Microsemi宣布提供新一代工業溫度碳化硅（silicon carbide，SiC）標準功率模塊，它們是用于要求高性能和高可靠性的大功率開關電源、馬達驅動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其它大功率、高電壓工業應用的理想選擇。
2013-01-25 11:50:12
1053 高性能電容器的領導者）開展合作，以提供緊湊且優化集成的三相碳化硅（SiC）功率堆棧。該功率堆棧結合了CISSOID的1200V SiC智能功率模塊和Advanced Conversion的6組低ESR
2022-06-23 10:23:58570 
CISSOID與清華大學電機工程與應用電子技術系（簡稱電機系）達成技術合作意向，雙方將攜手研發基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統，期望共同攻克技術難題以求實現其潛在的高效率和高功率密度等優勢，并將大力支持在新能源汽車領域開展廣泛應用。
2019-04-08 11:39:362371 CISSOID在2019年歐洲功率電子及智能傳動產品展覽會（PCIM 2019）上展示了最新的高溫柵極驅動器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模塊。
2019-05-13 11:33:45894 與大多數其他碳化硅評估平臺不同，GDEV提供快速連接插頭引腳端子，可以快速、一致地比較不同的柵極驅動器電路。 GDEV支持800 V DC鏈接輸入電壓和高達200 kHz的開關頻率。
2020-02-07 14:33:00630 極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經開始在各種創新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
家公司已經建立了SiC技術作為其功率器件生產的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠
2019-07-30 15:15:17
SiC碳化硅MOS驅動的PCB布局方法解析:在為任一高功率或高電壓系統設計印刷電路板 (PCB) 布局時，柵極驅動電路特別容易受到寄生阻抗和信號的影響。對于碳化硅 (SiC) 柵極驅動，更需認真關注
2022-03-24 18:03:24
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領域，如電動汽車快速充電、數據中心電源、可再生能源、能源等存儲系統、工業和電網基礎設施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
0.5Ω，內部柵極電阻為0.5Ω。 功率模塊的整體熱性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。與具有相同標稱電流的硅IGBT相比，SiC MOSFET通常表現出顯著較低的開關損耗，尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
)碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時間的變化很小，可靠性好。 (7)碳化硅器件具有很好的反向恢復特性，反向恢復電流小，開關損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻(>20KHz)。 (8
2019-01-11 13:42:03
社會的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料，因為碳化硅相較于硅材料可進一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器，但其具有極為廣泛的應用前景，包括車輛電氣化和工業設備
2023-04-11 15:29:18
。 BOM成本比較表明，碳化硅基MOSFET充電器方案可節省15%成本 加快上市等于減少了時間成本 半導體廠商通常都通過參考設計為其器件提供廣泛的支持。對于上面提到的OBC應用，Wolfspeed的全球
2023-02-27 14:28:47
和圖4所示。圖3所示，該原理圖顯示了使用雙極性柵極驅動器電源時如何實現SiC MOSFET的柵極驅動。如上所述，這種雙極性柵極驅動電壓不是強制性的，但它有助于最小化米勒效應，并產生更好的可控開關。因此
2023-02-24 15:03:59
反向恢復電流，其關斷過程很快，開關損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應用領域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復。用于空氣/油/SF6 環境。可配置為單個或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料。可重復的非線性特性。耐高壓。基本上是無感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
2024-03-08 08:37:49
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計，2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
在設計功率轉換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。 在設計功率轉換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強度。在常溫和高溫下，碳化硅的機械強度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強度為
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
特性比較 1、碳化硅肖特基二極管器件結構和特征 用碳化硅肖特基二極管替換快速PN 結的快速恢復二極管（FRD），能夠明顯減少恢復損耗，有利于開關電源的高頻化，減小電感、變壓器等被動元件的體積，使
2023-02-28 16:34:16
利通碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件導通損耗對溫度的依存度很小，隨溫度的變化也很小，這與傳統的Si器件也有很大差別。4) 開關速度快SiC的熱導系數幾乎是Si材料的2.5倍，飽和電子漂移率是Si
2021-03-25 14:09:37
TGF2954碳化硅晶體管產品介紹TGF2954報價TGF2954代理TGF2954TGF2954現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2954是離散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58
TGF2955碳化硅晶體管產品介紹TGF2955報價TGF2955代理TGF2955TGF2955現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2955是離散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
。 04 結 論 引入了輔助源極管腳成為TO-247-4封裝的碳化硅MOSFET，避免了驅動回路和功率回路共用源極線路，實現了這兩個回路的解耦。同時，TO-247-4封裝的開關器件由于沒有來自功率源極造成
2023-02-27 16:14:19
）------------------------------------------------------------------------------------------------會議主題：羅姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用直播時間：2018
2018-07-27 17:20:31
，利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機控制系統中的功率器件，可以降低驅動器損耗，提高開關頻率，降低電流諧波和轉矩脈動。本項目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半導體行業主要進步發展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應用領域包括：新能源汽車、5G通訊、光伏發電、軌道交通、智能電網等現代工業領域，在
2023-10-07 10:12:26
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
的情況下，SiC MOSFET 也能夠可靠地操作，因此降低了驅動的復雜度和成本。這些寬禁帶器件在各種應用中為高效率、高功率密度的功率轉換提供了前所未有的機會。未來的研究將把平面磁性元件與表面貼裝功率器件結合起來，以實現更高功率密度轉換器的設計。原作者： Wolfspeed WOLFSPEED
2023-02-27 14:02:43
近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應用等下游市場的驅動，碳化硅功率器件取得了長足發展。更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率
2022-03-29 10:58:06
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2020-07-30 07:14:58
，在這些環境中，傳統的硅基電子設備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統和應用的性能，包括飛機、車輛、通信設備和航天器。今天，SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來，預計多芯片電源或混合模塊將在SiC領域發揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
在太陽能光伏（PV）和能量存儲應用中，存在功率密度增加以及始終存在的提高效率需求的趨勢。該問題的解決方案以碳化硅（SiC）功率器件的形式出現。 ADuM4135柵極驅動器是單通道器件，在25 V工作電壓（VDD至VSS）下具有典型的7A源/灌電流驅動能力
2020-05-27 17:08:24
，獲得華大半導體有限公司投資，創能動力致力于開發以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實現相比硅元器件更高的工作溫度，實現雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。 該器件將傳統
2023-02-28 16:48:24
通時由電容驅動的柵極 - 源極電壓，其源于半橋配置中第二個碳化硅MOSFET的高dv/dt開關。 硅MOSFET設計中在此類問題一般可以通過柵極驅動器和硅MOSFET柵極之間插入一個高阻值電阻，或找到
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實現了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
不同的2A通道控制。它經過精心設計和優化，可驅動外部電源開關器件，可以是碳化硅（SiC）MOSFET或常開JFET器件（用戶可在板級選擇配置）。可以使用其他功率開關器件，例如常關JFET，以及IGBT甚至
2019-05-13 09:37:52
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59
測試板。 實驗結果： 電流源驅動器和傳統電壓源驅動器板均使用雙脈沖測試進行評估。評估了 1200V、100A 分立式 IGBT 和 1200V、55A、40mΩ 碳化硅-MOSFET。兩款器件
2023-02-21 16:36:47
碳化硅 （SiC） MOSFET 成為 MOSFET 市場的可見部分，需要能夠提供負電壓的特殊柵極驅動器碳化硅 （SiC） MOSFET 成為 MOSFET 市場的可見部分，需要特殊的柵極驅動器
2023-02-27 09:52:17
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
，極大地提高模塊工作的可靠性。此外，鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環以及散熱能力，也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。圖 11 所示分別為銅鍵合線、銅帶連接方式。錫片或錫膏常用于芯片
2023-02-22 16:06:08
位功能，可用于各種開關拓撲控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。STGAP2SCM配備一個有源米勒鉗位專用引腳，為設計人員防止半橋配置晶體管意外導通提供一個簡便的解決方案。在
2018-08-06 14:37:25
主要差異，以及柵極驅動器將如何為這些差異提供支持。多年來，功率輸出系統的功率開關技術選擇一直非常簡單。在低電壓水平(通常為600 V以下)，通常會選擇MOSFET；在高電壓水平，通常會更多地選擇
2018-10-16 06:20:46
的一些主要差異，以及柵極驅動器將如何為這些差異提供支持。多年來，功率輸出系統的功率開關技術選擇一直非常簡單。在低電壓水平(通常為600 V以下)，通常會選擇MOSFET；在高電壓水平，通常會更多地選擇
2018-10-16 21:19:44
主要差異，以及柵極驅動器將如何為這些差異提供支持。多年來，功率輸出系統的功率開關技術選擇一直非常簡單。在低電壓水平(通常為600 V以下)，通常會選擇MOSFET；在高電壓水平，通常會更多地選擇IGBT
2018-10-24 09:47:32
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅動器解決方案，可在半橋配置中驅動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
管子開關影響。 2）低傳輸延遲 通常情況下，硅IGBT的應用開關頻率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推薦應用開關頻率大于100kHz，應用頻率的提高使得碳化硅MOSFET要求驅動器提供更低的信號
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術為功率轉換器設計人員開辟了一系列新的可能性。與現有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導通和關斷損耗，并改善了導通和二極管損耗。對其開關特性的仔細分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
HPD系列是1200V三相水冷式SiCMOSFET功率模塊，采用業界公認的汽車封裝，針對牽引逆變器和電機驅動器進行了優化。為了提供汽車級HPDSiC功率模塊
2023-02-20 16:26:24
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
°C。系統可靠性大大增強，穩定的超快速本體二極管，因此無需外部續流二極管。三、碳化硅半導體廠商SiC電力電子器件的產業化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅動器參考設計為驅動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應用的功率級提供了藍圖。此設計基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT 的三相電機半橋的高側和低側功率級，并能夠監控和保護各種故障情況。圖1：電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅動器的優勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅動器IC
2022-11-02 12:02:05
高溫半導體供貨商 CISSOID 稍早前推出一款高電壓225℃碳化硅電源開關 JUPITER ，據稱是首款以簡單0/5V邏輯電平無縫閘極控制的高溫碳化硅高電壓開關
2011-04-14 11:41:581237 各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID，在2019年歐洲功率電子及智能傳動產品展覽會（PCIM 2019）上展示了最新的高溫柵極驅動器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模塊
2019-05-16 09:10:563764 CISSOID在論文中提出了一種新的柵極驅動板，其額定溫度為125°C（Ta），它還針對采用半橋式SiC MOSFET的62mm功率模塊進行了優化。
2019-08-05 17:07:554175 各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID日前宣布，為Wolfspeed提供強勁可靠的柵極驅動器，以支持其XM3碳化硅（SiC）MOSFET功率模塊。該新型柵極驅動器板旨在為高功率密度轉換器
2020-01-14 15:00:102120 Cissoid首席執行官Dave Hutton表示：“開發和優化快速開關SiC電源模塊并可靠地驅動它們仍然是一個挑戰，這款SiC智能電源模塊是針對極端溫度和電壓環境開發電源模塊和柵極驅動器的多年經驗的成果。有了它，我們很高興支持汽車行業向高效的電動汽車解決方案過渡。”
2020-03-07 13:59:472573 緊湊的印制電路板（PCB）設計。這些柵極驅動器所取得的新進展可以幫助電源轉換器設計人員滿足甚至超越日益提高的能效標準及尺寸限制，同時支持使用碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）和快速Si FET等新興技術。 ? ? ? ? ?Silicon Labs 的Si825xx系列產品為強健的柵極驅動器，
2020-12-29 10:32:381991 ADI隔離柵極驅動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:08
30 ，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布推出一款全新的1200V可直接用于生產的數字柵極驅動器，為系統開發人員提供多層級的控制和保護，以實現安全、可靠的運行并滿足嚴格的運輸要求。 對于基于碳化硅的電源轉換設備的設計人 員
2021-10-09 16:17:461644 Agarwal 的播客中，我們將發現 SiC 的好處和應用。 討論的文章： 改進碳化硅晶圓工藝 碳化硅功率模塊建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的柵極漏電流行為研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:351383 本期Digi-Key Daily向大家推介兩款產品：TDK-Lambda CUS350MP-1000醫療和工業電源和Wolfspeed WolfPACK碳化硅功率模塊。
2022-08-04 09:51:111458 多家公司已將 SiC 技術作為其功率器件生產的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已經為未來基于 SiC 的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅 （SiC）MOSFET 即將徹底取代硅功率開關；該行業需要能夠應對不斷變化的市場的新驅動和轉換解決方案。
2022-08-09 08:02:071519 
隨著新型功率晶體管（例如 SiC Mosfets）越來越多地用于電力電子系統，因此有必要使用特殊的驅動器。隔離式柵極驅動器通過提供對 IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，旨在滿足 SiC（碳化硅
2022-08-09 09:03:001509 
SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩定好、開關損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應用在電動汽車、風能發電、光伏發電等新能源領域。 近年來，全球半導體功率器件的制造環節以較快速度向我國轉移。目前
2023-01-13 11:16:441230 
功率半導體碳化硅（SiC）技術 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術的需求繼續增長，這種技術可以最大限度地提高當今電力系統的效率
2023-02-15 16:03:448 什么是第三代半導體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統稱為第三代半導體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 2023年3月20 日 –佛羅里達州奧蘭多市 - CISSOID和Silicon Mobility今日宣布進一步擴展其合作伙伴關系，以提供完整的模塊化碳化硅（SiC）逆變器參考設計，且支持高達
2023-03-23 17:31:01555 
比鄰驅動(Nextdrive)是瞻芯電子自主創新開發的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅動芯片，具有緊湊、高速和智能的特點。
2023-07-21 16:18:243392 
碳化硅（SiC）技術比傳統硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和其他技術更具優勢，包括更高的開關頻率、更低的工作溫度、更高的電流和電壓容量以及更低的損耗，從而提高功率密度、可靠性和效率。本文將介紹碳化硅的發展趨勢及其在儲能系統（ESS）中的應用，以及Wolfspeed推出的碳化硅電源解決方案。
2023-11-17 10:10:29393 報告內容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅動器功能
驅動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅動器進化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
、 NXP、Skyworks共同開發了一款專為碳化硅快速測試而全新模塊化評估平臺Wolfspeed SpeedVal Kit?。
2023-12-25 17:05:22525 電子發燒友網報道（文/黃山明）作為第三代半導體材料核心，碳化硅（SiC）與其它半導體產品去庫存的市場節奏截然不同。市場中高性能碳化硅仍然持續緊缺，并且隨著新能源汽車的蓬勃發展，也帶動著碳化硅市場熱度
2023-07-07 01:15:00943
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