全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日推出具有超低導(dǎo)通電阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業(yè)應(yīng)用，包括電
2012-12-04 22:17:34
1235 采用了CoolMOS? C7和TRENCHSTOP? 5 IGBT技術(shù)的半導(dǎo)體器件，以及采用D2PAK 7引腳表面貼裝封裝的1200V CoolSiC? MOSFET（IMBG120R350M1H
2022-08-09 15:17:41
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
通電阻降低0.4 mΩ，同時大幅改進(jìn)了電流處理功能。采用7引腳D2PAK封裝的典型代表是IRFS3004-7PPBF。該MOSFET的額定電壓為40 V，導(dǎo)通電阻為1.4 mΩ，漏電流(ID)為240
2019-05-13 14:11:31
封裝在開關(guān)速度、效率和驅(qū)動能力等方面的有效性。最后，第四節(jié)分析了實(shí)驗波形和效率測量，以驗證最新推出的TO247 4引腳封裝的性能。 II.分析升壓轉(zhuǎn)換器中采用傳統(tǒng)的TO247封裝的MOSFET A.開關(guān)
2018-10-08 15:19:33
電池管理芯片上面的MARK標(biāo)注SSZB,封裝為5-Pin SOT23，又沒人有知道啊？是不是LM2735啊？發(fā)個照片上來哇，求指導(dǎo)
2013-09-05 12:34:04
描述采用 MOSFET 的隔離式自供電交流固態(tài)繼電器參考設(shè)計是一種繼電器替代方法，可實(shí)現(xiàn)高效的電源管理，適用于以低功耗方式替代標(biāo)準(zhǔn)機(jī)電式繼電器。電隔離以電容方式實(shí)現(xiàn)，可以在恒溫器和其他類似的設(shè)備中
2018-07-13 06:11:25
電動工具、園藝工具和吸塵器等電器采用低電壓（2至10節(jié)）鋰離子電池供電的電機(jī)驅(qū)動器。這些工具使用有刷直流(BDC)或三相無刷直流（BLDC）電機(jī)。BLDC電機(jī)的效率更高、維護(hù)少、噪音小，且使用壽命
2019-03-05 06:45:07
DN05029 / D，Design Note描述了一種簡單，低成本，高性能的離線正激轉(zhuǎn)換器電源，采用NCP1251B反激式控制器（TSOP6封裝），NDD04N60 D-Pak Mosfet
2019-11-05 08:50:35
EVAL-AD5443-DBRDZ，評估板，采用AD5443,12位高帶寬乘法DAC，串行接口。該器件采用3 V至5.5 V電源供電，非常適合電池供電的應(yīng)用和許多其他應(yīng)用。這些DAC采用雙緩沖3線
2019-10-29 07:40:15
MOSFET 采用 100%銅夾片LFPAK 封裝。該封裝堅固耐用，提供較高的板級可靠性和出色的熱性能。LFPAK 封裝適用于汽車以及工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用。△ 具有較大 SOA 的 Nexperia MOSFET適用于 36V 鋰電池系統(tǒng)應(yīng)用
2022-10-28 16:18:03
，可改善散熱性能。圖5如圖5所示，選用帶7個管腳的D2Pak封裝，代替標(biāo)準(zhǔn)的D2Pak封裝，可避免出現(xiàn)熱集中點(diǎn)，從整體上降低器件的溫度。SuperSO8封裝具備更多的優(yōu)越性。 圖6圖6對采用帶7個管腳
2018-12-07 10:21:41
，TO263-7L（D2PAK）和TO268-2L（D3PAK）封裝。TO247-3L是最常見的封裝，廣泛用于特定和通用應(yīng)用。TO-247-4L是一個四引腳封裝，使用開爾文連接作為柵極驅(qū)動源端子。因此
2019-07-30 15:15:17
。 常見的直插式封裝如雙列直插式封裝(DIP)，晶體管外形封裝(TO)，插針網(wǎng)格陣列封裝(PGA)等。 典型的表面貼裝式如晶體管外形封裝(D-PAK)，小外形晶體管封裝(SOT)，小外形封裝(SOP
2018-11-14 14:51:03
如何采用D型和E型金剛石型MOSFET開發(fā)邏輯電路？
2021-06-15 07:20:40
各位大哥大姐,我想用開發(fā)板做個東西,但不想用u***供電，而是用干電池供電，那應(yīng)該怎么辦，那個D+，D-可以不用嗎？還有，vcc和gnd怎么引出來？
2019-11-06 03:07:09
電路如圖，VBATT為電池輸入端，VBAT為USB供電端，現(xiàn)在想實(shí)現(xiàn)USB供電時電池端斷開，無USB供電時電池供電，現(xiàn)在有個疑問，當(dāng)USB供電時PMOS的D電壓比S電壓高，會對電池產(chǎn)生什么危害嗎
2019-06-06 10:31:13
如何設(shè)計在電池供電與外部供電方式之間的切換電路呢？，要求當(dāng)電源適配器插入電路板時采用外部供電，拔出電源適配器時采用電池供電
2019-07-31 19:59:49
數(shù)字供電和常見的模擬供電不同，前者采用了數(shù)字PWM，體積更小的整合了數(shù)字MOSFET和DRIVER的芯片，以及體積更小的數(shù)字排感，搭配多個MLCC；而模擬供電不同，采用傳統(tǒng)的PWM芯片，每相搭配
2019-07-29 06:30:54
封裝的典型代表是IRFS3004-7PPBF。該MOSFET的額定電壓為40 V，導(dǎo)通電阻為1.4 mΩ，漏電流(ID)為240 A。同樣的芯片采用傳統(tǒng)的D2PAK封裝，其通態(tài)電阻為1.8 mΩ，額定
2011-08-18 14:08:45
問題:我的應(yīng)用沒有電池。是否可以采用無線供電？
2019-03-30 09:35:08
我的應(yīng)用沒有電池。是否可以采用無線供電？
2019-07-30 06:00:33
被壓縮,即使是在需要許多種供電電壓和實(shí)際輸出功率不斷增加的情況。先進(jìn)的封裝形式,例如DaulCool NexFET功率MOSFET就有助于工程師在標(biāo)準(zhǔn)封裝中滿足這些需求。采用了NexFET技術(shù)的功率
2012-12-06 14:32:55
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計演示板。該設(shè)計采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
在L7812c2t d^2pak封裝上，經(jīng)常能看到三行標(biāo)識，分別是l7812c2tgkodj v6chn 327請問第二行第三行那些是什么意思？
2019-06-25 04:36:10
品牌英飛凌封裝D2PAK7P批次21+數(shù)量20000制造商Infineon產(chǎn)品種類MOSFETRoHS是安裝風(fēng)格SMD/SMT封裝 / 箱體TO-263-7通道數(shù)量1 Channel晶體管極性
2022-04-18 16:06:00
UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封裝中的UF3C SiC FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC / Qorvo UF3C SiC FET
2024-02-26 19:57:09
主板MOSFET的封裝技術(shù)圖解大全
主板的供電一直是廠商和用戶關(guān)注的焦點(diǎn)，視線從供電相數(shù)開始向MOSFET器件轉(zhuǎn)移。這是
2010-03-04 11:47:447716 滿足供電需求的新型封裝技術(shù)和MOSFET
2012-08-29 14:52:06771 
采用 MOSFET 參考設(shè)計的自供電交流固態(tài)繼電器是單個繼電器的替代方法，可實(shí)現(xiàn)高效的電源管理，適用于在恒溫器應(yīng)用中以低功耗方式替代標(biāo)準(zhǔn)機(jī)電式繼電器。此 SSR 參考設(shè)計通過 24V 交流電力線實(shí)現(xiàn)自供電，可省去恒溫器電池的其他功耗。MOSFET 可快速切換，從而在不影響負(fù)載的情況下實(shí)現(xiàn)自供電。
2014-08-27 16:41:47
0 英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導(dǎo)通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 。該晶體管滿足了對適合高功率密度設(shè)計的高性能開關(guān)器件迅速增長的需求。直到最近，SiC器件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7引腳封裝。
2022-05-11 11:29:332312 2022 年 9 月 23 日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 ??(Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK
2022-09-23 16:44:35576 
D2PAK 中的 N 溝道 100 V、10 mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN8R9-100BSE
2023-02-17 19:15:540 D2PAK 中的 N 溝道 100 V、3.95 mΩ、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R7-100BSE
2023-02-21 18:48:040 D2PAK 中的 N 溝道 100 V、4.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN4R8-100BSE
2023-02-22 18:50:030 I2PAK 中的 N 溝道 100 V、6.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN7R0-100ES
2023-02-22 18:50:150 D2PAK 中的 N 溝道 100 V 7.6 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN7R6-100BSE
2023-02-22 18:50:250 I2PAK 中的 N 溝道 100 V、5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN5R0-100ES
2023-02-22 18:59:070 I2PAK 中的 N 溝道 80 V、4.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN4R3-80ES
2023-02-22 18:59:380 I2PAK 中的 N 溝道 100 V、4.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN4R3-100ES
2023-02-22 19:00:060 I2PAK 中的 N 溝道 80 V、3.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R5-80ES
2023-02-22 19:00:360 I2PAK 中的 N 溝道 80 V、3.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R3-80ES
2023-02-22 19:01:040 I2PAK 中的 N 溝道 60 V、2.2 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN2R0-60ES
2023-02-22 19:02:120 I2PAK 中的 N 溝道 40 V、1.6 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN1R5-40ES
2023-02-22 19:02:450 I2PAK 中的 N 溝道 100 V、13.9 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN013-100ES
2023-02-22 19:05:000 I2PAK 中的 N 溝道 100 V、8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN8R5-100ES
2023-02-22 19:06:000 I2PAK 中的 N 溝道 120 V、7.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN7R8-120ES
2023-02-22 19:06:390 I2PAK 中的 N 溝道 120 V、6.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN6R3-120ES
2023-02-22 19:07:290 D2PAK 中的 N 溝道 30 V、3.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN3R4-30BLE
2023-02-23 18:37:050 I2PAK 中的 N 溝道 40 V、2.1 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN2R2-40PS
2023-02-23 18:38:430 D2PAK 中的 N 溝道 30 V、1.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R5-30BLE
2023-02-23 18:39:490 D2PAK 中的 N 溝道 30 V 1.0 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMNR90-30BL
2023-02-23 18:41:090 I2PAK 中的 N 溝道 60 V、3.0 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN3R0-60ES
2023-02-23 18:42:350 I2PAK 中的 N 溝道 30 V、1.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R1-30EL
2023-02-23 18:43:580 D2PAK 中的 N 溝道 100 V 13.9 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN013-100BS
2023-02-23 18:44:381 采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、8.8 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100ESF
2023-02-23 18:44:520 采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF
2023-02-23 18:45:040 D2PAK 中的 N 溝道 40 V 7.6 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN8R0-40BS
2023-03-03 18:49:590 D2PAK 中的 N 溝道 40 V 2.9 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN2R8-40BS
2023-03-03 18:50:290 D2PAK 中的 N 溝道 30 V 2.1 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-30BL
2023-03-03 18:50:470 D2PAK 中的 N 溝道 100 V 9.6 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN9R5-100BS
2023-03-03 18:52:320 D2PAK 中的 N 溝道 80 V 8.7 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN8R7-80BS
2023-03-03 18:53:010 D2PAK 中的 N 溝道 60 V 7.8 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN7R6-60BS
2023-03-03 18:53:110 D2PAK 中的 N 溝道 100V 6.8 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN7R0-100BS
2023-03-03 18:53:300 D2PAK 中的 N 溝道 80 V 46 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN6R5-80BS
2023-03-03 18:53:440 D2PAK 中的 N 溝道 100 V 5.6 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN5R6-100BS
2023-03-03 18:53:570 D2PAK 中的 N 溝道 80 V、5.1 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN5R0-80BS
2023-03-03 18:54:090 D2PAK 中的 N 溝道 60 V、4.4 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN4R6-60BS
2023-03-03 18:54:350 D2PAK 中的 N 溝道 40 V 4.5 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN4R5-40BS
2023-03-03 18:54:460 D2PAK 中的 N 溝道 80 V、4.5 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN4R4-80BS
2023-03-03 18:55:000 D2PAK 中的 N 溝道 30 V 4.1 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN4R3-30BL
2023-03-03 18:55:320 D2PAK 中的 N 溝道 100 V 3.9 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R8-100BS
2023-03-03 18:55:570 D2PAK 中的 N 溝道 30 V 3.3 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN3R4-30BL
2023-03-03 18:56:180 D2PAK 中的 N 溝道 80 V、3.5 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R3-80BS
2023-03-03 18:56:360 D2PAK 中的 N 溝道 60 V 3.2 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R0-60BS
2023-03-03 18:56:490 D2PAK 中的 N 溝道 30 V 3.0 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R7-30BL
2023-03-03 18:57:420 D2PAK 中的 N 溝道 40 V 2.2 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN2R2-40BS
2023-03-03 18:57:590 D2PAK 中的 N 溝道 30 V、1.8 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R8-30BL
2023-03-03 18:58:100 D2PAK 中的 N 溝道 60 V 2 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN1R7-60BS
2023-03-03 18:58:270 D2PAK 中的 N 溝道 30 V 1.9 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R6-30BL
2023-03-03 18:58:420 D2PAK 中的 N 溝道 40 V 1.3 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN1R1-40BS
2023-03-03 18:59:000 D2PAK 中的 N 溝道 80 V 46 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN050-80BS
2023-03-03 18:59:500 D2PAK 中的 N 溝道 100 V 34.5 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN034-100BS
2023-03-03 19:00:100 D2PAK 中的 N 溝道 100V 26.8 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN027-100BS
2023-03-03 19:00:210 D2PAK 中的 N 溝道 30 V 22.6 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN022-30BL
2023-03-03 19:00:400 D2PAK 中的 N 溝道 80 V 17 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN017-80BS
2023-03-03 19:00:570 I2PAK 中的 N 溝道 30 V 17 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN017-30EL
2023-03-03 19:01:240 D2PAK 中的 N 溝道 30 V 17 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN017-30BL
2023-03-03 19:01:390 D2PAK 中的 N 溝道 100V 16 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN016-100BS
2023-03-03 19:01:500 D2PAK 中的 N 溝道 60 V 14.8 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN015-60BS
2023-03-03 19:02:090 D2PAK 中的 N 溝道 80 V 11 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN012-80BS
2023-03-03 19:02:251 I2PAK 中的 N 溝道 108 V 8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN8R5-108ES
2023-03-03 20:06:190 I2PAK 中的 N 溝道 40 V、1.9 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9E1R9-40E
2023-03-03 20:09:280 TO-220和TO-220 FullPack 封裝的StrongIRFET 2是新一代功率MOSFET技術(shù)，它解決了廣泛的應(yīng)用，如適配器，電視、電機(jī)驅(qū)動、電動滑板車、電池管理、輕型電動汽車、機(jī)器人、電源和園藝工具。
2023-07-19 10:44:25426 
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