IGD系列IGBT驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部框電路
IGD系列IGBT驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部框電路
- IGBT(240044)
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2023-02-22 15:16:4411
igbt的驅(qū)動(dòng)電路
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2008-10-21 09:38:53
伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IGBT怎么選擇?
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2023-02-19 10:57:06922
IGBT對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求
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2023-02-16 15:07:431149
igbt驅(qū)動(dòng)電路圖
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MOSFET及
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的引腳排列內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、主要技術(shù)參數(shù)和應(yīng)用
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子變流系統(tǒng)專用驅(qū)動(dòng)控制板的應(yīng)用實(shí)例而且對(duì)這些具
2022-08-13 09:21:3932
汽車級(jí)IGBT/SiC模塊驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品簡(jiǎn)介
)模塊驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品——適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列柵極驅(qū)動(dòng)板。
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PI推出汽車級(jí)IGBT/SiC模塊驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品系列SCALE EV
,其應(yīng)用范圍包括電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力和燃料電池汽車(包括巴士和卡車)以及建筑、采礦和農(nóng)用設(shè)備的大功率汽車和牽引逆變器。 SCALE EV板級(jí)門極驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部集成了兩個(gè)增強(qiáng)型門極驅(qū)動(dòng)通道、相關(guān)供電電源和監(jiān)控遙測(cè)電路。新驅(qū)動(dòng)板已通過(guò)汽車級(jí)認(rèn)證和ASIL B認(rèn)證,可實(shí)現(xiàn)ASIL C牽引逆變器設(shè)計(jì)。第一個(gè)發(fā)布的
2022-05-10 19:30:483774
意法半導(dǎo)體雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化并簡(jiǎn)化SiC和IGBT開(kāi)關(guān)電路
意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間,簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
2022-02-15 14:23:261002
基于IGBT / MOSFET 的柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)方案
本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分;驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:002861
淺談MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器理論及其應(yīng)用
本應(yīng)用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器理論及其應(yīng)用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術(shù),驅(qū)動(dòng)器的類型,隔離技術(shù)以及MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器的IXYS系列以及一些實(shí)際考慮因素
2021-05-26 17:04:022706
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器揭秘
摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)于IGBT,它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820
第7代IGBT電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的新基準(zhǔn)資料說(shuō)明
第7代IGBT代表了最新的IGBT芯片技術(shù)。新一代產(chǎn)品專為滿足電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的要求而設(shè)計(jì)。該IGBT具有明顯降低的正向電壓降,并提供優(yōu)化的開(kāi)關(guān)性能。由于芯片體積縮小了約25%,現(xiàn)有功率模塊封裝能夠
2020-12-04 08:00:004
IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的分類與發(fā)展趨勢(shì)及保護(hù)電路的分析與研究
介紹了IGBT門極驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的分類,分析了IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的發(fā)展趨勢(shì),對(duì)常用IGBT驅(qū)動(dòng)器如光耦隔離型、變壓器隔離型等典型電路進(jìn)行了分析,并將市場(chǎng)上常用廠家生產(chǎn)的IGBT驅(qū)動(dòng)器工作參數(shù)和性能
2019-12-26 14:33:0552
三款大功率IGBT驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用
Infineon公司是出界上著名的半導(dǎo)體生產(chǎn)商,其生產(chǎn)的“EUPEC”IGHT在世界范圍內(nèi)占有很大部分份額。其配套生產(chǎn)的EiceDriver系列IGBT驅(qū)動(dòng)器也在工業(yè)領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。對(duì)于大功率IGBT
2019-10-07 14:40:0017374
安森美半導(dǎo)體推出IGBT門極驅(qū)動(dòng)器 提供同類最佳的電流性能和保護(hù)特性
展示針對(duì)強(qiáng)固電源應(yīng)用的混合IGBT和廣泛的IGBT驅(qū)動(dòng)器, 提供同類最佳的電流性能和保護(hù)特性 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),將于5月7
2019-05-14 11:44:534254
現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制
通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開(kāi)關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394631
MOSFET、IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路及應(yīng)用PDF電子教材免費(fèi)下載
MOSFET及IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的引腳排列、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、主要技術(shù)參數(shù)和應(yīng)用技術(shù)。書(shū)中不但給出多種以這些驅(qū)動(dòng)器集成電路為核心單元的典型電力電。子變流系統(tǒng)專用驅(qū)動(dòng)控制板的應(yīng)用實(shí)例,而且對(duì)這些具體實(shí)例的電路工作原理、正常工作波形、技術(shù)參數(shù)和應(yīng)用技術(shù)進(jìn)
2019-01-08 16:21:03403
MOSFETIGBT的工作原理是什么?《MOSFET、IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路及應(yīng)用》免費(fèi)下載
MOSFET及IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的引腳排列、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、主要技術(shù)參數(shù)和應(yīng)用技術(shù)。書(shū)中不但給出多種以這些驅(qū)動(dòng)器集成電路為核心單元的典型電力電子變流系統(tǒng)專用驅(qū)動(dòng)控制板的應(yīng)用實(shí)例,而且對(duì)這些具體實(shí)例的電路工作原理、正常工作波形、技術(shù)參數(shù)和應(yīng)用技術(shù)進(jìn)行
2018-09-05 08:00:00163
用于三相逆變器系統(tǒng)的隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估平臺(tái)參考設(shè)計(jì)
本參考設(shè)計(jì)采用一個(gè) 22kW 功率級(jí)以及 TI 全新的增強(qiáng)型隔離式 (IGBT) 柵極驅(qū)動(dòng)器 ISO5852S,適用于交流驅(qū)動(dòng)器等各類 三相逆變器。
2018-05-08 17:03:2524
各種IGBT驅(qū)動(dòng)電路和IGBT保護(hù)方法解析
【導(dǎo)讀】保證 IGBT 的可靠工作,驅(qū)動(dòng)電路起著至關(guān)重要的作用,本文討論IGBT驅(qū)動(dòng)電路和IGBT的保護(hù),包括驅(qū)動(dòng)電路 EXB841 /840、 M57959L /M57962L厚膜驅(qū)動(dòng)電路
2017-12-11 10:05:09128
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)條件和柵極電阻Rg的作用
igbt驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)igbt并對(duì)其整體性能進(jìn)行調(diào)控的裝置,它不僅影響了igbt 的動(dòng)態(tài)性能,同時(shí)也影響系統(tǒng)的成本和可靠性。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致 igbt 和驅(qū)動(dòng)器損壞。
2017-11-23 08:38:1742175
使用MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器的IGBT驅(qū)動(dòng)器
的柵極驅(qū)動(dòng)要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比,IGBT在驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開(kāi)關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用,因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動(dòng)器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522
IGBT驅(qū)動(dòng)電路原理與設(shè)計(jì)技巧詳解
本文著重介紹三個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路的作用是將單片機(jī)輸出的脈沖進(jìn)行功率放大,以驅(qū)動(dòng)IGBT,保證IGBT的可靠工作,驅(qū)動(dòng)電路起著至關(guān)重要的作用
2017-06-05 15:12:5451144
IGBT驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用設(shè)計(jì)詳解
隔離驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品大部分是使用光電耦合器來(lái)隔離輸入的驅(qū)動(dòng)信號(hào)和被驅(qū)動(dòng)的絕緣柵,采用厚膜或PCB工藝支撐,部分阻容元件由引腳接入。這種產(chǎn)品主要用于IGBT的驅(qū)動(dòng),因IGBT具有電流拖尾效應(yīng),所以光耦驅(qū)動(dòng)器無(wú)一例外都是負(fù)壓關(guān)斷。
2017-06-05 14:34:559310
IGBT驅(qū)動(dòng)電路作用與設(shè)計(jì)詳解,如何選擇IGBT驅(qū)動(dòng)器
IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作,同時(shí)對(duì)IGBT模塊進(jìn)行保護(hù)。IGBT 驅(qū)動(dòng)電路的作用對(duì)整個(gè)IGBT構(gòu)成的系統(tǒng)來(lái)說(shuō)至關(guān)重要
2017-06-05 14:21:1226658
數(shù)字型IGBT驅(qū)動(dòng)器方案
隨著電力電子器件技術(shù)的發(fā)展,大功率器件在軌道交通、直流輸電、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域的市場(chǎng)迅猛發(fā)展,其中以IGBT器件表現(xiàn)尤為突出,在具體的應(yīng)用工況中,每一個(gè)IGBT模塊都需要一個(gè)專門的驅(qū)動(dòng)器,IGBT驅(qū)動(dòng)器對(duì)IGBT的運(yùn)行性能有著重大影響
2016-08-12 15:49:211584
UCC2752x系列5-A高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
UCC2752x 系列產(chǎn)品是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,此器件能夠高效地驅(qū)動(dòng)MOSFET 和絕緣柵極型功率管(IGBT) 電源開(kāi)關(guān)。
2016-07-22 15:38:237
德州儀器(TI)推出面向IGBT與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。
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內(nèi)置隔離電源的混合集成IGBT驅(qū)動(dòng)器
本文詳細(xì)介紹了一種自帶隔離電源的igbt集成混合型驅(qū)動(dòng)器qp12w05s-37的原理與性能,并給出了應(yīng)用要點(diǎn)。
2012-02-12 12:13:182757
高速保護(hù)驅(qū)動(dòng)器/線路驅(qū)動(dòng)器電路
電子發(fā)燒友網(wǎng)為大家提供了高速保護(hù)驅(qū)動(dòng)器/線路驅(qū)動(dòng)器電路,本站還有其他相關(guān)資源,希望對(duì)您有所幫助!
2011-11-03 18:00:131329
IGBT驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)能力計(jì)算方法
大功率IGBT 在使用中驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要,本文給出了不同功率等級(jí)IGBT 驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)計(jì)算方法,經(jīng)驗(yàn)公式及有關(guān)CONCEPT 驅(qū)動(dòng)板的選型標(biāo)準(zhǔn)。
2011-09-20 11:55:03244
SKHI系列驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)電路
SKHI系列驅(qū)動(dòng)器將RG分成RG(on)和RG(off),如圖所示.這兩個(gè)參數(shù)可以分別控制,并可根據(jù)IGBT容量的不同,分別調(diào)整RG(on)和RG(off),獲得最佳驅(qū)動(dòng)效果.
2011-01-29 19:21:19906
QA03 IGBT驅(qū)動(dòng)器專用DC-DC模塊電源
QA03是專為需要兩組隔離電源的IGBT驅(qū)動(dòng)器而設(shè)計(jì)的DC-DC模塊電源。其內(nèi)部采用了兩路獨(dú)立輸出后共接模式,可以更好的為IGBT的開(kāi)通與關(guān)斷提供能量。同時(shí)具有輸出短路保護(hù)及自恢復(fù)
2010-11-11 21:40:0057
QA02 IGBT驅(qū)動(dòng)器專用DC-DC模塊電源
QA02是專為需要兩組隔離電源的IGBT驅(qū)動(dòng)器而設(shè)計(jì)的DC-DC模塊電源。其內(nèi)部采用了兩路獨(dú)立輸出后共接模式,可以更好的為IGBT的開(kāi)通與關(guān)斷提供能量。同時(shí)具有輸出短路保護(hù)及自恢復(fù)
2010-11-11 21:38:0854
IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)器VO3120
lVO3120 IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)器:這些2.5A和0.5A的驅(qū)動(dòng)器的供電電壓范圍為15V~32V,工作溫度范圍為+40℃~+110℃。
2010-07-02 17:18:43115
單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路IR2117
摘要:IR2117是美國(guó)IR公司專為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MoSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能特點(diǎn)和參數(shù)限制,同時(shí)剖析了它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理,最后給出了
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隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,特別是IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor,絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET (Metallic oxide sem
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IR2117 單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路
單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路IR2117
IR2117是美國(guó)IR公司專為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:005717
IGBT驅(qū)動(dòng)電路性能分析
闡述了對(duì)IGBT 驅(qū)動(dòng)器的基本要求,介紹了IGBT 驅(qū)動(dòng)器的各種電路形式及特點(diǎn),指出了使用時(shí)應(yīng)注意的問(wèn)題。
2009-11-25 14:00:4570
IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)與測(cè)試
本文在分析IGBT的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性和過(guò)流狀態(tài)下的電氣特性的基礎(chǔ)上,通過(guò)對(duì)常規(guī)的IGBT推挽驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行改進(jìn),得到了具有良好過(guò)流保護(hù)特性的IGBT驅(qū)動(dòng)電路。該電路簡(jiǎn)單,可靠,易用
2009-10-15 11:12:3975
IGBT的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路
由綜合放大電路板(ZHFD)產(chǎn)生的輸出信號(hào)被送入SG3526,產(chǎn)生PWM脈沖,此信號(hào)與反饋信號(hào)進(jìn)行邏輯運(yùn)算后送入HL403B厚膜驅(qū)動(dòng)器,當(dāng)IGBT產(chǎn)生過(guò)流、短路故障時(shí),借助于IGBT內(nèi)部的短路、
2009-07-27 08:35:081851
IGBT的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路研究
IGBT的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路研究:對(duì)電力電子功率器件IGBT的開(kāi)關(guān)特性、驅(qū)動(dòng)波形、功率、布線、隔離等方面的要求和保護(hù)方法進(jìn)行了分析和討論,介紹了IGBT的幾種基本驅(qū)動(dòng)電路和一種典
2009-05-31 12:33:1562
評(píng)論
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