高性能電容器的領導者）開展合作，以提供緊湊且優化集成的三相碳化硅（SiC）功率堆棧。該功率堆棧結合了CISSOID的1200V SiC智能功率模塊和Advanced Conversion的6組低ESR
2022-06-23 10:23:58
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碳化硅 (SiC) 是一項創新技術，將在許多應用中取代硅 (Si)。將 SiC 用于電動汽車 (EV) 的想法誕生于努力提高此類車輛的效率和續航里程，同時降低整車的重量和成本，從而提高控制電子設備的功率密度。
2022-07-27 14:37:232145 
德爾福科技推出業界領先800伏碳化硅逆變器，將電動汽車充電時間減半
2019-09-20 14:55:531997 本文討論了在電動汽車應用的功率轉換器設計中選擇CISSOID三相全橋1200V SiC MOSFET智能功率模塊（IPM）體系所帶來的益處，尤其表現在該體系是一個可擴展的平臺系列。
2020-11-07 12:00:362169 CISSOID 和 Silicon Mobility 宣布推出新能源汽車緊湊及高效碳化硅逆變器，并以此體現其所建立的合作伙伴關系。
2021-12-09 10:01:432296 
電氣設計專家和SiC功率模塊設計專家。 ? 這也意味著理想正在籌備自研碳化硅功率模塊，未來或可能建立功率模塊封測產線。 ? 電動汽車時代，功率模塊和碳化硅地位越來越高 ? 電動汽車與燃油汽車的成本結構產生了很大差異，在電動汽車中，電池
2023-12-04 06:47:00820 。尤其在高壓工作環境下，依然體現優異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性，也大幅度提高電氣設備的整體效率。 產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
半導體器件具有導通電阻小、阻斷電壓高、耐高溫耐高壓等優點。隨著SiC基半導體工藝的成熟，SiC成為工作于較高環境溫度和較大功率場合下的--寬禁帶半導體材料。近年來隨著電力電子技術在電動汽車、風力發電
2019-10-24 14:25:15
隨著電動汽車的火熱發展，充電樁和車載充電器的方案已經成為市場的熱點。 此類應用中，其輸入電壓大都是三相交流輸入，經過三相PFC后，直流母線電壓會高到7，800V， 如此高的直流母線電壓給后級
2018-10-17 16:55:50
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
家公司已經建立了SiC技術作為其功率器件生產的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
的特性，在電動汽車市場填補了空白。但在太陽能等場景下，碳化硅MOSFET的優勢就無法完整地展現，因此碳化硅在這些場景下更多地是以混合模塊的形式出現。因此，SiC MOSFET會長期地與硅基IGBT以互補
2022-12-27 15:05:47
0.5Ω，內部柵極電阻為0.5Ω。 功率模塊的整體熱性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。與具有相同標稱電流的硅IGBT相比，SiC MOSFET通常表現出顯著較低的開關損耗，尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
HPD系列是1200V三相水冷式SiCMOSFET功率模塊，采用業界公認的汽車封裝，針對牽引逆變器和電機驅動器進行了優化。為了提供汽車級HPDSiC功率模塊
2023-02-20 16:26:24
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術為功率轉換器設計人員開辟了一系列新的可能性。與現有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導通和關斷損耗，并改善了導通和二極管損耗。對其開關特性的仔細分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
、6.6-kW推拉 用于HEV/EV車載充電器的PFC參考設計配兩級關閉保護的汽車雙通道SiC MOSFET柵極驅動器參考設計用于太陽能串逆變器的10kW三相三電平并網逆變器參考設計更多關于充電系統
2019-03-11 06:45:02
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
)碳化硅器件為減少功率器件體積和降低電路損耗作出了重要貢獻。 碳化硅的不足是： 碳化硅圓片的價格還較高,其缺陷也多。 三、碳化硅肖特基二極管的特點 上面已談到硅肖特基二極管反向耐壓較低，約
2019-01-11 13:42:03
應用，處理此類應用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡稱SiC已被證明是一種材料，可以用來構建類似MOSFET的組件，使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多關注，不僅因為它
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
社會的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料，因為碳化硅相較于硅材料可進一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器，但其具有極為廣泛的應用前景，包括車輛電氣化和工業設備
2023-04-11 15:29:18
，熱導率是硅的10倍。 SiC在所有重要方面都優于硅 這為碳化硅器件開辟了廣泛的應用領域，在5G/數據中心等空間受限和節能領域，低損耗是應用的推動力;在電動汽車領域，更高的牽引逆變器效率意味著更小
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計，2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
在設計功率轉換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。 在設計功率轉換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強度。在常溫和高溫下，碳化硅的機械強度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強度為
2019-07-04 04:20:22
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
已經成為全球最大的半導體消費國，半導體消費量占全球消費量的比重超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國
2021-03-25 14:09:37
通損耗一直是功率半導體行業的不懈追求。 相較于傳統的硅MOSFET和硅IGBT 產品，基于寬禁帶碳化硅材料設計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
）------------------------------------------------------------------------------------------------會議主題：羅姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用直播時間：2018
2018-07-27 17:20:31
，利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機控制系統中的功率器件，可以降低驅動器損耗，提高開關頻率，降低電流諧波和轉矩脈動。本項目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領域，如電動汽車快速充電、數據中心電源、可再生能源、能源等存儲系統、工業和電網基礎設施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應用等下游市場的驅動，碳化硅功率器件取得了長足發展。更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率
2022-03-29 10:58:06
。雖然碳化硅組件可望成為推動電力設備由機械轉向電子結構的重要推手，但現階段碳化硅組件最主要的應用市場，其實是電動汽車。電動汽車應用之所以對碳化硅組件的需求如此殷切，主要原因在于可實現更輕巧的電源系統
2021-09-23 15:02:11
，在這些環境中，傳統的硅基電子設備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統和應用的性能，包括飛機、車輛、通信設備和航天器。今天，SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來，預計多芯片電源或混合模塊將在SiC領域發揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
智能型22kw電動汽車充電 便攜式智能型11kw電動汽車充電 便攜式智能型7kw電動汽車充電便攜式智能型3.6kw電動汽車充電 便攜式本款充電方案采用先進的碳化硅技術，主要優勢在功率密度、功率轉換
2022-09-22 10:09:01
電機驅動。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發電、風力發電、電焊機、電力機車、遠距離輸電、服務器、家電、電動汽車、充電樁等用途。創能動力于2015年在國內開發出6英寸SiC制造技術，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
和高性能的碳化硅 MOSFET之間，在某些場合性價比更優于超結MOSFET和碳化硅MOSFET，可幫助客戶在性能和成本之間取得更好的平衡，具有重要的應用價值，特別適用于對功率密度提升有需求，同時更強
2023-02-28 16:48:24
場效應管（Si MOSFET）以前從未考慮過的應用而變得更具有吸引力。 碳化硅MOSFET越來越多用于千瓦級功率水平應用，涵蓋如通電源，和服務器電源，和快速增長的電動汽車電池充電器市場等領域。碳化硅
2023-03-14 14:05:02
器件包括主開關MOSFET：C3M0065100K； 輸出碳化硅二極管：C5D50065D;單端反激Flyback輔助電源的MOSFET：C2M1000170D方案能廣泛應用于新能源電動汽車充電、通信
2016-08-05 14:32:43
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
/混合動力汽車半導體領袖，緊跟市場趨勢，提供全面的高性能方案，包括超級結SuperFET? III MOSFET、碳化硅(SiC)二極管、IGBT、隔離型門極驅動器、電流檢測放大器、快恢復二極管，滿足電動汽車充電樁市場需求并推動創新。
2019-08-06 06:39:15
電動汽車大功率充電樁的三相PFC整流裝置是什么？帶升降壓功能的電動汽車大功率充電樁的控制方法是什么？
2021-07-02 06:52:26
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
可有效減小功率回路寄生電感參數，減小開關過程中的震蕩、過沖現象。但目前瓷片電容不耐高溫，所以并不適宜于碳化硅的高溫工作情況。驅動集成技術也逐漸引起了人們的重視，三菱、英飛凌等公司均提出了 SiC 智能
2023-02-22 16:06:08
雖然電動和混合動力電動汽車（EV]從作為功率控制器件的標準金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術的FET的轉變代表了提高EV的效率和整體系統級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
碳化硅（SiC） MOSFET、超級結MOSFET、IGBT和汽車功率模塊（APM）等廣泛的產品陣容乃至完整的系統方案，以專知和經驗支持設計人員優化性能，加快開發周期。本文將主要介紹針對主流功率等級的高能效OBC方案。
2020-11-23 11:10:00
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入，但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
）功率器件產業化的倡導者之一，國內首家第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商，在國內碳化硅功率器件制造商中率先完成了質量管理體系---汽車行業生產件與相關服務件的組織實施ISO9007的要求
2023-02-27 14:35:13
直流快充，三相交流輸入需要經過三相PFC整流輸出電壓為800V，因此后級隔離采用如圖6左所示復雜三電平硅方案，碳化硅MOSFET可以使電路從復雜三電平變為兩電平全橋電路[2]，減小開關器件數量；(2
2016-08-25 14:39:53
系列電源模塊，支持多種柵極輸出電壓，可靈活應用于碳化硅MOSFET驅動。該電源模塊尺寸為 19.5 X 9.8 X 12.5 mm， 設計緊湊， 通用性強。原作者：基本半導體
2023-02-27 16:03:36
之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導體供應商，提供廣泛的高能效和高可靠性的系統方案，并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等進行新產品開發，用于汽車功能電子化和HEV/EV應用。
2019-07-23 07:30:07
公司等為代表。四、碳化硅半導體應用碳化硅半導體器件，其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴苛的應用。可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。原作者：大年君愛好電子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅動器參考設計為驅動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應用的功率級提供了藍圖。此設計基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT 的三相電機半橋的高側和低側功率級，并能夠監控和保護各種故障情況。圖1：電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅動器的優勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅動器IC
2022-11-02 12:02:05
比利時，蒙-圣吉貝爾—— 2016 年 4 月 15 日。高溫及長壽命半導體解決方案的領先供應商CISSOID公司宣布，向 Thales Avionics Electrical Systems 交付首個三相 1200V/100A SiC MOSFET 智能功率模塊（IPM）原型。
2016-04-15 17:23:471873 支持電動和混合動力汽車、數據中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:414694 各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID，在2019年歐洲功率電子及智能傳動產品展覽會（PCIM 2019）上展示了最新的高溫柵極驅動器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模塊
2019-05-16 09:10:563764 各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布，將繼續致力于應對汽車和工業市場的挑戰，并推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。
2020-03-07 09:31:30950 Cissoid首席執行官Dave Hutton表示：“開發和優化快速開關SiC電源模塊并可靠地驅動它們仍然是一個挑戰，這款SiC智能電源模塊是針對極端溫度和電壓環境開發電源模塊和柵極驅動器的多年經驗的成果。有了它，我們很高興支持汽車行業向高效的電動汽車解決方案過渡。”
2020-03-07 13:59:472573 作為碳化硅技術全球領先企業的科銳（Cree Inc．， 美國納斯達克上市代碼：CREE）公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產品組合，適用于更廣闊的工業應用，助力新一代電動汽車車載充電、數據中心和其它可再生能源系統應用，提供業界領先的功率效率。
2020-04-02 15:37:563648 據外媒報道，比利時Cissoid公司推出一款三相SiC智能功率模塊（IPM），可用于電動出行。
2020-04-22 15:54:253711 ）今日宣布推出最新通過認證的700和1200V碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）功率器件，為電動汽車（EV）系統設計人員提供了符合嚴苛汽車質量標準的解決方案，同時支持豐富的電壓、電流和封裝選項。
2020-10-29 15:24:342317 碳化硅器件在電動汽車中的應用介紹說明。
2021-06-10 10:51:08
72 意法半導體最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了產品性能和可靠性，保持慣有領先地位，更加適合電動汽車和高能效工業應用
2021-12-17 17:23:252461 意法半導體最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了產品性能和可靠性，保持慣有領先地位，更加適合電動汽車和高能效工業應用
2022-01-17 14:13:293382 碳化硅 (SiC) 具有提高電動汽車整體系統效率的潛力。在太陽能行業，碳化硅逆變器優化在成本節約方面也發揮著很大的作用。在這個與俄亥俄州立大學電氣與計算機工程系 IEEE 院士教授 Anant
2022-08-03 17:07:351383 CISSOID 最近發布了專為降低開關損耗或提高功率而定制的新型液冷模塊，屬于其三相碳化硅 （SiC） MOSFET 智能功率模塊 （IPM） 產品系列。
2022-08-04 15:38:38737 
汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore6是基本半導體基于廣大汽車廠商對核心牽引驅動器功率器件的高性能、高效率等需求設計并推出的產品。
2022-09-13 15:49:021471 隨著對電動汽車（EV）需求的持續增長，制造商正在比較兩種半導體技術，即碳化硅和硅，用于電力電子應用。碳化硅（SiC）具有耐高溫、低功耗、剛性，并支持EV電力電子設備所需的更小、更薄的設計。SiC當前應用的示例包括車載DC/DC轉換器、非車載直流快速充電器、車載電池充電器、電動汽車動力總成和LED汽車照明。
2022-11-15 10:22:55653 SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩定好、開關損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應用在電動汽車、風能發電、光伏發電等新能源領域。 近年來，全球半導體功率器件的制造環節以較快速度向我國轉移。目前
2023-01-13 11:16:441230 
隨著技術的發展，電動汽車對電力電子功率驅動等系統提出了更高的要求，即更輕、更緊湊、更高效、更可靠等，但是傳統的硅基功率器件由于材料的限制，其各方面的特性已經逐漸無法滿足電動汽車的技術要求，所以需要
2023-02-12 16:10:25770 SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩定好、開關損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應用在電動汽車、風能發
電、光伏發電等新能源領域。
近年來，全球半導體功率器件的制造環節以較快速度向我國轉移
2023-02-16 15:28:254 APM32系列模塊助力所有類型的電動汽車實現更快充電和更遠續航里程 2022年9月29日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，今天宣布推出三款基于碳化硅
2023-02-21 09:17:411 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
和碳化硅MOSFET。第三代半導體涵蓋SiC碳化硅二極管，SiC碳化硅MOSFET,SiC碳化硅模塊，SiC碳化硅裸芯片這四類
2023-02-21 10:16:472090 MOSFET相比傳統的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導通電阻、更高的開關頻率和更高的工作溫度等優點。因此，碳化硅MOSFET可以被廣泛應用于能源轉換、交流/直流電源轉換、汽車和航空航天等領域。
2023-06-02 15:33:151180 電動汽車（EV）電池系統從400V到800V的轉變使碳化硅（SiC）半導體在牽引逆變器、車載充電器（OBC）和DC/DC轉換器中脫穎而出。
2023-07-25 09:50:15418 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業設備應用。
2023-09-07 09:59:32734 
本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件，功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管（主要是碳化硅肖特二極管）。
2023-09-08 11:30:451806 
碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導體，用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 
基于碳化硅 (SiC)的25 kW電動汽車直流快充開發指南-結構和規格
2023-11-27 16:15:55331 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 碳化硅二極管和碳化硅晶體管。由于其出色的性能，碳化硅功率器件在電動汽車、可再生能源系統、智能電網、軌道交通等領域具有廣泛的應用前景。
2024-01-09 09:26:49379 碳化硅在功率半導體市場（尤其是電動汽車）中越來越受歡迎，但對于許多應用來說仍然過于昂貴。
2024-01-29 14:46:112888 
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