科銳首席執行官Gregg Lowe表示：“英飛凌具有很好的美譽度，是我們長期且優質的商業伙伴。這項協議的簽署，體現了科銳SiC碳化硅晶圓片技術的高品質和我們的產能擴充，同時將加速SiC碳化硅基方案更為廣泛的采用，這對于實現更快、更小、更輕、更強大的電子系統至關重要。”
2018-04-04 09:00:59
7450 模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓撲設計并基于新推出的增強型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術。該封裝使SiC能夠應用于250 kW以上的中等功率等級應用，而傳統
2023-12-05 17:03:49446 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術，據官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術，相比上一代產品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181494 
英飛凌 | CoolSiC?器件為臺達雙向逆變器提供助力英飛凌科技股份公司的CoolSiC?產品被總部位于臺灣的全球領先的電源管理及散熱解決方案提供商臺達電子選用，使得臺達電子向著利用綠色電力實現
2022-08-09 15:17:41
逆變器等中高功率領域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關斷波形圖（650V/10A產品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
器件的特點 碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm.，其導熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k。 它與硅半導體材料
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
，熱導率是硅的10倍。 SiC在所有重要方面都優于硅 這為碳化硅器件開辟了廣泛的應用領域，在5G/數據中心等空間受限和節能領域，低損耗是應用的推動力;在電動汽車領域，更高的牽引逆變器效率意味著更小
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復。用于空氣/油/SF6 環境。可配置為單個或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料。可重復的非線性特性。耐高壓。基本上是無感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計，2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續穩定的線路板；在引擎室中，由于高溫環境和LED 燈源的散熱要求，現有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無線雷達偵測
2020-12-16 11:31:13
，3.3 kW CCM 圖騰柱 PFC 的效率可達到 99% 以上（圖 4），其中在雙升壓 PFC 設計中使用 CoolMOS? 的最佳效率峰值為 98.85%。而且，盡管碳化硅MOSFET的成本較高
2023-02-23 17:11:32
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強度。在常溫和高溫下，碳化硅的機械強度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強度為
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關 50A IGBT 的關斷性能優于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產品上市時間，能以更低成本實現 95
2021-03-29 11:00:47
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
明顯優勢，可以用來做成高耐壓的肖特基二極管，目前650V-1700V碳化硅肖特基二極管在消費、工業、汽車、軍工等領域有廣泛應用。 03 碳化硅肖特基二極管結構簡析 肖特基二極管：以金屬為陽極，以N
2023-02-28 16:55:45
。 基本半導體自主研發推出了650V、1200V、1700V系列標準封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產品，具有極高的工作效率，性能優越達到國際先進水平，可廣泛應用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
已經成為全球最大的半導體消費國，半導體消費量占全球消費量的比重超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
基本半導體推出的1200V 80mΩ的碳化硅MOSFET兩種封裝的典型產品B1M080120HC（TO-247-3）和B1M080120HK（TO-247-4）為例，從理論上來解釋TO-247-4中輔助源
2023-02-27 16:14:19
用于電機驅動領域的優勢，尋找出適合碳化硅功率器件的電機驅動場合，開發工程應用技術。現已有Sct3017AL在實驗室初步用于無感控制驅動技術中，為了進一步測試功率器件性能，為元器件選型和實驗驗證做調研
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
由米勒電容引起的寄生導通效應，常被認為是當今碳化硅MOSFET應用的一大缺陷。為了避免這種效應，在硬開關變流器的柵極驅動設計中，通常采用負柵極電壓關斷。但是這對于CoolSiC? MOSFET
2023-02-27 13:53:56
應用領域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅
2021-09-23 15:02:11
，在這些環境中，傳統的硅基電子設備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統和應用的性能，包括飛機、車輛、通信設備和航天器。今天，SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來，預計多芯片電源或混合模塊將在SiC領域發揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
，獲得華大半導體有限公司投資，創能動力致力于開發以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實現相比硅元器件更高的工作溫度，實現雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
0.5Ω，內部柵極電阻為0.5Ω。 功率模塊的整體熱性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。與具有相同標稱電流的硅IGBT相比，SiC MOSFET通常表現出顯著較低的開關損耗，尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。 該器件將傳統
2023-02-28 16:48:24
員要求的更低的寄生參數滿足開關電源（SMPS）的設計要求。650V碳化硅場效應管器件在推出之后，可以補充之前只有1200V碳化硅場效應器件設計需求，碳化硅場效應管（SiC MOSFET）由于能夠實現硅
2023-03-14 14:05:02
）。給出了本設計主要參數指標，其中輸出最大電流為35A,輸出電壓范圍在300V-550之間。工作頻率范圍在150KHZ-400KHZ之間。目標最高效率超過98.4%，功率密度達到60瓦/立方英寸。碳化硅
2016-08-05 14:32:43
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
，極大地提高模塊工作的可靠性。此外，鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環以及散熱能力，也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。圖 11 所示分別為銅鍵合線、銅帶連接方式。錫片或錫膏常用于芯片
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
系列電源模塊，支持多種柵極輸出電壓，可靈活應用于碳化硅MOSFET驅動。該電源模塊尺寸為 19.5 X 9.8 X 12.5 mm， 設計緊湊， 通用性強。原作者：基本半導體
2023-02-27 16:03:36
。過去 十年 ，針對 大量 工業和 汽車應 用售 出了逾 5000 萬個 帶有 不同芯 片組 的EasyPACK 模塊。同時，英飛凌豐富的 CoolSiC 產品組合被廣泛應用于工業應用領域。隨著
2021-03-27 19:40:16
公司等為代表。四、碳化硅半導體應用碳化硅半導體器件，其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴苛的應用。可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。原作者：大年君愛好電子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
長期高價回收英飛凌IGBT模塊FF300R12KT3_E 300A,1200V,共發射極,用于矩陣開關,雙向變換器等 62mm ?無錫不限量收購回收英飛凌IGBT模塊FF400R12KT3_E
2021-09-17 19:23:57
供碳化硅 (SiC) 的優勢；同時保持 62mm 模塊的底板兼容性。HM 平臺的碳化硅優化封裝可實現 175°C 的連續結操作；具有高可靠性的氮化硅 (Si 3
2022-06-09 19:57:44
CAS120M12BM2是Wolfspeed 62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半橋功率模塊。用于開關和傳導優化應用的 BM2 和 BM3 半橋模塊。Wolfspeed 的 62mm 功率模塊
2022-06-10 20:15:07
CAS300M17BM2是Wolfspeed 62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半橋功率模塊。用于開關和傳導優化應用的 BM2 和 BM3 半橋模塊。Wolfspeed 的 62mm 功率模塊
2022-06-10 20:20:55
CAS300M12BM2是Wolfspeed 62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半橋功率模塊。用于開關和傳導優化應用的 BM2 和 BM3 半橋模塊。Wolfspeed 的 62mm 功率模塊
2022-06-10 22:00:31
WAB300M12BM3是Wolfspeed 62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半橋功率模塊。用于開關和傳導優化應用的 BM2 和 BM3 半橋模塊。Wolfspeed 的 62mm 功率模塊
2022-06-10 22:10:28
WAB400M12BM3是Wolfspeed 62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半橋功率模塊。用于開關和傳導優化應用的 BM2 和 BM3 半橋模塊。Wolfspeed 的 62mm 功率模塊
2022-06-10 22:15:19
CAB530M12BM3是Wolfspeed 62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半橋功率模塊。用于開關和傳導優化應用的 BM2 和 BM3 半橋模塊。Wolfspeed 的 62mm 功率模塊
2022-06-10 22:19:56
2017年6月30日，德國慕尼黑和紐倫堡訊—效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統成本更低：這是基于碳化硅（SiC）的晶體管的主要優勢。英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）開始批量生產EASY 1B——英飛凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模塊。
2017-07-03 10:13:261770 具體來說，在新能源發電系統中，采用碳化硅技術能夠達到的更高的效率意味著其能夠更早地替代傳統的石化燃料發電。英飛凌為光伏串組串逆變器的升壓和逆變部分提供量身定制的模塊系列，可以提升的逆變器效率和性能。在充電樁應用中，英飛凌的全碳化硅解決方案大幅提升功率密度，從而使充電設備變得更加輕巧便捷。
2018-05-04 09:05:019155 據外媒報道，在今年的紐倫堡PCIM歐洲展會上，英飛凌（Infineon）推出了首款車用碳化硅產品，肖特基（Schottky）二極管，并為其新創了一個品牌名CoolSiC。
2018-09-21 14:36:504540 。PCIM 2019是全球領先的電力電子、智能傳動、可再生能源和能源管理展覽及會議。 CISSOID公司推出了一款新型柵極驅動器板，該板針對額定溫度為125°C（環境溫度）的62mm碳化硅MOSFET功率模塊進行了優化。
2019-05-16 09:10:563764 第三代半導體材料碳化硅的發展在功率器件市場成為絕對的焦點。全球功率器件龍頭廠商英飛凌持續投入碳化硅器件的研發生產，并打入多個應用市場。日前，在英飛凌科技舉辦的媒體見面會上，該公司大中華區工業功率控制事業部副總裁于代輝和工業功率控制事業部總監馬國偉博士介紹了英飛凌碳化硅SiC市場的最新進展。
2019-07-02 16:33:216460 英飛凌科技股份公司與GT Advanced Technologies（GTAT）已經簽署碳化硅（SiC）晶棒供貨協議，合同預期五年。
2020-11-13 11:48:48990 英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了1200V碳化硅（SiC）集成功率模塊（IPM），并在今年大規模推出了SiC解決方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:513427 與業內人士交流互動產品和應用技術。 借英飛凌碳化硅20周年之際，9月10日，我們在展會會場，隆重舉辦第三屆碳化硅應用技術發展論壇，敬請蒞臨。 英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)將EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊升級為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。該器件采用半橋配置
2021-08-24 09:31:502748 基本半導體是國內比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發的企業，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業界熟知，并得到廣泛應用。在11月27日舉行的2021基本創新日活動
2021-11-29 14:54:087839 
新一代碳化硅模塊采用增強型CoolSiC? MOSFET（M1H），首發型號為EasyPACK?和EasyDUAL?封裝。
2022-06-14 09:47:191258 在高端應用領域，碳化硅MOSFET已經逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領銜的寬禁帶半導體發展迅猛，被認為是有可能實現換道超車的領域。
2022-07-06 12:49:161072 材料。電流密度很容易達到5甚至10 A/mm2，而SiC的放電電壓一般在100 V/μm的范圍內，而硅則為10 V/μm。碳化硅的特性使其成為用于生物醫學材料、高溫半導體器件、同步加速器光學元件以及輕質、高強度結構的理想材料。 碳化硅組件的制造工藝（
2022-08-08 08:09:591331 
億美元的新工廠。隨著新能源汽車的加速滲透，碳化硅技術的重要性愈發凸顯。安森美、Wolfspeed、意法半導體等碳化硅領域主導企業，均發表了對行業發展的積極展望，并計劃投資擴大產能。碳化硅大廠間的新一輪卡位之戰正在展開。 激進的擴產步伐 作為碳化
2022-10-08 17:02:25872 ，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm。 碳化硅也可以通過使
2023-02-02 14:50:021981 、電源供應器等高功率應用領域。碳化硅應用涵蓋了新基建涉及的絕大部分領域，這給國內以基本半導體為代表的碳化硅企業帶來巨大利好。
2023-02-03 14:49:52367 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 碳化硅主要有四大應用:功能陶瓷、高級耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供應，不能算高新技術產品，而技術含量極高的納米級碳化硅粉體的應用短時間不可能形成規模經濟。
2023-02-09 18:09:113370 碳化硅模塊上車高濕測試 ? 2021年碳化硅很“熱”。比亞迪 半導體 、派恩杰、中車時代電氣、基本半導體等國內碳化硅功率器件供應商的產品批量應用在汽車上，浙江金華、安徽合肥等地碳化硅項目開始
2023-02-21 09:26:45
2 按照電學性能的不同，碳化硅材料制成的器件分為導電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件，兩種類型碳化硅器件的終端應用領域不同。導電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導電型襯底上生長碳化硅外延層后進一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 今天鑫環電子就為大家講解一下碳化硅二極管的應用領域及優勢。??一、太陽能逆變器。??碳化硅二極管是太陽能發電用二極管的基本原材料，碳化硅二極管在各項技術指標上都優于普通雙極二極管技術。碳化硅二極管
2022-12-14 11:36:05843 
和沉淀，幫助新材料在新應用中快速成長。迄今為止英飛凌CoolSiC商用已有20余年，未來CoolSiC碳化硅器件除了光伏和儲能、充電設施以及各類電源應用以外，還會
2023-05-19 10:27:03592 
隨著國內對碳化硅技術的日益重視和不斷加大的研發投入，國內碳化硅MOSFET芯片設計的水平逐步提升，研究和應用領域也在不斷擴展。
2023-08-10 18:17:49854 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310 隨著電力電子技術的不斷發展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導體材料，逐漸在電力電子領域嶄露頭角。與傳統的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高導熱率和高電子飽和遷移率，使得碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高可靠性等優點。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、應用領域以及發展前景。
2023-12-21 09:43:38353 11月14日，英飛凌科技的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半橋模塊憑借其卓越的性能，榮獲2023年度行家極光獎最具影響力產品獎，再次展現了英飛凌在碳化硅領域的技術創新能力
2023-12-21 08:14:09304 在當今快速發展的電力電子領域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關注。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中，碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:29186 碳化硅（SiC）是一種優良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點。由于這些優異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領域具有廣泛的應用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14293 
）與全球碳化硅技術引領者 Wolfspeed 公司（美國紐約證券交易所上市代碼：WOLF）于今日宣布擴大并延伸現有的長期 150mm 碳化硅晶圓供應協議（原先的協議簽定于 2018 年 2 月）。
2024-01-24 09:51:01240 英飛凌科技與Wolfspeed近日宣布，將擴展并延長雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協議。這一合作旨在滿足不斷增長的市場需求，并提升英飛凌供應鏈的穩定性。
2024-01-31 17:31:14442 英飛凌科技與Wolfspeed宣布，將擴展并延長他們最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協議。經過這次擴展，雙方的合作新增了一項多年期產能預訂協議。這一合作不僅有助于提升英飛凌總體供應鏈的穩定性，還能滿足汽車、太陽能和電動汽車應用以及儲能系統對碳化硅半導體產品日益增長的需求。
2024-02-02 10:35:33334 碳化硅（SiC）技術一直是推動高效能源轉換和降低碳排放的關鍵，英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）技術，也是要在這個領域提高了MOSFET的性能指標，擴大還在光伏、儲能、電動汽車充電等領域的市場份額。
2024-03-12 09:33:26239 
在電力電子領域持續創新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創新技術的推出，標志著功率系統和能量轉換領域迎來了新的里程碑，為行業的低碳化進程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:29125 在全球電力電子領域，英飛凌科技以其卓越的技術創新能力和領先的產品質量贏得了廣泛贊譽。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，標志著功率系統和能量轉換領域邁入了新的發展階段。
2024-03-12 09:53:5297 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，無疑為功率系統和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36132
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