)為 10V 時，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大導通電阻 (Rds(on))分別為 0.8毫歐和和0.75毫歐。新MOSFET的裸片單位面積(Rds(on))電阻非常低，因此可以采用節省空間且熱效
2022-06-24 09:57:45
1546 
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發動機壓電噴射系統。
2012-08-15 11:25:081422 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業應用提供基準導通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導通電阻，有助于提升系統效率，還可讓設計人員在多個MOSFET并聯使用時減少產品的組件數量。
2013-01-22 13:27:211206 簡化的MOSFET等效電路MOSFET開通（turn on）過程MOSFET損耗——Rds和Rg電阻損耗Di
2017-10-31 15:43:3821569 
? 1、超級結構 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362774 
日前發布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 汽車級MOSFET導通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導通功耗，節省能源，同時增加功率密度提高輸出。
2021-04-07 10:34:071562 Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產線啟動，首批產品使用最新的NextPower芯片技術的低RDS（on）和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。
2021-06-24 09:18:57701 SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品，隨后Nexperia將持續擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，
2023-11-30 09:12:02432 
(SOT)-23，漏源導通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，你有空間受限的問題嗎？”我問。他承認有，于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2022-11-16 07:06:25
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
，即在截止區和非飽和區之間來回轉換。電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時器件導通。電力MOSFET的通態電阻具有正溫度系數，對器件并聯時的均流有利。 2.3.2動態特性
2019-06-14 00:37:57
是選擇小于1的電荷比QGD/QGS1。防止C dv/dt感應導通的其他因素包括低驅動漏極阻抗(同步MOSFET Q2的導通電阻RDS(on) 及其封裝，在抑制C dv/dt導通方面具備同等的重要性
2019-05-13 14:11:31
系列為例，介紹trr的高速化帶來的優勢。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導通電阻及低柵極總電荷量特征、且進一步實現了
2018-11-28 14:27:08
VDS由流過的電流ID與導通電阻的乘積來確定。為什么這個區被定義為可變電阻區呢？功率MOSFET數據表中定義的導通電阻都有一定的條件，特別是VGS，當VGS不同時，溝道的飽和程度不同，因此不同的VGS
2016-12-21 11:39:07
`Nexperia 200V超快恢復整流器擁有高功率密度，同時最大限度地減少了反向恢復時間和損耗。這些器件是大功率密度、超快恢復整流器，采用高效平面技術，采用小型扁平引線SOD123W或SOD128
2020-02-13 14:30:30
的工作環境，由于其額定溫度為+175°C，因此非常適合用于要求高溫的環境。Nexperia汽車用MOSFET具有額定重復性雪崩，開關速度非常快，ESD電阻高。Nexperia MOSFET采用先進的業界領先
2021-01-23 11:20:27
，設計工程師已經習慣于接受效率和隔離能力之間的折衷。然而，來自 Nexperia 的最新特定應用 50 V 和 55 V MOSFET 避免了這樣的折衷。它們得益于卓越的超結技術，可產生較低的導通電阻，而
2022-10-28 16:18:03
、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。這幾款單通道高側開關IC采用N溝道功率MOSFET，具備低導通電阻（典型值63m?，VIN=5V），輸入電壓范圍2.7V~5.5V，非常適用于通用串行總線（USB
2019-04-10 06:20:03
了開關損耗，促進了白色家電和工業設備等電機驅動器和變頻器應用的低功耗化發展。R60xxMNx系列新品是以“不僅保持現有R60xxFNx系列的高速trr性能，還要進一步降低導通電阻和Qg（柵極總電荷量）并
2018-12-04 10:23:36
MOSFET的低噪聲特性與SJ MOS的低導通電阻特性的系列產品。下面是ROHM第一代標準特性的AN系列、其他公司同等產品及EN系列的噪聲特性比較圖。EN系列因其保持了平面MOSFET的噪聲水平、且導通電阻
2018-12-05 10:00:15
。在隔離型1/16thbrickDC-DC轉換器應用中，Power33MOSFET的最大RDS(ON)僅為1.3mΩ，與具有同等占位面積的競爭解決方案相比減小了25%。此外，該器件減小了傳導損耗，從而
2012-04-28 10:21:32
本帖最后由 luna 于 2011-3-3 15:02 編輯
高性能音頻和增強了的噪音抑制性能Fairchild二通道單刀雙擲,低導通電阻的音頻開關已經開發了通過減少音頻爆破音的可能性來加強語音體驗。它們包括了最近的特性,具體地說是擁有終端電阻,提供緩慢開啟時間和允許負電壓信號的能力。
2011-03-02 23:11:29
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電阻
2010-05-06 08:55:20
AUIRF8736M2與上一代設備相比，導通電阻（Rds（on））改善了40%,從而可以將傳導損耗降到最低。 性能特點： ●COOLiRFET硅技術 ●實現傳導損耗最低 ●系統尺寸減小 ●成本降低 ●采用
2018-09-28 15:57:04
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導通電阻為7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23
我在網上一些帖子上面看到，MOS管導通后如果工作在現行放大區的話就有可能燒壞管子，這是因為線性區的ID電流較大，同時RDS也較大，功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應用手冊，上面提到的導通后RDS都是mΩ級別的，這個也算是電阻大嘛？這不是與上面的介紹想矛盾嗎？另外，MOS的功耗究竟應該怎么計算呢？
2018-10-25 11:14:39
的設計而言，它大幅降低了MOSFET導通電阻，并保持了出色的開關性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
有助于在應用程序中節省空間。 這些MOSFET具有出色的高速開關和低導通電阻。查看詳情<<<特性：低RDS(on)降低功耗；低壓驅動；提供大電流Vds-漏源極
2021-02-02 09:55:16
。此外，為了進一步提高電機的效率并減小尺寸，對于MOSFET還提出了更低導通電阻和高速開關工作的要求。在這種背景下，ROHM繼2020年年底發布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又開發出在Nch
2021-07-14 15:17:34
號的MOSFET是平面結構，而SJ MOSFET僅僅是結構不同。當然，還有雜質濃度等細小差異。SJ MOSFET因結構不同，導通電阻RDS(ON)(ON)與柵極電荷量Qg顯著降低。SJ MOSFET本身其他
2019-04-29 01:41:22
，SiC MOSFET可在更寬的范圍內保持低導通電阻。此外，可以看到，與150℃時的Si MOSFET特性相比，SiC、Si-MOSFET的特性曲線斜率均放緩，因而導通電阻增加。但是
2018-12-03 14:29:26
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關速度、更高的電流密度以及更低的導通電阻，非常適用于電網轉換、電動汽車、家用電器等高功率應用。但是，在實際應用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
電阻低，通道電阻高，因此具有驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結構。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導通電阻，近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
，與Si-MOSFET不同，SiC-MOSFET的上升率比較低，因此易于熱設計，且高溫下的導通電阻也很低。 4. 驅動門極電壓和導通電阻 SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2023-02-07 16:40:49
設計，且高溫下的導通電阻也很低。※該數據是ROHM在相同條件下測試的結果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅動門極電壓和導通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-04-09 04:58:00
設計，且高溫下的導通電阻也很低。※該數據是ROHM在相同條件下測試的結果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅動門極電壓和導通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-05-07 06:21:55
圖1 RDS(on)在最高工作溫度的30%～150%這個范圍內隨溫度增加而增加導通電阻對N溝道和P溝道MOSFET都是十分重要的。在開關電源中，Qg是用在開關電源里的N溝道MOSFET的關鍵選擇標準
2019-09-04 07:00:00
一種傳統平面式高壓MOSFET的簡單結構。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸
2017-08-09 17:45:55
1.低導通電阻 卓越的溝槽工藝與封裝技術相結合實現了低的導通電阻。這有助于提升您應用中的產品性能。 2.小型封裝產品陣容3.封裝類型[tr=transparent]Toshiba Package
2018-05-15 22:37:38
器件相比，具有更低的導通電阻和更高的電壓耐受能力。（圖片來源：ROHM Semiconductor）標準硅 MOSFET 在高至 150°C 的溫度條件下工作時，RDS(on) 導通電阻要高出 25
2017-12-18 13:58:36
電氣技師和電子制造工程師用接地導通電阻測試儀驗證電器和消費產品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當地連接到了其機殼底座。當電器內部發生故障電流時，如果電器沒有適當地連接到已接地的機殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
電源型產品，皆有提供。 BD9E100FJ-LB、BD9E101FJ-LB是ROHM推出的內置低導通電阻功率MOSFET的同步整流降壓型開關穩壓器，具有非常寬的輸入電壓范圍。采用電流控制模式，具有高速
2019-04-01 22:19:17
需要具備非常先進的技術能力才能實現。此外，內置MOSFET的導通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。 BD9G341AEFJ的轉換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊
2018-10-19 16:47:06
非常先進的技術能力才能實現。此外，內置MOSFET的導通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的轉換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內置
2018-12-04 10:10:43
。圖1：正向偏置SOA安全工作區（1）SOA曲線左上方的邊界斜線，受漏源極的導通電阻RDS（ON）限制。因為在一定的VGS的電壓下，功率MOSFET都有一個確定的RDS（ON），因此：VDS = ID
2016-10-31 13:39:12
MOSFET和開關頻率不太高的中壓功率MOSFET。如果需要低的導通電阻，只有增大的晶片面積，晶片的面積受到封裝尺寸的限制，因此不適合于一些高功率密度的應用。平面型高壓的功率MOSFET管的耐壓主要通過厚的低
2016-10-10 10:58:30
系列Hybrid MOS是同時具備超級結MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）的高速開關和低電流時的低導通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時的低導通電阻這些優異特性的新結構MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
程中導致開關電流升高。 盡管超結MOSFET開關管優化過的體硅二極管大幅降低了能耗，但IGBT還是能夠利用共同封裝的超快速二極管降低導通能耗。 在低功率壓縮機驅動電路內，意法半導體最新超結MOSFET
2018-11-20 10:52:44
所示。Q1為放電管，使用N溝道增強型MOSFET,實際的工作中，根據不同的應用，會使用多個功率MOSFET并聯工作，以減小導通電阻，增強散熱性能。RS為電池等效內阻，LP為電池引線電感。 正常工作
2018-09-30 16:14:38
的元件中，難于實現低導通電阻及將開關應用的能耗降至最低。為了實現這些參數的高質量組合，元件必須擁有小裸片尺寸，并帶有高單元密度及低電容和低閘極電荷。 移動設備用MOSFET的微型化 通常情況下，有多種
2018-09-29 16:50:56
×1.0mm / 2W）用4540規格實現與SOP8型封裝（5060規格：5.0×6.0×1.75mm）同樣高的封裝功率（安裝面積減少約40％，高度減小約40％）2） 由于其中采用了新開發的低導通電阻芯片，獲得了大的電流額定值ID=6A Max.（MP6K62）:
2018-08-24 16:56:26
的解決方案，但是需要在這兩種參數之間做一些折中和平衡。低柵極電荷通常意味著更小的柵極面積/更少的并聯晶體管，以及由此帶來的高導通電阻。另一方面，使用更大/更多并聯晶體管一般會導致低導通電阻，從而產生更多
2019-11-30 18:41:39
”這個參數的影響。下面以“升降壓轉換器的傳遞函數導出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉換器為基礎，按照同樣步驟來推導。右側電路圖在上次給出的升降壓轉換器簡圖上標出了作為開關的MOSFET的導通電阻
2018-11-30 11:48:22
(SOT)-23，漏源導通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，你有空間受限的問題嗎？”我問。他承認有，于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2018-08-29 16:09:11
的根本原因。 （2）降低高壓MOS管導通電阻的思路。增加管芯面積雖能降低導通電阻，但成本的提高所付出的代價是商業品所不允許的。引入少數載流 以上兩種辦法不能降低高壓MOS管的導通電阻，所剩的思路就是
2018-11-01 15:01:12
測量MOS管的導通電阻除了在選定開關時有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
通道數量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V Id-連續漏極電流: 36 A Rds On-漏源導通電阻: 190 mOhms Vgs
2020-04-01 11:07:48
和反向恢復電荷（Qrr）的函數。柵極驅動損耗由MOSFET的柵電荷（Qg）決定。因此,寄生電容和導通電阻（RDS(on)）決定了器件在特定應用中的性能。在現今的低壓MOSFET中最普遍使用的技術
2012-12-06 14:32:55
小的MOSFET晶胞并聯組成,在單位的面積上，并聯的MOSFET晶胞越多，MOSFET的導通電阻RDS(ON)就越小。同樣的，晶元的面積越大，那么生產的MOSFET晶胞也就越多，MOSFET的導通電阻
2016-09-26 15:28:01
TrenchFET? IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產品。與TrenchFET III相比，TrenchFET IV的導通電阻(RDS(ON))和柵極電荷(QG, QGD
2013-12-31 11:45:20
實現了良好的二極管導電性。優化設計的1.2kV級SBD嵌入式MOSFET導通電流特性評估結果證實，采用格子花紋設計將嵌入式SBD靠近體二極管可以有效限制寄生二極管雙極性導通，相同SBD占位面積條件下
2023-04-11 15:29:18
開關時的額外柵極電壓降低了20％。另外，使MOSFET導通所需的閾值電壓（Vth）增加了約1.5倍，是“不易產生誤開啟現象的設計”。因此，擴大了用戶通過柵極電阻來進行損耗調節的范圍。2.改善恢復特性
2020-03-12 10:08:31
開關時的額外柵極電壓降低了20％。另外，使MOSFET導通所需的閾值電壓（Vth）增加了約1.5倍，是“不易產生誤開啟現象的設計”。因此，擴大了用戶通過柵極電阻來進行損耗調節的范圍。2.改善恢復特性
2020-03-12 10:08:47
概述：FPF1006是一款負載管理產品它內部采用低導通闡值電壓-Vgs(th)及低導通電阻Rds(on)的P溝道功率MOSFET，并采用導通斜率上升控制，可減小沖擊電流，FPF1006內部有75-120Ω下拉電
2021-04-06 09:56:02
性和低噪聲特征，超級結MOSFET有一些變化。從下篇開始，將介紹每種變化的特征。關鍵要點:?Si-MOSFET的產品定位是“以低～中功率高速工作”。?超級結結構可保持耐壓的同時，降低導通電阻RDS
2018-11-28 14:28:53
平面式高壓MOSFET的結構圖1顯示了一種傳統平面式高壓MOSFET的簡單結構。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現較低
2018-10-17 16:43:26
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導通。導通時，電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻，稱為導通電阻RDS（ON）。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此，總是
2011-08-17 14:18:59
壓時，其開關導通。導通時，電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻，稱為導通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空，器件將不
2013-03-11 10:49:22
損耗，這稱之為導通損耗。MOSFET在“導通”時就像一個可變電阻，由器件的RDS(ON)所確定，并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算，由于導通電阻隨溫度變化，因此功率
2012-10-30 21:45:40
損耗，這稱之為導通損耗。MOSFET在“導通”時就像一個可變電阻，由器件的RDS(ON)所確定，并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算，由于導通電阻隨溫度變化，因此功率
2012-10-31 21:27:48
幾乎被外 延層電阻占據。欲獲得高阻斷電壓，就必須采用高電阻率的外延層，并增厚。這就是常規高壓MOSFET結構所導致的高導通電阻的根本原因。 2、降低高壓MOSFET導通電阻的思路 增加管芯面積雖能
2023-02-27 11:52:38
AN系列是以“漏極-源極間導通電阻RDS(on)和柵極總電荷量Qg比平面MOSFET大幅降低”為目的，最先開發的SJ-MOSFET。與平面MOSFET相比，RDS(on)降低了50%，Qg降低了40
2018-12-03 14:27:05
溝槽柵低壓功率MOSFET的發展-減小漏源通態電阻Rds(on):近些年來，采用各種不同的溝槽柵結構使低壓MOSFET 功率開關的性能迅速提高。本文對該方面的新發展進行了論述。本文上篇著
2009-12-13 20:02:04
11 因為功率MOSFET的導通電阻和耐壓有以下的關系，即Rds(on)∞BVds2.4～2.7所在總芯片面積相等的情況下，如把幾個低壓MOSFET串聯連接，比1個高耐壓MOSFET的導通電阻低。
2010-05-25 08:16:05170 MOSFET將封裝面積減半-Zetex新款無鉛型Zetex 新款無鉛型 MOSFET 將占位面積減半模擬信號處理及功率管理方案供應商Zetex Semiconductors (捷特科)公司推出其
2008-03-22 14:46:02484 理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數特性
通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數，因此可以并聯工作。當其中一個并聯的MOSFET的溫度上升時，具有
2009-11-10 10:53:134381 
Vishay Siliconix推出業內最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 TI發布具備更低導通電阻的集成負載開關
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 mΩ 標準導通電阻 (RON) 比同類競爭產品低
2009-12-21 08:45:27478 TI 推出具備最低導通電阻的完全整合型負載開關
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:28846 IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391444 導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么?
傳統模擬開關的結構如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯構成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:474912 IR推出汽車專用MOSFET系列低導通電阻
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32746 飛兆半導體推出了導通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391534 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ，包括電動助力轉向系統 (EPS) 、集成式起動發電機 (ISA) 泵和電機控制
2011-09-15 09:27:391312 瑞薩電子宣布推出新款低導通電阻MOSFET產品，包括經過最佳化的μPA2766T1A，做為網路伺服器與儲存系統之電源供應器內的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10938 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅動下具有業內最低的導通電阻，在便攜電子產品里能夠節省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:44885 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出一對MOSFET H橋，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產品通過減少元件數量及縮減50%的印刷電路板占位面積，簡化電機驅動和電感無線充電電路。
2015-03-03 10:43:401459 MOSFET的導通電阻
2018-08-14 00:12:0012629 半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產品。
2020-05-09 11:07:263164 Nexperia發布超小尺寸DFN MOSFET ? DFN0603封裝提高性能并顯著減少空間需求 奈梅亨，2022年7月6日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出采用
2022-07-06 16:13:22586 
借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的元件占位面積
2022-11-02 08:16:250 列產品的參考資料，助力您快速了解產品各項信息。 點擊下載產品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:02471 
Nexperia 適用于 36V 電池系統的特定應用 MOSFET
2023-11-30 11:47:40251 
近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:57316
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