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在瞬態事件發生前，C1 和 C2 上的直流電壓電平直接影響瞬態電流路徑。在 ESD 或 EFT 模擬中，BS 終端與鐵氧體磁珠一起在 ESD/EFT 抑制中發揮作用。此外，BS 終端還可用于 EMC 目的。這些電容器清楚地定義了 ESD 或 EFT 沖擊時的最初路徑。
圖 5、本圖闡明了鐵氧體磁珠和鉗位二極管將正極ESD/EFT事件從 TPS2384 芯片的 N 終端轉移到底座接地的電流路徑。
模擬可以提供在不同瞬態事件中可能的電壓大小的指示功能。線路對大地接地電容器上的最大可能電壓是 1kV，這表明選擇額定值為 2kV 的電容器是安全的。模擬還表明，應用 8-kV ESD 時，若同時存在 150-pF/330-HHM，則 BS 終端上 1-nF 電容器的電壓將小于 100V。對于Class 2 事件來說，在浪涌測試中，施加到該電容器的最高電壓是 1kV。同理，對于 10-nF 的電容器來說，200-V 的額定值也是安全的。不過，因為沒有定義一個 ESD 線纜放電模型，因此還沒有進行過此類模擬。對于四端口的 PSE 來說，圖 6 顯示了一款推薦使用的電路板布局，其符合先前所述的所有設計指南。
圖 6、PSE PCB 板的設計遵循了提高電子系統穩健性的布局指南，以提高 ESD/EFT 事件保護能力。
很明顯，D2、D4、D3、D1、C1、C2以及電源輸入和 RJ-45 連接器必須靠得非常近，以使瞬態電流回路所占空間以及其生成的阻抗盡可能的小。在多端口應用中，推薦對每一組的兩個或四個端口使用與 C1 一樣的去耦電容器，并使每個電容的放置都靠近其相關組。為抑制器器件提供足夠的銅箔面積以促進散熱也是非常重要的。另外一個注意事項是以太網接口電路通常要求數據線路驅動電路要有數據線路保護器。不過，本文的重點是闡述用于 PoE 電路的保護技術。
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工商網監
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