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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>UnitedSiC發(fā)布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ

UnitedSiC發(fā)布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ

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2023-05-12 12:44:42

UF3C120150K4S 柵極驅(qū)動 SiC 器件

UF3C120150K4S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3C120150K4S 1200 V、150 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能 F3 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化
2023-05-12 12:52:17

UF3C120400K3S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

UF3C120400K3S 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3C120400K3S 1200 V、410 mohm SiC FET 器件基于獨特的共源共柵電路配置,其中常開 SiC JFET
2023-05-12 14:11:46

UF3C170400K3S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

UF3C170400K3S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3C170400K3S 1700 V、410 mohm SiC FET 器件基于獨特的級聯(lián)電路配置,其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 14:20:38

UF3SC065007K4S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

UF3SC065007K4S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3SC065007K4S 650 V、6.7 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨特的級聯(lián)電路配置,其中常開 SiC JFET
2023-05-12 14:29:40

UF3SC065030B7S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

UF3SC065030B7S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3SC065030B7S 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨特的級聯(lián)電路配置,其中常開 SiC JFET
2023-05-12 14:35:49

UF3SC065040B7S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

UF3SC065040B7S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3SC065040B7S 650 V、42 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨特的級聯(lián)電路配置,其中常開 SiC JFET
2023-05-12 14:41:53

UF3SC120009K4S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

UF3SC120009K4S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3SC120009K4S 1200 V、8.6 mohm SiC FET 器件基于獨特的級聯(lián)電路配置,其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 14:47:58

UF3SC120016K3S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

UF3SC120016K3S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3SC120016K3S 1200 V、16 mohm SiC FET 器件基于獨特的級聯(lián)電路配置,其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 14:53:49

UF3SC120016K4S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

UF3SC120016K4S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3SC120016K4S 1200 V、16 mohm SiC FET 器件基于獨特的級聯(lián)電路配置,其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 14:59:16

UF3SC120040B7S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

UF3SC120040B7S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3SC120040B7S 是一 1200 V、35 mohm RDS(on) SiC FET 器件,基于獨特的級聯(lián)電路配置,其中常開 SiC
2023-05-12 15:05:36

UF4C120053K3S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

UF4C120053K3S 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF4C120053K3S 是一 1200 V、53 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路
2023-05-12 15:16:27

UF4C120053K4S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

UF4C120053K4S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF4C120053K4S 是一 1200 V、53 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置,其中
2023-05-12 15:22:37

UF4C120070K3S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

UF4C120070K3S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF4C120070K3S 是一 1200 V、72 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置,其中
2023-05-12 15:29:06

UF4C120070K4S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

UF4C120070K4S 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF4C120070K4S 是一 1200 V、72 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路
2023-05-12 15:34:44

UF4SC120023K4S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

UF4SC120023K4S 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF4SC120023K4S 是一 1200 V、23 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵
2023-05-12 15:40:44

UF4SC120030K4S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

UF4SC120030K4S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF4SC120030K4S 是一 1200 V、30 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置,其中
2023-05-12 15:46:12

UJ3C065030B3 柵極驅(qū)動 SiC 器件

UJ3C065030B3產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UJ3C065030B3 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3SiC JFET 與 FET 優(yōu)化
2023-05-12 15:54:18

UJ3C065030T3S 柵極驅(qū)動 SiC 器件

UJ3C065030T3S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UJ3C065030T3S 是一 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 產(chǎn)品,將其高性能第 3SiC JFET
2023-05-12 16:02:53

Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FET

Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETUnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC是一高性能系列產(chǎn)品,提供業(yè)界最佳
2024-02-26 19:40:31

D2-PAK封裝中的UF3C SiC FET

UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封裝中的UF3C SiC FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC / Qorvo UF3C SiC FET
2024-02-26 19:57:09

UF3N170400B7S

UnitedSiC / Qorvo UF3N170400B7S 1700V-400mW SiC常開JFETUnitedSiC/Qorvo UF3N170400B7S 1700V-400mW SiC
2024-02-26 23:19:55

UnitedSiCUF3C FAST FET系列中新增Kelvin連接器件

碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布擴展UF3C FAST產(chǎn)品系列,并推出采用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense封裝的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅
2019-01-01 10:33:003613

UnitedSiC在650V產(chǎn)品系列中新增7個SiC FET

碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布,已經(jīng)為UJ3C(通用型)和UF3C(硬開關(guān)型)系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。
2019-05-08 09:04:021767

UnitedSiCFET-Jet計算器讓SiC FET選擇過程不再充滿猜測

為電源設(shè)計選擇初始半導(dǎo)體開關(guān)可能是一件繁雜的工作。UnitedSiC的新FET-Jet CalculatorTM可以簡化這項工作并準(zhǔn)確預(yù)測系統(tǒng)性能。
2021-03-19 09:42:401891

UnitedSiC SiC FET用戶手冊

UnitedSiC SiC FET用戶手冊
2021-09-07 18:00:1317

UnitedSiC推出具有顯著優(yōu)勢的第四代SiC FET

2020年 750V第四代SiC FET 誕生時,它與650V第三代器件的比較結(jié)果令人吃驚,以 6毫歐 器件為例,品質(zhì)因數(shù)RDS?A降了近一半,由于體二極管反向恢復(fù)能量,動態(tài)損耗也降了近一半。關(guān)閉
2022-05-23 17:31:29947

UnitedSiC 750V第4代SiC FET的性能解析

UnitedSiC(現(xiàn)為Qorvo)擴展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面貼裝封裝
2022-08-01 12:14:081068

碳化硅 (SiC) FET 推動電力電子技術(shù)發(fā)展

斷路器和限流應(yīng)用。例如,如果您用 1 mA 電流偏置 JFET 的柵極,并監(jiān)控柵極電壓 Vgs,請參見圖 1,您可以跟蹤器件的溫度,因為 Vgs 隨溫度線性下降。此屬性對于需要功率 FET (SiC
2022-08-05 10:31:17716

貿(mào)澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

表面貼裝封裝的UnitedSiC(現(xiàn)已被?Qorvo?收購)UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應(yīng)晶體管 (SiC FET),借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關(guān)損耗
2022-09-23 16:44:35576

UnitedSiC FET-Jet計算器成為更好的器件選擇工具

UnitedSiC FET-Jet計算器讓為功率設(shè)計選擇SiC FETSiC肖特基二極管變得輕而易舉。設(shè)計工程師只需:
2022-10-11 09:03:28556

貿(mào)澤電子開售UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo收購)750V UJ4C/SC SiC FET,采用D2PAK-7L封裝。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅場效應(yīng)晶體管(SiC FET),借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關(guān)損耗、在更高速度下提升效率,同時提高系統(tǒng)功率密度。
2022-10-27 16:33:29739

SiC FET器件的特征

寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用,包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征,并將它與其他方法進(jìn)行了對比。
2022-10-31 09:03:23666

利用高效的UnitedSiC共源共柵SiC FET技術(shù)實現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效

CleanWave200采用UnitedSiC共源共柵FET,能夠在100kHz的頻率下實現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效,且每個開關(guān)位置并聯(lián)三個器件。
2022-12-12 09:25:09446

充分挖掘 SiC FET 的性能

Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布,該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體制造商,它的加入促使 Qorvo
2023-02-08 11:20:01403

SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度變化

比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)手冊可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢,但與UnitedSiC FET相比,這表明潛在的損耗更高,整體效率低下。
2023-02-21 09:24:56592

UnitedSiC FET-Jet 計算器,讓 SiC FET 的選擇過程不再全憑猜測

仿真器可以提供許多信息,但無法告知哪些功率晶體管可以優(yōu)化您的設(shè)計,也無法確定晶體管在特定應(yīng)力水平下是否會損壞。這就是在線 FET-Jet 計算器的優(yōu)勢所在。閱讀本博客,了解該軟件如何簡化器件選擇以及
2023-05-17 12:05:02259

UnitedSiC 推出第 2 版 FET-Jet 計算器,性能邁向新高度

本博文,深入了解這款靈活便捷的工具,幫助您選擇器件并查看其性能,快速準(zhǔn)確地一次敲定設(shè)計。 這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布,該公司于 2021
2023-05-19 13:45:02291

SiC FET — “圖騰” 象征?

由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布,該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體
2023-06-21 09:10:02212

UnitedSiC SiC FET用戶指南

UnitedSiC SiC FET用戶指南
2023-12-06 15:32:24172

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