N溝道耗盡型MOSFET
1) N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)
N
2009-09-16 09:41:43
23374 什么叫MOSFET，作為電子硬件設(shè)計(jì)中非常重要的器件MOSFET有怎樣的特性？MOSFET體二極管的作用？
2019-05-11 09:19:503432 
本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測(cè)試結(jié)果，來(lái)探討MOSFET的反向恢復(fù)特性。該評(píng)估中的試驗(yàn)電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應(yīng)的確認(rèn)工作也基于上次內(nèi)容，因此請(qǐng)結(jié)合
2020-12-21 14:25:457583 
本文報(bào)道了TSV過(guò)程的細(xì)節(jié)。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m，深度:22 m)。通過(guò)這種TSV工藝的晶片。我們?nèi)A林科納研究了TSV的電學(xué)特性，結(jié)果表明TSV具有低電阻和低電容；小的TSV-硅漏電流和大約83%的高TSV產(chǎn)率。
2022-06-16 14:02:432748 
MOS柵結(jié)構(gòu)是MOSFET的重要組成部分，一個(gè)典型的N溝道增強(qiáng)型結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。其中柵極、源極和漏極位于同一個(gè)平面內(nèi)，半導(dǎo)體的另一個(gè)平面可以稱為體端，所以在一些書籍和資料中，也將MOSFET
2022-09-06 10:53:004095 MOSFET-MOS管特性參數(shù)的理解
2022-12-09 09:12:371867 SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結(jié)構(gòu)
2023-02-12 16:03:093214 
功率電路中常用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的MOSFET(還有橫向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)的MOSFET，但很少用于耐高壓的功率電路中)，如下圖是這種MOSFET的分層結(jié)構(gòu)圖。
2023-02-16 11:25:471303 
現(xiàn)在所有電子產(chǎn)品中的芯片、放大器中的基本結(jié)構(gòu)就是MOSFET，學(xué)好MOSFET是理解這些芯片、放大電路的前提。
2023-02-16 11:34:052670 
上一期中提到 當(dāng)V_DS>V_GS-V_TH時(shí)，溝道中出現(xiàn)夾斷效應(yīng)，溝道的長(zhǎng)度對(duì)略微減小。很多場(chǎng)景我們可以忽略這個(gè)長(zhǎng)度的變化，但是當(dāng)精度要求比較高的時(shí)候，我們就需要把溝道長(zhǎng)度的變化考慮進(jìn)來(lái)。
2023-02-16 11:38:21371 
前幾期的內(nèi)容介紹了MOSFET的結(jié)構(gòu)、電學(xué)特性、電路模型，這些都是分析MOSFET放大電路的基礎(chǔ)。介紹了MOSFET放大器一般有三種類型即三種拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)，從本期開(kāi)始我將詳細(xì)介紹每一種MOSFET放大電路的特性。
2023-02-16 15:22:381203 
），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)的功率小，而且開(kāi)關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有：橫向?qū)щ婋p擴(kuò)散型場(chǎng)效應(yīng)晶體管LDMOS
2023-06-05 15:12:10671 
），漏極（ Drain ）和源極（ Source ）。功率 MOSFET 為電壓型控制器件，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)的功率小，而且開(kāi)關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的 MOSFET 的結(jié)構(gòu)有：橫向?qū)щ婋p擴(kuò)散
2023-06-28 08:39:353665 
眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開(kāi)關(guān)速度優(yōu)異。可以說(shuō)具有“理想開(kāi)關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開(kāi)態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42622 
本文介紹了MOSFET的物理實(shí)現(xiàn)和操作理論。MOSFET由NMOS和PMOS構(gòu)成，有截止區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)。圖示了NMOS和PMOS的物理結(jié)構(gòu)，以及針對(duì)不同驅(qū)動(dòng)電壓的電流-電壓曲線。還討論了飽和區(qū)的細(xì)節(jié)，展示了NMOS和PMOS的漏極電流與漏極-源極電壓之間的關(guān)系。
2023-11-15 09:30:471436 
MOSFET的非理想特性對(duì)模擬集成電路設(shè)計(jì)具有重要影響。文章介紹了非理想特性的多個(gè)方面，包括電容、體效應(yīng)、溝道長(zhǎng)度調(diào)制、亞閾值導(dǎo)通、遷移率下降以及飽和速度和壓敏降閾。同時(shí)，工藝、電壓和溫度變化也對(duì)晶體管性能產(chǎn)生影響。因此，在模擬IC設(shè)計(jì)過(guò)程中，需要考慮并解決這些非理想特性和外部條件的影響。
2023-11-16 16:15:55766 
本文就MOSFET的開(kāi)關(guān)過(guò)程進(jìn)行相關(guān)介紹與分析，幫助理解學(xué)習(xí)工作過(guò)程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡(jiǎn)單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷的過(guò)程，然后從漏極導(dǎo)通特性、也就是放大特性曲線，來(lái)理解其開(kāi)通關(guān)斷的過(guò)程，以及MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中所處的狀態(tài)。
2023-12-04 16:00:48549 
采用超級(jí)接面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不僅可克服現(xiàn)有功率MOSFET結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)，亦能達(dá)到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性
2011-12-08 10:28:101661 
關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性關(guān)于MOSFET的開(kāi)關(guān)及其溫度特性關(guān)于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和溫度特性關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性MOSFET的靜電
2019-04-10 06:20:15
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 編輯
MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理詳解`
2012-08-20 17:27:17
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理`
2012-08-20 23:25:54
2所示，公式1極適用于平面型MOSFET組件，但像超接面等更復(fù)雜結(jié)構(gòu)的表征效果極差，在任何計(jì)算中都會(huì)導(dǎo)致較大誤差。為了適應(yīng)各種新組件架構(gòu)的電容特性需求，可以使用更有效率的電容測(cè)量方法，而非建立
2014-10-08 12:00:39
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應(yīng)用？
2021-07-09 07:45:34
前篇對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開(kāi)關(guān)特性。MOSFET的開(kāi)關(guān)特性在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開(kāi)關(guān)。MOSFET的開(kāi)關(guān)特性一般提供導(dǎo)通延遲時(shí)間：Td(on）、上升時(shí)間：tr
2018-11-28 14:29:57
的電壓和電流的值稱為“閾值”。VGS(th)、ID-VGS與溫度特性首先從表示ID-VGS特性的圖表中，讀取這個(gè)MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的條件是一致的。ID為1mA時(shí)的VGS為VGS
2019-05-02 09:41:04
從單片機(jī)轉(zhuǎn)到ARM ―― ARM架構(gòu)基礎(chǔ)知識(shí)小結(jié)
2020-12-29 06:16:15
LED器件的電學(xué)指標(biāo)有哪幾項(xiàng)？LED器件的極限參數(shù)有哪幾項(xiàng)？ LED的其他電學(xué)參數(shù)是什么？LED有哪些應(yīng)用？
2021-08-03 07:30:09
MOS晶體管等效電路的電學(xué)特性的的PSPICE仿真該如何去做？、有啥思路？[em:9:]
2014-05-07 20:32:28
的區(qū)別所謂SiC-MOSFET－體二極管的特性所謂SiC-MOSFET－溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品所謂SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例所謂
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來(lái)越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過(guò)目前ROHM已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計(jì)劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
- ID特性 SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開(kāi)啟電壓，所以從小電流到大電流的寬電流范圍內(nèi)都能夠?qū)崿F(xiàn)低導(dǎo)通損耗。 而Si-MOSFET在150°C時(shí)導(dǎo)通電阻上升為室溫條件下的2倍以上
2023-02-07 16:40:49
光纖連接器的基本結(jié)構(gòu)，有什么特性？
2021-05-26 06:24:01
1 橫向雙擴(kuò)散型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor）有三個(gè)管腳，分別為
2016-10-10 10:58:30
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個(gè)電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
`從MOSFET 物理結(jié)構(gòu)分析器件特性，想深入了解MOSFET有幫助。`
2011-03-07 23:02:53
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表的開(kāi)關(guān)特性中，列出了柵極電荷的參數(shù)，包括以下幾個(gè)參數(shù)，如下圖所示。Qg(10V)：VGS=10V的總柵極電荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的總柵極電荷。Qgd：柵極
2017-01-13 15:14:07
，功率MOSFET很少接到純的阻性負(fù)載，大多數(shù)負(fù)載都為感性負(fù)載，如電源和電機(jī)控制；還有一部分的負(fù)載為容性負(fù)載，如負(fù)載開(kāi)關(guān)。既然功率MOSFET所接的負(fù)載大多數(shù)為感性負(fù)載，那么上面基于阻性負(fù)載的開(kāi)關(guān)特性
2016-12-16 16:53:16
圖。為了改善某些參數(shù)的特性，如提高工作電流、提高工作電壓、降低導(dǎo)通電阻、提高開(kāi)關(guān)特性等有 不同的結(jié)構(gòu)及工藝，構(gòu)成所謂VMOS、DMOS、TMOS等結(jié)構(gòu)。圖2是一種N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET
2011-12-19 16:52:35
系列Hybrid MOS是同時(shí)具備超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ MOSFET”）的高速開(kāi)關(guān)和低電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
是否有白皮書明確規(guī)定了如何使用 MosFET 開(kāi)啟特性來(lái)抑制浪涌電流？
設(shè)計(jì)類似于 TLE9853 評(píng)估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。
通過(guò)模擬感性負(fù)載，我們 CAN 控制電流
2024-01-29 07:41:55
如何入門電學(xué)？
2014-03-29 21:50:36
混合SET/MOSFET 結(jié)構(gòu)與特性是什么？如何利用SET/MOSFET 混合結(jié)構(gòu)的傳輸特性去設(shè)計(jì)數(shù)值比較器？
2021-04-13 07:12:01
也是不允許的。下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。1、MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的...
2021-07-29 09:46:38
應(yīng)的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢(shì)壘二極管，包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi)，特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號(hào)即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET
2018-12-05 10:04:41
漫畫電學(xué)原理
2013-01-28 23:51:08
MOSFET的柵極電荷特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程MOSFET的漏極導(dǎo)通特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程
2021-04-14 06:52:09
范圍。因?yàn)榻酉聛?lái)的幾篇將談超級(jí)結(jié)MOSFET相關(guān)的話題，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎(chǔ)上，根據(jù)其特征和特性對(duì)使用區(qū)分有個(gè)初步印象。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍。可以看出
2018-11-28 14:28:53
有效地表征超薄SIMOX材料的電學(xué)性質(zhì)。<br/>【關(guān)鍵詞】：SOI;;SIMOX;;Pseudo-MOSFET;;隱埋氧化層<br/>【DOI
2010-04-24 09:02:19
電阻和電容的基本電學(xué)特性:電阻對(duì)電流形成阻力，電阻消耗功率，理想化的電阻元件，電阻器的分類與型號(hào)表示法等內(nèi)容。
2009-09-22 08:12:51
10 熱敏電阻電學(xué)特性熱敏電阻的物理特性用下列參數(shù)表示：電阻值、B值、耗散系數(shù)、熱時(shí)間常數(shù)、電阻溫度系數(shù)。
2010-01-14 11:03:5831 LED電子顯示屏是利用化合物材料制成pn結(jié)的光電器件。它具備pn結(jié)結(jié)型器件的電學(xué)特性：I-V特性、C-V特性和光學(xué)特性：光譜響應(yīng)特性、發(fā)光光強(qiáng)指向特性、時(shí)間特性以及熱學(xué)特
2010-06-24 08:54:5258 電學(xué)元件的伏安特性測(cè)量:電路中有各種電學(xué)元件，如線性電阻，半導(dǎo)體二極管和三極管，以及光敏，熱敏和壓敏元件等。
2010-10-06 10:54:4522
MAX630最小結(jié)構(gòu)DC-DC變換電路圖
2009-05-13 15:05:27665 
圖所示為IR功率MOSFET的基本結(jié)構(gòu)。圖中每一個(gè)六角形是一個(gè)MOSFET的原胞（cell）。正因?yàn)樵橇切蔚模╤exangular）,因而IR常把它稱為HEXFET。功率MOSFET通常由許多個(gè)MOSFET原胞
2009-07-27 09:42:422963 
本文將利用Silvaco公司的Atlas器件模擬軟件，結(jié)合Miller等人的鐵電極化模型及電荷薄片模型，對(duì)MFIS結(jié)構(gòu)器件的C—V特性及記憶窗口進(jìn)行模擬，討論應(yīng)用電壓、絕緣層厚度及材料對(duì)MFIS結(jié)構(gòu)器
2011-07-13 10:32:231713 
用電阻噪聲確定一個(gè)低噪聲放大器的特性，由SET 的周期振蕩特性和MOSFET 的閾值電壓特性可構(gòu)成雙柵極SET/MOSFET 通用方波電路[8]，它是構(gòu)成邏輯門電路的基本單元
2011-09-30 11:08:121469 
詳細(xì)分析了UTB 結(jié)構(gòu)的交流特性. 通過(guò)分析UTB SOI 器件的硅膜厚度、側(cè)墻寬度等結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)器件交流特性的影響,對(duì)器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化. 最終針對(duì)UTB SOI MOSFET結(jié)構(gòu)提出了一種緩解速度和功耗
2011-12-08 17:16:0427 使用ISE-TCAD二維器件仿真軟件,對(duì)SiCOI MESFET的電學(xué)特性進(jìn)行模擬分析。結(jié)果表明,通過(guò)調(diào)整器件結(jié)構(gòu)參數(shù),例如門極柵長(zhǎng)、有源層摻雜濃度、有源區(qū)厚度等,對(duì)器件轉(zhuǎn)移特性、輸出特性有較大
2012-02-22 10:56:1933 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)講座_功率MOSFET特性參數(shù)的理解。
2016-03-24 17:59:0847 利用電學(xué)法測(cè)量器件的溫升、熱阻及進(jìn)行瞬態(tài)熱響應(yīng)分析是器件熱特性分析的有力工
具、本文利用電學(xué)法測(cè)量了GaAs MESFET在等功率下，加熱響應(yīng)曲線隨電壓的變化，并通過(guò)
紅外熱像儀測(cè)量其溫度分布
2016-05-06 17:25:211 digsilent光伏小結(jié)
2017-03-16 14:26:100 本文詳細(xì)介紹了光學(xué)、電學(xué)和熱特性的判定在半導(dǎo)體照明測(cè)量中的重要性及解決方案。
2017-11-14 13:22:126 作為FeFET的核心部件，其電學(xué)性能將影響到鐵電存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)能力和穩(wěn)定性。在已有的研究中，研究者一方面采用實(shí)驗(yàn)方法研究MFIS結(jié)構(gòu)器件的電學(xué)性能，另一方面試圖從理論上對(duì)器件的電學(xué)性能進(jìn)行研究。
2018-06-08 17:40:004237 
本文是對(duì)mybatis使用經(jīng)驗(yàn)小結(jié)。
2018-02-24 08:46:551878 
本文詳細(xì)的對(duì)MOSFET的每個(gè)特性參數(shù)進(jìn)行分析
2018-03-01 09:14:544661 
長(zhǎng)度L隨著V_DS的增加而略有減少，因此I_D隨著V_DS的增加而略有增加。I_D可以使用以下公式表示 如果不考慮通道長(zhǎng)度的變化，則V_A是無(wú)限的，而如果我們考慮通道長(zhǎng)度的變化，則V_A是有限的值。隨V_DS變化的I_D的伏安特性曲線如下。 二、MOSFET的結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性
2021-04-23 17:03:402874 
LED（Light-emitting diodes）作為一種電光轉(zhuǎn)換器件，不僅要求其具有較高的外量子效率，優(yōu)良的電學(xué)（I-V）特性也是決定其電光轉(zhuǎn)化效率的關(guān)鍵因素之一。因此對(duì)I-V特性的深入研究
2021-05-12 11:57:502134 
DCDC環(huán)路補(bǔ)償小結(jié)(無(wú)線電源技術(shù))-??DCDC環(huán)路補(bǔ)償小結(jié)? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
2021-09-18 11:10:0977 功率MOSFET特性參數(shù)的理解
2022-07-13 16:10:3924 關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問(wèn)題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:151687 
MOSFET特性參數(shù)說(shuō)明
2022-08-22 09:54:471705 在本例中，通過(guò)使用FDTD求解器和CHARGE求解器對(duì)CMOS圖像傳感器的光學(xué)和電學(xué)特性進(jìn)行仿真，從而分析其角度響應(yīng)。仿真的結(jié)果主要包括：光的空間分布與傳輸，光效率及量子效率與光入射角度的關(guān)系，同時(shí)還分析了微透鏡位移產(chǎn)生的影響。
2022-10-19 11:51:101231 內(nèi)容主要包括
一、MOSFET的分類
二、MOSFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)以及技術(shù)升級(jí)過(guò)程介紹
三、MOSFET的工作原理
四、MOSFET的主要特性（轉(zhuǎn)移特性、開(kāi)關(guān)特性、輸出特性
2022-11-15 17:10:270 MOSFET結(jié)構(gòu)、特性參數(shù)及設(shè)計(jì)詳解
2023-01-26 16:47:00784 近年來(lái)超級(jí)結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET”）應(yīng)用越來(lái)越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對(duì)SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進(jìn)行說(shuō)明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。
2023-02-08 13:43:20790 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
繼前篇的Si晶體管的分類與特征、基本特性之后，本篇就作為功率開(kāi)關(guān)被廣為應(yīng)用的Si-MOSFET的特性作補(bǔ)充說(shuō)明。MOSFET的寄生電容：MOSFET在結(jié)構(gòu)上存在下圖所示的寄生電容。
2023-02-09 10:19:241995 
前篇對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開(kāi)關(guān)特性。MOSFET的開(kāi)關(guān)特性：在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開(kāi)關(guān)。
2023-02-09 10:19:242519 
繼上一篇MOSFET的開(kāi)關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性--柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
在SiC MOSFET的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 16:13:002571 SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:102935 
新一代的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET中有一些在關(guān)斷的過(guò)程中溝道具有提前關(guān)斷的特性，因此，它們的關(guān)斷的特性不受柵極驅(qū)動(dòng)電阻的控制，但是，并不是所有的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET都具有這樣的特性，和它們內(nèi)部結(jié)構(gòu)、單元尺寸以及電壓額定等多個(gè)因素相關(guān)。
2023-02-16 10:39:36580 
功率MOSFET的輸出電容Coss會(huì)隨著外加電壓VDS的變化而變化，表現(xiàn)出非線性的特性，超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓功率MOSFET采用橫向電場(chǎng)的電荷平衡技術(shù)
2023-02-16 10:52:42280 
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2023-02-18 20:21:00787 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
以上就是MOSFET的漏-源極處于正偏置狀態(tài)基本工作原理，還有必要關(guān)注MOSFET在通態(tài)時(shí)的特性，會(huì)出現(xiàn)與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管一樣的線性、過(guò)渡、飽和等區(qū)域。
2023-06-03 11:22:09836 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiCMOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結(jié)構(gòu)的中間
2023-06-19 16:39:467 SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因?yàn)镾iC MOSFET體二極管具有獨(dú)特的特性。對(duì)于1200V SiC MOSFET來(lái)說(shuō)，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:071113 
在研究MOSFET的實(shí)際工作原理前我們來(lái)考慮這種器件的一個(gè)簡(jiǎn)化模型,以便對(duì)晶體管有一個(gè)感性認(rèn)識(shí):我們預(yù)期它有什么樣的特性以及特性的哪些方面是重要的。
2023-10-21 11:35:221403 
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。
2023-11-03 14:53:42500 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:17222 
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:26157 【科普小貼士】MOSFET的性能：電容的特性
2023-11-23 09:09:05505 
【科普小貼士】按結(jié)構(gòu)分類的MOSFET特性摘要
2023-12-13 14:15:07127 
【科普小貼士】MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理
2023-12-13 14:20:43367 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)如圖1所示，驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)過(guò)圖騰柱放大后，經(jīng)過(guò)一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg給MOSFET驅(qū)動(dòng)。
2024-01-22 18:09:54288 
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