英飛凌科技股份公司近日宣布推出滿足汽車行業的動力總成和安全應用的各種要求的全新32位多核單片機系列。
2012-05-22 09:33:13
4243 英飛凌科技推出用于商業航空電子設備和雷達系統的脈沖應用和其他類型工業放大器的高功率晶體管。基于全新的50V LDMOS工藝技術，全新推出的器件具備高能效、適用于小型化系統設計
2012-07-15 01:23:461266 LSI公司宣佈推出專為Ultrabook設計的SandForce SF-2200/2100用戶端快閃記憶體儲存處理器（FSP），其強化功能可滿足Ultrabook嚴格的功耗要求，并提供快閃記憶體技術的卓越效能優勢。
2012-08-06 10:20:321744 
英飛凌科技推出全新600V CoolMOS P6 產品系列，專為提升系統效率及易于使用所設計，補足了專注提供頂尖效能（CoolMOS CP）及強調使用方便性（如 CoolMOS C6 或 E6）兩者之間的技術區間。
2012-11-13 08:54:331678 英飛凌科技股份公司已在生產基于300毫米薄晶圓的功率半導體方面取得了重大突破。今年2月，從奧地利費拉赫工廠的300毫米生產線走下來的英飛凌CoolMOS?家族產品，得到了第一批客戶的首肯。
2013-02-25 09:52:061520 英飛凌科技股份公司（FSE代碼： IFX / OTCQX代碼： IFNNY）進一步壯大其高壓產品組合，推出采用全新650V超結MOSFET技術的CoolMOSTM C7。全新的C7產品家族針對所有標準封裝實現了一流的通態電阻RDS（on）。另外，得益于低開關損耗，還可在任何負載條件下實現能效改進。
2013-05-20 11:31:282572 英飛凌CE系列CoolMOS 是英飛凌公司專為消費類電子產品和照明產品推出的高壓功率MOSFET。##該案例為一款全球輸入范圍的15W充電器。##接下來介紹CE系列CoolMOS產品應用于LED球泡燈驅動器的案例。
2015-03-24 13:50:073701 更高密度的低功率SMPS設計需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結MOSFET器件。
2018-08-27 14:15:536079 為滿足電動汽車市場的需求，英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產品經過專門優化，可以滿足電動汽車應用 （如車載充電器、HV-LV DC-DC 轉換器和輔助電源）的要求。
2020-05-31 09:15:361509 高功率密度 → 更緊湊的設計CoolMOS CFD7A在硬開關和諧振開關拓撲中，尤其是輕負荷條件下具有較大改進，令效率更上一層樓。與之前幾代產品相比，其在相同柵極損耗的水平下可實現更高的開關頻率；而且這一產品組合極具前景，使CFD7A成為減少系統重量和空間以實現更緊湊設計的關鍵因素。
2023-09-12 10:46:36518 
隨著新產品的發布，英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產品組合
2020-02-26 08:26:001315 英飛凌科技股份公司成功開發出滿足最高效率和質量要求的解決方案。對于MOSFET低頻率開關應用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產品可帶來領先的功率密度和能效。
2020-03-04 07:46:001360 憑借在汽車領域的多年從業經驗，英飛凌將遠超AEC Q101標準的最高品質與出色的技術知識相結合，推出CoolMOS? CFD7A系列。
2020-05-09 09:05:38985 英飛凌推出了全新分立式封裝的650 V TRENCHSTOP? 5 WR6系列。
2021-07-14 14:56:193993 
英飛凌科技再次推出了全新的MOTIX? BTN99xx（NovalithIC?+）系列智能半橋驅動集成芯片。
2022-03-02 14:07:131887 
英飛凌科技宣布推出采用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該器件專門針對分立式汽車牽引逆變器進行了優化，進一步豐富了英飛凌車規級分立式高壓器件的產品陣容。
2022-03-21 14:14:041435 
/ OTCQX代碼：IFNNY）推出了適用于反激式拓撲結構的ICC80QSG單級脈沖寬度調制（PWM）控制器，進一步擴展了英飛凌旗下AC-DC控制器IC的產品陣容。該IC專為電池充電應用量身定制，與CoolMOS? P7超級結（SJ）MOSFET配合使用，實現輸出功率高達130 W的、可擴展的功率設
2022-10-10 17:06:25631 
基于Integrity Guard 32的增強型安全架構，在安全性、效率、性能和易用性方面樹立全新行業標桿 ? ? 【 2023 年 8 月 18 日 ， 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE
2023-08-21 14:32:22515 
? Edge。PSoC?產品組合是英飛凌基于Arm? Cortex?內核打造的高性能且低功耗的安全器件。PSoC Edge 專為新一代實時響應計算和控制應用而設計，并提供由硬件輔助的機器學習（ML
2023-11-30 15:55:38422 
【 2023 年 12 月 19 日，德國慕尼黑訊】 為提高結溫傳感的精度，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出帶有集成溫度傳感器的全新CoolMOS
2023-12-19 15:22:26900 
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
CoolMOS CFD2系列，具有快速的體二極管，低Coss，高達650V的擊穿電壓，使LLC拓撲開關電源具有更高的效率和可靠性。 參考文獻：1. Gary Chang “Why choose
2018-12-05 09:56:02
是ALTAIR05T-800，它是ALTAIR系列的第一個（全主傳感開關穩壓器）。該IC在同一封裝中集成了高性能，低電壓PWM控制器芯片和800V，雪崩耐用功率MOSFET。 PWM芯片是一種準諧振（QR）電流模式控制器IC，專為QR ZVS（零電壓開關）反激式轉換器而設計
2020-08-12 08:43:59
，英飛凌成功完成了全新40V 和 60V MOSFET的開發工作。 與OptiMOS?3技術直接比較，結果表明，新一代MOSFET不僅可極大地降低通態電阻RDS(on)，還可大幅改進開關特性。 阻斷電壓為
2018-12-06 09:46:29
推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機驅動器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd 附件是英飛凌在低壓電動車的方案分享，給有需要的人選擇
2019-06-18 10:31:33
這一傲人的成績。英飛凌的MEMS麥克風開發戰略涵蓋了主要的構建模塊MEMS、ASIC和該傳感器系列的封裝。因此，英飛凌完全掌握著其產品的性能、質量和技術創新。如今，英飛凌在自主技術的基礎上推出
2023-03-03 16:53:59
了MOSFET的導通損耗。此外，采用高壓MOSFET還可降低主傳導損耗。例如，800V CoolMOS? C3 或全新900V CoolMOS? 可使效率再提高1%至3%[6-8]。這出色地平衡了成本和效率
2018-12-05 09:46:05
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:45 編輯
英飛凌科技推出XMC4000單片機家族
2012-08-17 13:27:22
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:45 編輯
英飛凌科技推出XMC4000單片機家族2
2012-08-17 13:29:28
專為工業物聯網而生，打造DTU600系列，助力數據超遠距離傳輸！明遠智睿的DTU600系列，工業場景專用設計，符合工業行業標準，采用高性能的工業級32位通信處理器，具備軟件多級檢測和硬件多重保護機制
2021-12-17 17:46:35
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:15
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:09
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:13
IPW65R080CFD - 650V CoolMOS CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R310CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R420CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R660CFD - 650V CoolMOS CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPX65R310CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
的設計而言，它大幅降低了MOSFET導通電阻，并保持了出色的開關性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
；TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數：應用：高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正`
2020-04-30 15:13:55
更高的要求。CoolMOS，具有快速的體二極管，低Coss，有的可高達650V的擊穿電壓，使LLC拓撲開關電源具有更高的效率和可靠性。
2021-08-23 09:23:12
－減小系統EMI使得外置的吸收電路不再需要預先注冊本次在線研討會，將會增大在7月18日至7月28日2012 英飛凌夏季大型網絡活動“CoolMOS? 開門吧”活動中的中獎機率！獲獎攻略；1、預先注冊本次
2012-07-13 10:50:22
參數設置。以直流電壓源為例，雙擊電壓源圖標會彈出參數設置界面，填入輸入額定電壓值“100”V即可;▍電路模型重復上述步驟進行器件選擇與參數設置后，按照電路拓撲結構對器件進行連接,得到的LC串聯諧振
2024-03-01 10:05:15
為什么 ST 在 AN4599 的 LLC 諧振拓撲中添加一個 100pf 1000V 1210 并聯電容器和 MOSFET？
2022-12-26 07:53:01
的數字產品和解決方案，在提供高性能表現的產品和系統解決方案的同時，極大的減輕了客戶庫存的壓力和新產品推出的周期，擴展了研發設計的靈活性。英飛凌照明驅動IC以其豐富的產品類型，廣泛的拓撲組合，搭配業界領先功率晶體管CoolMOS技術，充分滿足了LED驅動電源設計的半導體器件選型需求。
2019-10-18 06:23:59
目前已在鋰電池充電器中做了實驗，輸出為48V，2A的充電器。效率可達90%。有需要試用的可以發站內信聯系我！基本參數為650V，20A，Rdson160毫歐姆。
2010-12-31 15:00:21
：www.ncepower.com。歡迎大家查看。目前我司已經量產的Super junction有以下幾類：650V 25A/11A/7A/4ATO220/TO247600V 25A/11A/7A/4ATO220
2011-01-05 09:49:53
CoolMOSCFD/CFD7系列的Qrr比上一代CoolMOS CFD改進了十倍，但CoolSiC的Qrr參數再比CoolMOS CFD/CFD7的Qrr又降低了五到十倍。這意味著，通過使用48mΩCoolSiC
2023-03-14 14:05:02
來電報單 電子**現金高價收購廠家、,原裝外殼長期收購全新三墾igbt模塊回收長期,收購,回收 IGBT模塊回收英飛凌模塊回收嘉善回收IGBT模塊,回收西門康模塊收購可控硅西門康模塊回收,長期,高價,現金
2022-01-01 19:06:43
開關，如何降低失效率，提升系統可靠性，降低系統的成本有更高的要求。CoolMOS，具有快速的體二極管，低Coss,有的可高達650V的擊穿電壓，使LLC拓撲開關電源具有更高的效率和可靠性。
2018-12-03 11:00:50
軟開關，如何降低失效率，提升系統可靠性，降低系統的成本有更高的要求。CoolMOS，具有快速的體二極管，低Coss，有的可高達650V的擊穿電壓，使LLC拓撲開關電源具有更高的效率和可靠性。
2018-12-12 18:35:12
的數字產品和解決方案，在提供高性能表現的產品和系統解決方案的同時，極大的減輕了客戶庫存的壓力和新產品推出的周期，擴展了研發設計的靈活性。英飛凌照明驅動ＩＣ以其豐富的產品類型，廣泛的拓撲組合，搭配業界領先功率晶體管CoolMOS技術，充分滿足了LED驅動電源設計的半導體器件選型需求。
2019-08-06 06:14:02
描述此設計將 LM5023 反激式控制器用于雙開關準諧振反激式拓撲。它從通用輸入 (85VAC - 265VAC) 產生隔離式輸出 (19.5V@3.84A)。主要特色通用輸入電壓雙開關準諧振反激式拓撲
2018-11-13 16:52:24
。IPL65R190E6 ——作為650V CoolMOS?E6器件的代表，具備快速、可控的開關性能，適用于效率和功率密度是關鍵要求的應用。650VCoolMOS? E6器件易于應用，是各種高能效開關產品
2017-04-12 18:43:19
），Qg（開關損耗）有要求，同時對于如何能夠有效的實現軟開關，如何降低失效率，提升系統可靠性，降低系統的成本有更高的要求。CoolMOS，具有快速的體二極管，低Coss,有的可高達650V的擊穿電壓，使LLC拓撲開關電源具有更高的效率和可靠性。
2018-10-22 15:23:49
母線電路需設計極小寄生電感。因此，可選用具備軟開關特性的專用IGBT，例如全新的650V IGBT4。如圖2所示， 600V IGBT3（快速）和650V IGBT4（軟度）在開關性能方面差別明顯，采用
2018-12-07 10:16:11
ICL5101來實現一個120W的LCC恒流LED驅動電源. 圖-7是LCC拓撲結構，采用次級電流采樣做恒流反饋，并能實現0-10V調光的示意電路。PFC開關管采用了英飛凌的高性價比P6系列CoolMOSTM
2018-10-10 17:30:07
，低成本，高效率，高可靠性，長壽命等。采用16腳封裝，集成PFC和半橋諧振控制器的ICL5101，并使用LCC拓撲很好的實現了以上目標，它的高集成度可減少外部元件數量，非常合適結合LCC高性能的優勢。實現
2018-12-12 09:49:28
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
華潤微coolMOS 現貨供應 CRJF290N65G2_TO220F650V15A240mΩ
2022-12-27 22:15:06
英飛凌欲借新一代超結MOSFET樹立硬開關應用基準
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產品系列的優勢，可降低設
2009-06-23 21:17:44594 英飛凌推出性能領先業界的200V和250V OptiMOSTM系列器件，壯大功率MOSFET 產品陣
2010年1月21日，德國Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近
2010-01-26 09:25:271053 英飛凌推出全新XMM2138平臺支持不斷增長的雙卡手機市場
英飛凌科技股份公司近日推出支持雙卡手機操作的全新 XMM2138平臺。雙卡手機可在一部手機中同時使用兩個SIM（
2010-02-26 11:16:24590 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結（SJ）器件的優勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:261672 Diodes公司日前推出全新多拓撲LED驅動器，全面提升高亮度汽車、工業及商用照明系統的性能。最新的ZXLD1374 LED驅動器
2010-11-19 09:29:15763 英飛凌新一代CoolMOS CFD2器件具備最低的通態電阻和高達650V的阻斷電壓。這種的器件還具備極低的反向恢復電荷和結實耐用的內置體二極管。數據表規范中將提供全新的Qrr和trr最大值。
2011-02-14 09:04:423956 
英飛凌目前正推出另一項重要的創新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:171845 英飛凌科技今日推出全新的XMC4000 32位單片機產品家族，它們選用ARM?的Cortex?-M4處理器。英飛凌利用自身在開發針對應用而優化的外設，并具備出色的實時功能的單片機方面的30多年的豐
2012-02-22 09:22:591285 英飛凌科技股份有限公司擴展其車用功率半導體系列產品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業界首創整合高速本體二極體技術的超接面 MOSFET 解決方案，符合最高的汽車認證標準 AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021458 CoolMOS具有優越的直流特性。為了設計出一個600V CoolMOS結構，首先CoolMOS的結構人手，結合電荷平衡 理論，分析了其高擊穿電壓BV、低導通電阻R。 的原理。通過理論計算，得到相關的設計
2012-06-20 16:37:20
48 e絡盟日前宣布新增來自全球半導體和系統解決方案領先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產品，進一步擴充其功率MOSFET產品組合。
2015-03-02 17:37:381390 英飛凌推出全新可控逆導型IGBT芯片，可提高牽引和工業傳動等高性能設備的可靠性
2015-06-24 18:33:292516 
電源制造商需要使用能夠提供最佳性能、效率、穩健性且便于設計的器件。為此，英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了第5代固定頻率700 V/800
2018-04-03 17:01:2611179 近來， LLC拓撲以其高效，高功率密度受到廣大電源設計工程師的青睞，但是這種軟開關拓撲對MOSFET的要求卻超過了以往任何一種硬開關拓撲。特別是在電源啟機，動態負載，過載，短路等情況下。CoolMOS 以其快恢復體二極管，低Qg 和Coss能夠完全滿足這些需求并大大提升電源系統的可靠性。
2018-04-11 09:39:425792 ?CE ，及最新一代超高性價比的CoolMOS? P7，每系列產品一經推出都在CoolMOS?市場獨領風騷。
2018-09-06 15:54:256753 全球連接與傳感領域領軍企業TE Connectivity (TE)近日宣布推出微型同軸電纜連接器。節省空間的微型同軸電纜連接器具有堅固、緊湊的設計，專為高性能微波系統而打造。TE的連接器專為接受
2018-11-07 15:46:13963 1.1諧振變換器拓撲綜述
2019-02-27 06:04:004369 
1.2基本二元和三元諧振拓撲
2019-02-26 06:17:004274 
4月24日，SteelSeries賽睿正式宣布推出Arctis寒冰9X游戲耳機。這是賽睿寒冰家族首款專為Xbox One打造的高品質音頻設備，采用Xbox Wireless無線連接技術，耳機在使用時更加方便快捷，同時支持藍牙連接。
2019-04-25 09:48:542787 Cool-Mos是英飛凌推出的新產品，其中C3系列是最有代表性，因為其性能參數都比別的品牌好，但價格相當高。
2019-06-25 15:02:5022622 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術和流程的結果，讓碳化硅肖特基二極管的設計和開發更具價格優勢，性能一代更比一代強。因此，G6是英飛凌最具有性價比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:523697 
、CFD7系列，與650V CoolSiC G6系列肖特基二極管則是方案設計中能效與功率密度的“雙贏”之選。再搭配英飛凌最新的第五代準諧振CoolSET 系列產品以及EiceDRIVER系列驅動IC芯片。
2019-09-24 11:20:593014 
以600V的IPW60R070CFD7為例，我們從下圖顯示的應用測量結果也可以看出，最新的CoolMOS CFD7系列功能在諧振開關拓撲結構中可顯著提高效率。CoolMOS CFD7系列與市場上
2019-09-24 14:22:322579 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 據悉，由中國電信與華為聯合打造的TC7102路由器采用一種叫“凌霄650”WiFi 6+方案。凌霄650不是一個單獨的芯片，而是由凌霄650 WiFi、凌霄650 PLC和凌霄650 CPU三顆
2020-08-26 17:25:045203 一直以打造極具沉浸式游戲體驗為榮的ALIENWARE，與NVIDIA和AMD強化合作，進一步打破電腦游戲的邊界，推出全新升級版ALIENWARE m15/17 R4 和 ALIENWARE AURORA R10，為游戲玩家提供更暢快淋漓的極致體驗。
2021-01-13 16:55:001768 淺析LLC諧振電路的拓撲結構與電路仿真
2021-11-17 17:56:4592 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 
英飛凌的總體戰略是將當今的每一項尖端硅技術與寬帶對應技術相結合。基于市場上已經推出的 CoolSiC? 技術，英飛凌推出了全新的 CoolGaN? 解決方案，這些解決方案完善了 CoolMOS
2022-08-09 09:45:11795 
CoolMOS? CFD7 是英飛凌最新具有集成快速體二極管的高壓 superjunction MOSFET 技術，補全了 CoolMOS? 7 系列。
2022-09-30 17:09:321182 【 2022 年 11 月 08 日，德國慕尼黑訊】 為了滿足當今市場對產品小型化、高能效的需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了全新的CoolMOS
2022-11-09 11:33:15378 
650V 快速恢復 SuperFET? II MOSFET 在諧振拓撲中實現高系統效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 ，IRS2975C的小尺寸和性能專為不斷增加的iToF應用量身定制，能夠在低功耗的情況下提供寬泛的工作范圍。這款全新iToF傳感器是智能手機、服務機器人、無人機以及各種物聯網設備的理想選擇。 英飛凌的最新像素技術由于包含高級3D場域工程設計，因此具有優異的解調效率。并且
2022-12-25 01:22:25684 ，IRS2975C的小尺寸和性能專為不斷增加的iToF應用量身定制，能夠在低功耗的情況下提供寬泛的工作范圍。這款全新iToF傳感器是智能手機、服務機器人、無人機以及各種物聯網設備的理想選擇。 英飛凌的最新像素技術由于包含高級3D場域工程設計，因此具有優異的解調效率。并且
2023-01-09 12:56:07355 LLC電源拓撲顧名思義該拓撲是由兩個感抗器件和一個容抗器件組成的，一個是諧振電感Lr，一個變壓器（原邊感量為Lm）和一個諧振電容Cr，三個器件串聯形成諧振腔。
2023-03-17 17:14:047191 
SP9683高頻準諧振、集成650V氮化鎵功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 
英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進一步擴展其TRENCHSTOPIGBT7產品陣容。全新器件配新一代發射極控制的EC7續流二極管，以滿足對環保和高效電源解決方案日益增長的需求
2023-11-21 08:14:06255 
2024年1月4日，致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布其旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案。
2024-01-05 09:45:01227 
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