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FET導(dǎo)通電阻Ron的修正電路圖
FET導(dǎo)通電阻Ron的修正電路圖
- 電路圖(495405)
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2023-09-02 10:25:43
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408ROHM開發(fā)具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06138
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ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
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2023-05-03 11:31:44251
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晶體管溫控電路圖
晶體管溫控電路圖如圖是晶體管組成的繼電器延時(shí)吸合電路。剛接通電源時(shí)，16μF電容上電壓為零，兩個(gè)三極管都截止，繼電器不動(dòng)作。隨著16μF電容的充電，過一段時(shí)間后，其上電壓達(dá)到高電平，兩個(gè)三極管都導(dǎo)通，繼電器延時(shí)吸合。延時(shí)時(shí)間可達(dá)60s。延時(shí)的時(shí)間長(zhǎng)短可通過10MΩ電阻來調(diào)節(jié)。
2008-11-07 20:36:15
SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度變化
比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢(shì)，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗更高，整體效率低下。
2023-02-21 09:24:56371
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ULN2803L低導(dǎo)通電阻NMOS驅(qū)動(dòng)電路中文手冊(cè)
ULN2803L是為低電壓下工作的系統(tǒng)而設(shè) 計(jì)的八通道低導(dǎo)通電阻NMOS驅(qū)動(dòng)電路。
特性 ? 0.5A 輸出電流（單路輸出） ? 工作電壓范圍 2.0-7.0V ? CPC20和SOP18封裝
2022-12-19 14:14:02
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5在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢(shì)，但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC FET相比，它的潛在損耗較高，整體效率低。
2022-11-14 09:05:17485
485降低高壓MOSFET導(dǎo)通電阻的原理與方法
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2022-03-17 09:35:332689
2689導(dǎo)通電阻值多少為標(biāo)準(zhǔn)
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2022-01-29 15:49:0014865
14865LTC4234LTC4365演示電路-大電流、低導(dǎo)通電阻、12V熱插拔，保證SOA
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2021-06-03 13:15:149
9ROHM開發(fā)出業(yè)界先進(jìn)的第4代低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET
對(duì)于功率半導(dǎo)體來說，當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時(shí)短路耐受時(shí)間※2就會(huì)縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時(shí)，如何兼顧短路耐受時(shí)間一直是一個(gè)挑戰(zhàn)。
2020-06-22 15:54:12665
665低導(dǎo)通電阻集成電源開關(guān)
不同于市場(chǎng)上其他芯片尺寸封裝（WLCSP）而成的負(fù)載開關(guān)產(chǎn)品，Silego推出的三款功能豐富的低導(dǎo)通電阻集成電源開關(guān)，集合了頂級(jí)FETIP與系統(tǒng)級(jí)保護(hù)功能。
2017-09-19 17:34:597
7瑞薩電子推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品
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877IR推出具有基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻的全新300V功率MOSFET
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為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級(jí)結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時(shí),由于p
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