14W CFL鎮流器的設計和性能測試。該電路基于由MOSFET半橋驅動的諧振拓撲。該電路由IR2520D鎮流器控制IC控制
2019-10-10 08:40:58
方案：SL9003內置MOS開關降壓型LED恒流驅動器概述SL9003 是一款內置100V 功率MOS高效率、高精度的開關降壓型大功率LED恒流驅動芯片。SL9003 采用固定關斷時間的峰值電流控制
2022-02-28 09:46:43
通訊應用使用基于半橋、全橋或同步降壓功率拓撲的電源模塊。這些拓撲使用高性能半橋驅動器實現高頻操作和高效率。半橋柵極驅動器采用的技術已在業界成功應用了數十年，UCC27282 120-V 2.5A
2019-08-01 07:20:54
、大功率 MOSFET 開關管，外圍元器件簡單，系統應用靈活，轉換效率最高可達 98%以上，輸入電壓可兼容到 100V以上，系統體積小，內置過溫保護，開路保護，過流保護，短路保護，輸入過壓保護等全套可靠
2015-12-18 11:48:51
半橋驅動器IR2103和IR2101S有什么區別嗎？可以代替IR2001S嗎？
2017-04-28 11:10:05
器件適用于隔離式DC-DC轉換器的初級側，輸入電壓高達100V。與傳統半橋及全橋控制器相比，LM5036有著自身不可替代的優勢：集成輔助偏置電源，為LM5036及原邊和副邊元器件供電，無需外部輔助電源
2019-08-23 04:45:06
2023 年 3 月 14 日，中國北京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出兩個基于Arm?Cortex? -M33內核和Arm TrustZone?技術
2023-03-14 15:30:18
在2023年上半年發布包含新柵極驅動IC的版本。瑞薩電子汽車模擬應用特定業務部副總裁大道昭表示：“瑞薩很高興面向車載應用推出具有高隔離電壓和卓越CMTI性能的第二代柵極驅動IC。我們將繼續推動針對電動車
2023-02-15 11:19:05
2023 年 3 月 2 日，中國北京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出10款結合了瑞薩廣泛產品的全新“成功產品組合”——其中包括電動汽車（EV）充電、儀表盤
2023-03-02 14:29:51
瑞薩電子與3db Access合作推出安全超寬帶解決方案
2021-02-05 07:05:13
和可靠的Flash存儲器，并且產品的高性能周邊功能模塊的統一幫助客戶實現了削減系統成本的目的。同時，瑞薩科技還通過提供低成本的開發工具、通用周邊機器的統一、Web上的技術支持，以及Simple OS
2012-08-08 19:59:58
瑞薩推出SH7216系列32-位片上Flash存儲器MCU作者：時間：2009-04-21來源：電子產品世界字號： 小 中 大關鍵詞： 瑞薩 RISC 32MCU Flash SuperH 瑞薩
2022-01-26 06:01:47
技術系統開發課題的“答案”期待“功能模塊”長期以來，瑞薩對于IGBT和MOSFET等功率器件以及模擬數字IC、光電耦合器、驅動器IC等產品推出了低端到高端的各類控制用MCU，而瑞薩提案把電力電子技術電路
2012-12-06 16:15:17
瑞薩解決方案之LCD直接驅動瑞薩車載導航系統解決方案瑞薩解決方案之洗衣機方案瑞薩解決方案之洗衣機 (740系列, R8C Tiny, H8 Tiny)瑞薩電子智能家居解決方案【視頻】瑞薩純數字照明
2015-01-30 18:27:24
MS8844是瑞盟科技推出的一款直流驅動電路，提供四個可獨立控制的半H橋驅動器。可被用于驅動直流電機，一個步進電機，4個螺線圈或者其他負載。每個輸出驅動器通道包含采用半H橋配置的N通道功率
2021-08-25 14:28:12
MS8313是瑞盟科技推出的人一款可提供三個可獨立控制的半H橋驅動器。可用于驅動螺線管或者其他負載，主要用于驅動一個三相無刷直流電機。每個輸出驅動器通道包含半H橋配置的 N 通道功率MOSFET
2021-11-11 11:48:43
MS8847是瑞盟科技推出的一款雙路H橋驅動電路。提供適用于家用電器和其他機電一體化應用。該器件可用于驅動一個步進電機或其它負載。每個輸出驅動器通道包含采用H橋配置的N通道功率MOSFET。這個
2021-09-10 10:04:05
描述DC-DC 轉換器 33-42 Vin/12V, 5A 輸出該項目最初旨在為驅動 BLDC 電機的半橋開啟高端和低端 MOSFET。最好將此設計與柵極驅動器連接。PCB+展示
2022-08-09 06:31:26
【轉】PWM亮度控制的白光LED驅動器，可驅動高達10個LED，效率高達90％SGM3726是圣邦微推出的一款高性能白光LED驅動器，內部集成了40V的FET開關管，開關頻率為1.1MHz，開關電流
2019-04-11 02:02:54
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
CK5G14 在同一顆芯片中同時集成了三個 250V 半橋柵極驅動器，特別適合于三相電機應用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅動。芯片內置了死區時間和上下管直通保護，非常有效地阻止半橋
2022-01-04 14:16:57
特征 ?三個1/2小時橋式驅動器IC –三相無刷直流電機 –電磁閥和有刷直流電機 ?高電流驅動能力：2.5-A峰值 ?低MOSFET導通電阻 ?獨立1/2 H橋控制 ?非承諾比較器
2020-07-10 14:23:52
FAN73832 是一款半橋、柵極驅動 IC，帶關斷和可編程死區時間控制功能，能驅動 MOSFET 和 IGBT，工作電壓高達 +600 V。飛兆的高壓工藝和共模噪聲消除技術可使高側驅動器在高 dv
2022-03-08 08:36:21
FAN73912MX是一款單片半橋柵極驅動 IC，設計用于高壓、高速驅動 MOSFET 和 IGBT，工作電壓高達 +1200 V。 HIN 的先進輸入濾波器針對噪聲產生的短脈沖輸入信號提供保護功能
2021-12-20 09:19:25
對這些寄生效應進行優化可以減少該問題，并且以高于100V/ns的高壓擺率實現出色的開關性能。圖1. 由獨立封裝內的驅動器驅動的GaN器件 (a)；一個集成GaN/驅動器封裝 (b)。圖2.用于仿真的半橋
2018-08-30 15:28:30
概述：IR2111是International Rectifier公司生產的一款半橋驅動器，它為雙列直插或貼片8腳封裝。驅動電壓10-20V，電流（IO+/-）200 mA /420 mA。
2021-05-19 07:43:22
LED驅動芯片概述：LN2544 為一款高效率、降壓型、內置高壓MOSFET 的恒流LED 驅動電路。LN2544 采用固定關斷時間的峰值電流檢測模式，最高輸出電壓可達100V。芯片包括一個PWM
2014-05-12 11:32:13
/ESOP-8、MSOP-8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封裝形式，給方案設計帶來更多的選擇。半橋/全橋轉換器同步降壓、升降壓拓撲電子煙、無線充 MOSFET 驅動器電源電壓工作范圍為 4.5V
2022-01-12 13:39:25
LT1160的典型應用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器。 LT 1160 / LT1162是經濟高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器
2019-05-14 09:23:01
采用半橋（或任何其他高側+低側）配置。它使用自舉技術確保正確驅動高端電源開關。驅動器采用2個獨立輸入，以適應任何拓撲結構（包括半橋，非對稱半橋，有源鉗位和全橋）
2019-10-12 10:29:07
瑞薩電子推出圍繞64位RISC-V CPU內核構建的RZ/5個通用微處理器單元（MPU），具體的型號是多少？性能怎么樣？
2024-01-11 13:03:31
描述 SL9486A是一款高壓降壓開關產品向提供高達2A的連續電流的調節器加載。它集成了高端電源電流限值通常為3.5A的MOSFET。寬5V至100V的輸入范圍適應各種降壓應用，非常適合汽車、工業
2022-07-01 15:20:52
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅動器專為特定的GaN FET驅動要求而設計，具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過較高的共模瞬態抗擾度、一套集成式保護功能
2023-09-05 06:58:54
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間，也可以通過集成在柵極驅動器IC中的去飽和功能來保護SiC
2019-07-30 15:15:17
摘要通訊應用使用基于半橋、全橋或同步降壓功率拓撲的電源模塊。這些拓撲使用高性能半橋驅動器實現高頻操作和高效率。半橋柵極驅動器采用的技術已在業界成功應用了數十年，UCC27282 120-V 2.5A
2022-11-10 07:04:55
[求助]瑞薩RL78/G13(R5F100LEA)驅動1602因為剛剛接觸這塊板子很多不懂1.之前使用51可以驅動1602，想問一下51的程序復制在瑞薩的代碼下能行么？2.有沒有瑞薩編程的教學視頻？
2015-10-21 14:39:40
采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅動器（如圖1所示）以極性相反的信號來驅動高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制輸出功率
2018-07-03 16:33:25
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著
2021-01-22 06:45:02
什么是MOSFET驅動器？MOSFET驅動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅動器
2018-09-01 09:53:17
LT1336的典型應用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅動器。浮動驅動器可以驅動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
+下橋)。高耐壓42V，大電流4.3A(峰值，實際應用中不超過40V,4A)。具有電源指示、控制輸出指示LED燈。雙全橋MOSFET驅動THB8128步進電機驅動器實物截圖：雙全橋MOSFET驅動
2019-11-12 07:00:00
推出了眾多的用于電子鎮流器的驅動電路，本文介紹的電子鎮流器基于IR公司開發的IR2153驅動器和摩托羅拉公司的MC33262功率因數控制器，是一種結構簡單，成本低廉，可靠性高的解決方案。
2012-06-07 14:42:11
電平轉換所需要的電荷（對于600V的半橋驅動器，該參數通常為5nC） 系統可靠性設計 由于直流電機是感性負載，因此當Q1關斷時，負載的電流不能突變，會轉換到由Q2的續流二極管進行續流。由于在Q2的源
2018-09-27 15:06:25
器件適用于隔離式DC-DC轉換器的初級側，輸入電壓高達100V。與傳統半橋及全橋控制器相比，LM5036有著自身不可替代的優勢：(1)集成輔助偏置電源，為LM5036及原邊和副邊元器件供電，無需外部
2022-11-10 07:46:30
描述PMP10645 參考設計適合使用反激式電源來驅動半橋的 SM74101 mosfet 驅動器。SM74101 是一款體積很小的 7A mosfet 驅動器，支持 3A 拉電流和 7A 灌電流
2018-12-21 11:39:19
全橋拓撲。這種轉換使系統的輸出功率加倍。FDMF8811集成了一對100V的功率MOSFET、120 V驅動器IC和一個自舉二極管到6.0 mm x 7.5 mm 的PQFN封裝。通過集成所有的關鍵
2018-10-24 08:59:37
穩壓器，可以解決負電壓操作期間柵極過充電的風險。這會產生定義明確且受到可靠保護的柵極驅動器電壓。 圖 4：MDC901 GaN 柵極驅動器的框圖。 圖 5：MDC901 100V 半橋評估
2023-02-24 15:09:34
闡述這些設計理念，以展現采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅動器(如圖1所示)以極性相反的信號來驅動高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT
2018-10-23 11:49:22
驅動器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅動器的功能是驅動上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極，通過低輸出阻抗降低導通損耗，同時通過快速開關時間降低開關損耗。上橋臂
2018-10-16 16:00:23
展現采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力。 采用光耦合器隔離的基本半橋驅動器（如圖1所示）以極性相反的信號來驅動高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制
2018-09-26 09:57:10
電流傳感高度集成而無需外部電流放大器。雙半橋 100V 3A MOSFET 驅動器簡單、BOM 數目少且成本低廉的設計，適合偏置電源讓隔離式偏置電源不再需要外部適配器
2018-09-10 09:20:30
是基本半導體針對新能源商用車等大型車輛客戶對主牽引驅動器功率器件的高功率密度、長器件壽命等需求而專門開發的產品。 該產品采用標準ED3封裝，采用雙面有壓型銀燒結連接工藝、高密度銅線鍵合技術、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
怎么實現MOSFET的半橋驅動電路的設計？
2021-10-11 07:18:56
納芯微全新推出120V半橋驅動NSD1224系列產品，該系列產品具備3A/-4A的峰值驅動電流能力，集成 高壓自舉二極管 ，提供使能、互鎖、欠壓保護不同版本，有SOP8、HSOP8、DFN10
2023-06-27 15:14:07
在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術的引進，現代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
求教各位大佬：MOSFET半橋驅動芯片空載時為什么HO和LO都沒有輸出波形？最近我在做D類放大，由于是分模塊做的，半橋驅動芯片沒有與mosfet相連，是空載。當我把pwm波輸入半橋驅動芯片后，半橋驅動器HO和LO無輸出。調試了半天也沒發現問題。各位大佬如果知道的話，請指點下小弟。萬分感謝！！！
2018-04-09 23:54:28
FAN7382MX 是一款單片半橋門極驅動器集成電路 FAN7382 可以驅動最高在 +600V 下運行的 MOSFET 和 IGBT。高電壓工藝和共模干擾抑制技術提供了高壓側驅動器在高 dv/dt
2021-12-16 08:48:48
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅動器解決方案，可在半橋配置中驅動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
柵極驅動器，能夠驅動 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 內置 VCC 和 VB 欠壓（UVLO）保護功能，防止功率管在過低的電壓下工作。 FD2606S 邏輯輸入兼容 TTL 和 CMOS（低至 3.3V），方便與控制設備接口。該驅動器輸出具有最小驅動器跨導的高脈沖電流緩沖設計。
2021-09-14 07:29:33
Portfolio系統，跨越12v 到80v 的范圍往往需要一個司機與較高的供應額定值，支持高功率18v 鉆頭和80v 割草機。雖然選擇合適的集成三相無刷直流電機驅動器是有限的，一套有能力的100伏半橋可以
2022-04-14 14:43:07
驅動器，特別適合于三相電機應用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅動。芯片內置了死區時間和上下管直通保護，非常有效地阻止半橋電路損壞。為了防止因芯片工作在較低的電源電壓而對功率管產生損害
2019-12-06 13:13:21
有大神知道不用集成芯片搭建半橋驅動器的套路嗎？最近看電瓶車控制器里的驅動模塊沒有類似半橋驅動器的芯片，應該是自己搭建的，網上看了看也沒有類似的東西，來請教一下
2017-01-14 18:03:50
超聲波發送器需要穩定的可編程直流電源，以便在傳輸期間將高電流驅動到壓電傳感器。TIDA-01371 參考設計展示了一款能夠提供 ±2.5 至 ±100V 輸出電壓的正負線性穩壓器。使用外部控制電壓
2018-12-05 14:16:39
請問怎么優化寬禁帶材料器件的半橋和門驅動器設計？
2021-06-17 06:45:48
EVAL-CN0196-EB1Z，H橋驅動器評估板，采用隔離式半橋驅動器。 CN0196是由高功率開關MOSFET組成的H橋，其由低壓邏輯信號控制。該電路在邏輯信號和高功率電橋之間提供了方便的接口
2019-05-17 09:15:02
采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力
2021-03-03 06:35:03
適用于 GaNFET 的汽車類 1.2A/5A、100V 半橋柵極驅動器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET, GaNFET
2022-12-14 14:43:03
具有 8V UVLO 和自適應延遲的 1.8A、100V 半橋柵極驅動器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:11
具有 8V UVLO 和高噪聲抗擾度的 1A、100V 半橋柵極驅動器 Bus voltage (Max) (V) 90 Power switch MOSFET Input
2022-12-14 14:43:13
具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的 2A、100V 半橋柵極驅動器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:14
具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的 1A、100V 半橋柵極驅動器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:15
具有 8V UVLO 和 TTL 輸入的 2A、100V 半橋柵極驅動器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:15
具有 8V UVLO 和 TTL 輸入的 1A、100V 半橋柵極驅動器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:16
具有 8V UVLO 和可編程死區時間的 1.2A、1.8A、100V 半橋柵極驅動器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:17
具有 8V UVLO 的 1A、100V 半橋柵極驅動器 Bus voltage (Max) (V) 90 Power switch MOSFET Input VCC
2022-12-14 14:43:17
具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半橋柵極驅動器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET Input VCC
2022-12-14 14:43:18
具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的 3A、100V 半橋柵極驅動器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:18
具有 8V UVLO 和 TTL 輸入的 3A、100V 半橋柵極驅動器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:19
具有 8V UVLO 和可編程延遲的 2A、100V 半橋柵極驅動器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET Input
2022-12-14 14:43:20
具有 8V UVLO 和自適應延遲的 2A、100V 半橋柵極驅動器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET Input
2022-12-14 14:43:20
具有 8V UVLO 和可編程死區時間的 1.8、1.6A、100V 半橋柵極驅動器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:21
TFB0504是一個半橋式柵極驅動器，內部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅動n通道mosfet和igbt。TF半導體的先進工藝，使浮動高側驅動器操作到100V的引導
2023-06-27 17:01:42
TFB0527是一個半橋式柵極驅動器，內部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅動n通道mosfet和igbt。TF半導體的先進工藝，使浮動高側驅動器操作到100V的引導
2023-06-28 17:08:12
Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅動器 - TI | 貿澤Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅動器是一款100V器件，集成了頂部和底部驅動器
2024-02-22 13:39:55
加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2008 年 6 月 12 日 – 凌力爾特公司(Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅動器 LTC4446，用來驅動雙晶
2008-06-30 10:51:21
902 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444-5 的高可靠性 (MP) 級新版本，該器件是一個高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 驅動器，以在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和
2008-12-09 02:33:471568 
的輸入電壓工作，在高達 100V 瞬態時可連續工作。該驅動器可與功率 MOSFET 以及凌力爾特眾多 DC/DC 控制器選擇中相結合，構成完整的電源。
2013-10-09 15:41:271040 
LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅動器在 -55°C 至 125°C 的溫度范圍內工作
2021-03-18 22:10:11
3 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅動器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內工作
2021-03-19 06:51:081
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