Transphorm驗證并實現了采用電橋配置的分立封裝GaN器件的功率可達10千瓦，這進一步印證了GaN用于電動汽車轉換器和變頻器的令人興奮的前景。
2020-12-07 15:56:28
789 伏GaN-on-Sapphire功率半導體，領先同類產品。這款產品的發布展現Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統，以及已普遍用于工業、數據通信和可再生能源
2023-06-02 13:54:07395 年 6 月 15 日 – 新世代電力系統的未來, 氮化鎵（GaN）功率轉換產品的全球領先供應商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發布了一款高性能、低成本的驅動器解決方案。這款設計方案
2023-06-19 17:47:16337 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統的未來、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出
2023-11-07 17:51:23620 
? 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）繼去年英飛凌收購GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001552 
`一種數字控制的緊湊型 1kW 交流/直流電源設計，適用于服務器電源單元 (PSU) 和電信整流器應用。該高效設計支持兩個主要功率級，包括一個前端連續導通模式 (CCM) 圖騰柱無橋功率因數校正
2020-06-22 18:22:03
描述PMP20978 參考設計是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉換器參考設計。此設計將 390V 輸入轉換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2018-10-26 10:32:18
和FPGA的低直流電源通常需要多級直流 - 直流轉換和調節。如果高壓設備可用于進行轉換，則可以減少轉換次數。GaN器件提供了這種潛力。一個例子是數據中心電源系統。數據中心包含許多需要高電流低電壓的高功率
2017-05-03 10:41:53
的設計人員面臨幾個相沖突的業界挑戰，從新的USB Type C連接和USB PD (電力輸送) 的輸出是否符合法定的能效標準，一直到成本等相關問題。納微的單芯片GaN功率IC可同時達到高速運作及高效
2017-09-25 10:44:14
GaN功率集成電路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成電路技術:過去，現在和未來
2023-06-21 07:19:58
GaN功率集成電路的進展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率半導體集成驅動性能
2023-06-21 13:24:43
半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
輸入到USB-C PD/PPS輸出的全功能產品。Transphorm的氮化鎵材料可用于傳統的AC-DC升壓PFC和DC-DC準諧振反激(QRF)拓撲。隨后，Salom負責采用該系統、對其進行微調、外圍
2021-08-12 10:55:49
針對可靠的高功率和高頻率電子設備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關頻率的場效應晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
用于無線充電應用的高壓GaN功率半導體單級6.78 MHz功率放大器設計
2023-06-21 11:45:06
描述此參考評估模塊擁有 TPS23454 PoE 接口和直流轉直流控制器，用于需要高效率的 4 類 PoE 應用。不論是適配器輸入 (21.6-57VDC) 還是以太網供電，輸出功率都為 5V
2018-07-25 07:32:52
F是一個6位數字移相器MMIC，具有0°- 360°的范圍。它被設計用于5到6GHz頻率范圍的應用。該電路支持多種C波段相控陣應用，包括工業傳感器和軍用雷達。該電路采用功率PHEMT工藝，0.25μm柵
2018-07-20 12:26:50
DN98- 高度集成的高效DC / DC轉換
2019-06-04 15:28:24
輸出晶體管大小，以增加RF功率。GaN在這里提供了一些優勢，因為我們能夠大幅簡化輸出合成器、減少損耗，因而可以提高效率，減小芯片尺寸，如圖2所示。因此，我們能夠實現更寬帶寬并提高性能。從GaAs轉向
2018-10-17 10:35:37
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經開始在各種創新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
。這些設計平臺目 前針對戰略客戶而推出，代表了驅動新一代SiC/GaN功率轉換器 的完整IC生態系統的最高水準。設計平臺類型眾多，既有用于 高電壓、大電流SiC功率模塊的隔離式柵極驅動器板，也有完整
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
基于平面矩陣的高頻高效LLC模塊基于GaN功率集成電路的CPRS變壓器
2023-06-16 06:48:18
采用了數字控制器 UCD3138A。效率高達95.8%，同時提供良好的熱性能。主要特色 高達 95.8% 的高效率LM5113+ GaN Mosfet保護功能 OCP、OVP適用于 HSFB 直流-直流的全面數字控制滿負載時具有良好的熱性能完全符合電信客戶的要求
2018-11-02 16:47:28
汽車行業電氣化程度不斷提高的趨勢使汽車制造商既能經濟高效地向市場提供新的創新，又能滿足日益嚴格的排放法規。將車輛的主總線電壓提高到48 V有助于滿足輕度混合動力汽車的啟停電機/發電機等高功率系統
2023-02-21 15:57:35
描述 PMP20978 參考設計是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉換器參考設計。此設計將 390V 輸入轉換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
需要非常緊湊、高效的mmW 材料和器件。基礎設施挑戰是開發合適的封裝，既能保持RF 性能又能解決熱管理問題。GaN 的較高功率密度（3 至5 倍，甚至10 倍于GaAs）給子系統封裝設計人員帶來了棘手
2017-07-28 19:38:38
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
Ω、600-V GaN 功率晶體管和專用驅動器。目標應用包括電動汽車的車載充電器、電信整流器、電機驅動器、焊接電源和其他工業交流供電轉換器。該設計支持用于提高效率的切相和自適應死區時間、用于提高輕負載
2022-04-12 14:11:49
在過去的十多年里，行業專家和分析人士一直在預測，基于氮化鎵(GaN)功率開關器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
請大佬詳細介紹一下關于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術
2021-04-12 06:23:23
更高的功率密度。GaN的時代60多年以來，硅一直都是電氣組件中的基礎材料，廣泛用于交流電與直流電轉換，并調整直流電壓以滿足從手機到工業機器人等眾多應用的需求。雖然必要的組件一直在持續改進和優化，但物理學
2019-03-01 09:52:45
本文基于Agilent ADS仿真軟件設計實現一款高效GaN寬禁帶功率放大器，詳細說明設計步驟并對放大器進行了測試，結果表明放大器可以在2．3～2．4 GHz內實現功率15W以上，附加效率超過67％的輸出。
2021-04-06 06:56:41
作為一項相對較新的技術，氮化鎵(GaN) 采用的一些技術和思路與其他半導體技術不同。對于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設計新人來說，在知曉了非線性GaN模型的基本概念（非線性模型如何幫助進行
2019-07-31 06:44:26
頻率和更高功率密度的開發人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產的經驗證技術，由于其相對于硅材料所具有的優勢，這項技術用于蜂窩基站和數款軍用/航空航天系統中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比
2019-07-12 12:56:17
Conversion；EPC)、GaNSystems與Transphorm等公司。各大功率半導體業者的不同GaN功率晶體管專利（來源：Yole）然而，這一市場也存在整并壓力，這一點從英飛凌收購IR、英飛凌
2015-09-15 17:11:46
顯示的是將用來驅動LMG5200的Hercules模塊。圖1：具有死區發生器的Hercules PWM模塊GaN與Hercules功率級是天生的一對兒。它們在工業和汽車應用中都能發揮很好的作用
2022-11-17 06:56:35
功率晶體管(如GaN和碳化硅(SiC))有望在高壓和高開關頻率條件下提供高功率效率，從而遠遠超過硅MOSFET產品。 GaN可以為您做什么 根據應用的不同，高效率的高頻開關可以將功率模塊的尺寸縮小
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
Hercules微控制器來驅動它。圖1顯示的是將用來驅動LMG5200的Hercules模塊。
圖1：具有死區發生器的Hercules PWM模塊
GaN與Hercules功率級是天生的一對兒。它們在工業和汽車
2018-08-31 07:15:04
概述：GB98ADN是一款高效、大功率的LED驅動控制器，它提供用于MOSFET升壓轉換器的驅動器。它最多可以驅動四根LED燈的額定電流為250mA。它還支持高達400毫安的脈沖電流，...
2021-04-07 07:30:39
請問一下GaN器件和AMO技術能實現高效率和寬帶寬嗎？
2021-04-19 09:22:09
描述此參考設計基于 LMG1210 半橋 GaN 驅動器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實現了一款數兆赫茲功率級設計。憑借高效的開關和靈活的死區時間調節，此參考設計不僅可以顯著
2018-10-17 15:39:59
SE98是一款支持I2C-bus/SMBus總線的溫度傳感器，典型用于內存模塊溫度檢測
2010-03-09 16:29:05
10 美國Transphorm公司發布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國加州大學圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人員為核心創建的風險企業，因美國谷歌向其出資而備受功率半導體
2012-05-18 11:43:441931 2014年9月26日 – 推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）與功率轉換專家Transphorm宣布已建立了新的合作關系，共同開發及共同推廣基于氮化鎵（GaN）的產品和電源系統方案，用于工業、計算機、電信及網絡領域的各種高壓應用。
2014-09-26 19:42:001149 北卡羅納州 – 2015年3月17日-推動高能效創新的安森美半導體 （ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN），和功率轉換器專家Transphorm，先前宣布雙方建立
2015-03-19 14:28:432552 國產高效GaN微波功率模塊，HEG001D、HEG205B等。針對寬帶、高功率微波系統及有源相控陣雷達應用需求，最新推出小型化高功率GaN功率模塊，采用先進的平面內匹配合成技術，基于成熟的薄膜混合
2015-11-26 15:44:5314 本文介紹有關用于LTE 微蜂窩式與有源天線系統式基站應用的小型高效GaN Doherty 放大器。該Doherty 放大器采用TriQuint 半導體公司開發的T1G6001528-Q3 器件
2017-11-24 06:17:17474 
在最近的electronica China上，富士通剛剛展示了代理品牌Transphorm的氮化鎵（GaN）解決方案，可是讓好多現場觀眾駐足圍觀呢。
2019-04-16 18:13:234239 對于電容參數的描述，ASM GaN 是應用場效應板來解決的。當然，模型開發出來后，需要和真正的器件進行對比，比如用于PA和功率轉換等。
2019-09-08 09:44:435685 
Transphorm Inc.今天宣布，它已與貿澤電子（Mouser Electronics Inc.）簽署全球分銷協議，授權該公司在全球經銷其最新的半導體和電子元件。根據協議，貿澤電子將分銷Transphorm的經過JEDEC和AEC-Q101認證的GaN FET和評估工具。
2019-09-19 14:37:59881 目前，Transphorm正在努力推出第三代常閉GaN FET技術。該技術的閾值將提高到4.0V，提高了其抗噪能力和器件性能，無需負柵極驅動，并且相比上代產品降低了整體成本。
2019-12-13 14:20:264103 首家獲得JEDEC和AEC-Q101認證、具有最高可靠性的氮化鎵（GaN）半導體的設計和制造領導者Transphorm Inc.今天確認，其客戶AES Aircraft Elektro/Elektronik System GmbH發布了首批650 V GaN基電源。
2019-12-19 14:07:361467 前不久，Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd（HZZH）就利用Transphorm的TPH3205WS-GaN器件成功開發出一種基于GaN的超高效功率模塊。
2020-04-27 16:46:163692 由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低，寬禁帶半導體（SiC 和GaN）現在配合傳統硅一同用于汽車和RF 通信等嚴苛應用中。隨著效率的提高，對Si、SiC和GaN器件進行安全、精確的測試
2020-11-18 10:38:0027 本文介紹有關用于LTE 微蜂窩式與有源天線系統式基站應用的小型高效GaN Doherty 放大器。該Doherty 放大器采用TriQuint 半導體公司開發的T1G6001528-Q3 器件
2020-08-20 18:51:001 高可靠性，高性能氮化鎵功率轉換產品供應商Transphorm與貝爾集團（Bel Group）聯合宣布Bel的鈦效率電源中使用了六個Transphorm的高壓GaN FET，這表明，氮化鎵在數
2021-01-22 16:00:361798 
加賀富儀艾電子旗下代理品牌 Transphorm，是一家設計、生產氮化鎵功率轉換器和模塊的企業。
2021-03-09 17:44:192428 
DN98-高集成高效DC/DC轉換
2021-04-27 11:39:027 大功率、高效μ模塊電源產品
2021-05-20 10:39:555 大功率NPN硅晶體管BUX98/BUX98A數據手冊
2021-08-11 14:14:110 適用于廣泛工業應用的新型交流-直流功率模塊提供高壓GaN優勢：更高的效率、更高的性能、更緊湊的尺寸?加州戈利塔--(美國商業資訊)--設計和制造擁有最高可靠性且唯一獲得認證的高壓(HV)氮化
2022-01-06 15:56:171 這家國際航空電子供應商因GaN驅動的更高功率密度而勝過競爭對手加州戈勒塔--(美國商業資訊)--首家獲得JEDEC和AEC-Q101認證、具有最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導體的設計和制造領導者
2022-01-11 10:52:211 (MOSFET)，因為它能夠驅動更高的功率密度和高達 99% 的圖騰柱功率因數校正 (PFC) 效率。但由于其電氣特性和它所支持的性能，使用 GaN 進行設計面臨著與硅甚至其他寬帶隙技術（如碳化硅）不同的一系列挑戰。
2022-07-29 14:06:52792 
的限制，并且高溫性能和低電流特性較差。高壓 Si FET 在頻率和高溫性能方面也受到限制。因此，設計人員越來越多地尋求采用高效銅夾封裝的寬帶隙 (WBG) 半導體。 功率氮化鎵技術 GaN 技術，特別是 GaN-on-Silicon (GaN-on-Si) 高電子遷移率晶體
2022-08-04 09:52:161078 
在第一部分，我們研究了數據中心架構，并介紹了氮化鎵 (GaN) 功率 IC 及其在第二次電力電子革命中的作用。現在，讓我們看看數據中心本身內支持 GaN 的高效硬件。 具有交流輸入的 GaN 對于
2022-08-04 09:35:21788 
基于氮化鎵技術 (GaN) 的功率開關器件現已量產，并在實際功率應用中提供高效率和功率密度。本文將探討如何使用 GaN 技術實施高功率解決方案，并提供應用示例，展示 GaN 器件如何在超過 600 伏的電壓下也能有效工作。
2022-08-09 08:02:131637 
電子發燒友網站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉換器設計.zip》資料免費下載
2022-09-07 11:30:0510 氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場擊穿
2022-09-19 09:33:211670 使用電源管理模塊有效控制 GaN 功率放大器的電源開關
2022-12-26 10:16:14592 
GaN功率HEMT設計+GaN寬帶功率放大器設計
2023-01-30 14:17:44556 近日，可靠性、高性能氮化鎵（GAN）電源轉換產品的先鋒企業和全球供應商Transphorm宣布推出新的240瓦電源適配器參考設計。
2023-02-06 10:15:231202 高效IPM（智能功率模塊）
2023-02-08 13:43:241244 
隨著社會壓力不斷增大，越來越多的立法要求減少二氧化碳的排放。這一趨勢推動汽車、電信等行業加大投資，以提高電源轉換效率和電氣化水平。功率氮化鎵(GaN)技術不但表現出極大的性能優勢，還能為各類功率轉換應用帶來一系列優勢，尤其是在電動汽車中。
2023-02-09 09:35:30191 
白皮書：功率GaN技術：高效率轉換的需求-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:43:201 功率 GaN 技術：高效功率轉換的需求-AN90021
2023-02-17 19:43:381 白皮書：功率 GaN 技術：高效功率轉換的必要性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:50:460 您可以通過多種方式控制GaN功率級。LMG5200 GaN 半橋功率級的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用Hercules微控制器驅動它。圖 1 顯示了用于驅動 LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:41963 
Transphorm宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體，領先同類產品。 該器件
2023-06-16 18:25:04268 
Transphorm在公告中表示，他們的氮化鎵將被用于大恒能源的Solar Unit產品線，GaN器件可以實現更小、更輕、更可靠的太陽能系統，同時還能以更低的能耗提供更高的總發電量。Transphorm還表示，氮化鎵技術在全球光伏領域的市場空間將超過5億美元。
2023-08-30 16:42:34826 
三菱電機集團近日（2023年9月14日）宣布，將于9月21日開始提供用于5G Massive MIMO*1（mMIMO）基站的新型氮化鎵（GaN）功率放大器模塊樣品。
2023-09-27 15:05:46876 Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）是強大的GaN功率半導體（下一代電力系統的未來）領域全球領先的企業。該公司今天推出了三款TOLL封裝的SuperGaN?FET，其導通電
2023-10-12 16:40:56251 專為大功率應用而設計的隔離式柵極驅動器，有助于加速氮化鎵半導體在數據中心、可再生能源和電動汽車領域的應用 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 12 月 7 日 – 全球領先的氮化鎵（GaN
2023-12-12 18:03:10179 新設計工具有助于加速兩輪電動車市場的產品設計，并幫助系統工程師充分利用SuperGaN FET的優勢 ? 2023 年 12 月 21 日 －全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商
2023-12-27 17:39:22130 
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布雙方已達成最終協議
2024-01-11 18:17:32865 全球半導體解決方案供應商 瑞薩 電子與全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”)于今天宣布雙方已達成最終協議，根據該協議，瑞薩子公司將以每股
2024-01-12 14:11:58267 在科技領域的巨浪中，瑞薩電子以35%的溢價宣告了一項重磅收購。1月11日，瑞薩電子正式宣布與氮化鎵（GaN）器件領導者Transphorm達成最終協議，按照協議的規定，瑞薩電子的子公司將以每股
2024-01-12 14:54:25361 瑞薩電子與氮化鎵（GaN）器件領導者Transphorm宣布，雙方已達成最終收購協議。根據協議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Transphorm，這一價格較Transphorm在1月10日的收盤價溢價約35%，總估值約為3.39億美元。
2024-01-17 14:15:33234 此次交易對Transphorm的估值約為3.39億美元（約合人民幣24.27億元）。此次收購將為瑞薩提供GaN（功率半導體的下一代關鍵材料）的內部技術。
2024-01-19 11:32:57130
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