的溫度系數(shù)，一般為 0.1V/ ℃

RDS（on）：在特定的 VGS （一般為 10V）、結(jié)溫及漏極電流的條件下， MOSFET 導(dǎo)通時(shí)漏源間的最大阻抗。它是一個(gè)非常重要的參數(shù)，決定了 MOSFET 導(dǎo)通時(shí)的消耗功率。此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所增大。 故應(yīng)以此參數(shù)在最高工作結(jié)溫條件下的值作為損耗及壓降計(jì)算

VGS（th）：開(kāi)啟電壓（閥值電壓）。當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓 VGS 超過(guò) VGS（th） 時(shí)，漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道。應(yīng)用中，常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時(shí)的柵極電壓稱為開(kāi)啟電壓。此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所降低

IDSS：飽和漏源電流，柵極電壓 VGS=0 、 VDS 為一定值時(shí)的漏源電流。一般在微安級(jí)

IGSS：柵源驅(qū)動(dòng)電流或反向電流。由于MOSFET輸入阻抗很大，IGSS 一般在納安級(jí)

3、動(dòng)態(tài)參數(shù)

gfs ：跨導(dǎo)。是指漏極輸出電流的變化量與柵源電壓變化量之比，是柵源電壓對(duì)漏極電流控制能力大小的量度。 gfs 與 VGS 的轉(zhuǎn)移關(guān)系注意看圖表

Qg ：柵極總充電電量。 MOSFET 是電壓型驅(qū)動(dòng)器件，驅(qū)動(dòng)的過(guò)程就是柵極電壓的建立過(guò)程，這是通過(guò)對(duì)柵源及柵漏之間的電容充電來(lái)實(shí)現(xiàn)的，下面將有此方面的詳細(xì)論述

Qgs ：柵源充電電量

Qgd ：柵漏充電（考慮到 Miller 效應(yīng)）電量

Td（on） ：導(dǎo)通延遲時(shí)間。從有輸入電壓上升到 10% 開(kāi)始到 VDS 下降到其幅值 90% 的時(shí)間

Tr ：上升時(shí)間，輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時(shí)間

Td（off） ：關(guān)斷延遲時(shí)間，輸入電壓下降到 90% 開(kāi)始到 VDS 上升到其關(guān)斷電壓時(shí) 10% 的時(shí)間

Tf ：下降時(shí)間，輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時(shí)間

Ciss ：輸入電容， Ciss= CGD + CGS （ CDS 短路）

Coss ：輸出電容，Coss = CDS +CGD

Crss ：反向傳輸電容，Crss = CGD

MOS管的極間電容，MOSFET 之感生電容被大多數(shù)制造廠商分成輸入電容，輸出電容以及反饋電容。所引述的值是在漏源電壓為某固定值的情況下。此些電容隨漏源電壓的變化而變化，電容數(shù)值的作用是有限的。輸入電容值只給出一個(gè)大概的驅(qū)動(dòng)電路所需的充電說(shuō)明，而柵極充電信息更為有用。它表明為達(dá)到一個(gè)特定的柵源電壓柵極所必須充的電量。

4、雪崩擊穿特性參數(shù)

這些參數(shù)是 MOSFET 在關(guān)斷狀態(tài)能承受過(guò)壓能力的指標(biāo)。如果電壓超過(guò)漏源極限電壓將導(dǎo)致器件處在雪崩狀態(tài)

EAS：?jiǎn)未蚊}沖雪崩擊穿能量。這是個(gè)極限參數(shù)，說(shuō)明 MOSFET 所能承受的最大雪崩擊穿能量

IAR：雪崩電流

EAR：重復(fù)雪崩擊穿能量

5、體內(nèi)二極管參數(shù)

IS：連續(xù)最大續(xù)流電流（從源極）

ISM：脈沖最大續(xù)流電流（從源極）

VSD：正向?qū)▔航?/p>

Trr：反向恢復(fù)時(shí)間

Qrr：反向恢復(fù)充電電量

Ton：正向?qū)〞r(shí)間。（基本可以忽略不計(jì)）