色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

電子發燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

電子發燒友網>電源/新能源>功率器件>東芝推出適用于高效率電源的新款1200V碳化硅MOSFET

東芝推出適用于高效率電源的新款1200V碳化硅MOSFET

收藏

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴

評論

查看更多

相關推薦

美高森美推出碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200V肖特基二極管

美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:061242

羅姆半導體正式量產碳化硅MOSFET模組

日本半導體制造商 ROHM 已正式將適用于工業裝置、太陽能發電功率調節器等變流器/轉換器的碳化硅MOSFET 模組(額定規格1200V/ 180A)投入量產。
2013-01-30 09:32:421331

基本半導體發布高可靠性1200V碳化硅MOSFET

基本半導體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝,結合元胞鎮流電阻設計,開發出了短路耐受時間長,導通電阻小,閾值電壓穩定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET
2019-01-17 15:40:039313

東芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊,助力實現尺寸更小,效率更高的工業設備

東芝電子宣布,推出兩款全新碳化硅(SiC)MOSFET雙模塊---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”。
2022-01-26 13:35:212210

東芝開發出業界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊,助力工業設備的高效率和小型化

中國上海, 2023 年 8 月 29 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出業界首款[1]2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3
2023-08-29 15:26:55903

東芝推出用于工業設備的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低開關損耗的4引腳封裝

---“TWxxxZxxxC系列”,該產品采用東芝最新的 [1] 第3代碳化硅MOSFET芯片 ,用于支持工業設備應用 。該系列中五款額定電壓為650V,另外五款額定電壓為1200V,十款產品于今日開始批量
2023-09-04 15:13:401134

600V碳化硅二極管SIC SBD選型

極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料,SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點,SiC
2019-10-24 14:25:15

650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型

逆變器等中高功率領域,可顯著的減少電路的損耗,提高電路的工作頻率。    關斷波形圖(650V/10A產品)  650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型  
2020-09-24 16:22:14

8KW碳化硅全橋LLC解決方案

每個橋臂需要4個MOSFET以及各自的驅動,增加了系統復雜度,再比如每個橋臂需要各自的鉗位二極管,增加了系統成本。  本文中,將介紹我們8KW LLC變換器的設計方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50

1200V/10A碳化硅肖特基二極管

Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復電流?零正向恢復電壓?高頻工作?開關特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49

1200V碳化硅MOSFET系列選型

。尤其在高壓工作環境下,依然體現優異的電氣特性,其高溫工作特性,大大提高了高溫穩定性,也大幅度提高電氣設備的整體效率。  產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。    1200V碳化硅MOSFET系列選型    
2020-09-24 16:23:17

用于PFC的碳化硅MOSFET介紹

碳化硅(SiC)等寬帶隙技術為功率轉換器設計人員開辟了一系列新的可能性。與現有的IGBT器件相比,SiC顯著降低了導通和關斷損耗,并改善了導通和二極管損耗。對其開關特性的仔細分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53

碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了

碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39

碳化硅MOSFET是如何制造的?如何驅動碳化硅場效應管?

應用,處理此類應用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡稱SiC已被證明是一種材料,可以用來構建類似MOSFET的組件,使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今,SiC受到了很多關注,不僅因為它
2023-02-24 15:03:59

碳化硅MOSFET的SCT怎么樣?

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07

碳化硅SiC技術導入應用的最大痛點

)新的650V碳化硅器件有助于在幾個方面降低成本。與硅基650V MOSFET相比,碳化硅器件的導通損耗降低了50%,開關損耗降低了75%,而功率密度提高了三倍,因此,不僅可以實現更高效率,而且還可以降低磁性
2023-02-27 14:28:47

碳化硅半導體器件有哪些?

200V,但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復時間實踐,同時在正向電壓也減少,耐壓也大大超過200V,典型的電壓有650V1200V等,另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優勢。在
2020-06-28 17:30:27

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復。用于空氣/油/SF6 環境。可配置為單個或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料。可重復的非線性特性。耐高壓。基本上是無感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
2024-03-08 08:37:49

碳化硅器件是如何組成逆變器的?

進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點是什么

今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04

碳化硅基板——三代半導體的領軍者

碳化硅(SiC)即使在高達1400℃的溫度下,仍能保持其強度。這種材料的明顯特點在于導熱和電氣半導體的導電性極高。碳化硅化學和物理穩定性,碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強度好的材料
2021-01-12 11:48:45

碳化硅如何改進開關電源轉換器設計?

,3.3 kW CCM 圖騰柱 PFC 的效率可達到 99% 以上(圖 4),其中在雙升壓 PFC 設計中使用 CoolMOS? 的最佳效率峰值為 98.85%。而且,盡管碳化硅MOSFET的成本較高
2023-02-23 17:11:32

碳化硅深層的特性

碳化硅的顏色,純凈者無色透明,含雜質(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍,淺綠等色,少數呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射,在紫外光下發黃、橙黃色光,無
2019-07-04 04:20:22

碳化硅的歷史與應用介紹

的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用,如汽車制動器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備,如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應用

碳化硅作為現在比較好的材料,為什么應用的領域會受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術演進解析

碳化硅肖特基二極管主要特點及產品系列  基本半導體B1D系列碳化硅肖特基二極管主要技術參數如下:  650V1200V系列B1D碳化硅肖特基二極管電流范圍從2-40A,封裝涵蓋TO-220,TO-252,TO-263,TO-247及其家族群封裝,產品列表見下:原作者:基本半導體
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

。  基本半導體自主研發推出了650V1200V、1700V系列標準封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產品,具有極高的工作效率,性能優越達到國際先進水平,可廣泛應用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷線路板,半導體功率器件的好幫手

一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應用場合。碳化硅(SiC)材料因其優越的物理特性,開始受到人們的關注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學家Jns Jacob Berzelius發現以來,直到
2021-03-25 14:09:37

B1M080120HC 1200V碳化硅MOSFET替代C2M0080120D 可降低器件損耗更適合應用于高頻電路

、車載電源、太陽能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領域有廣泛應用。附上1200V同系列碳化硅MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 參數選型表:
2021-11-10 09:10:42

Basic Semi代理商 B1D02065E 650V2A6.8nC 碳化硅肖特基二極管 附上同系列選型參數表

Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二極管,與傳統的硅基器件相比,具有更優越的性能,零開關損耗,極低反向電流 ,無反向恢復電流 ,低電容電荷, 提高效率,降低解決方案
2021-10-27 15:00:42

CISSOID碳化硅驅動芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32

SiC MOSFET:經濟高效且可靠的高功率解決方案

柵極電壓,在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間,也可以通過集成在柵極驅動器IC中的去飽和功能來保護SiC
2019-07-30 15:15:17

TGF2023-2-10碳化硅晶體管

69.5%,這使得tgf2023-2-10適合高效率的應用。產品型號:TGF2023-2-10產品名稱:碳化硅晶體管TGF2023-2-10產品特性頻率范圍:直流至14千兆赫47.4 dBm的名義
2018-06-12 10:22:42

TGF2023-2-10碳化硅晶體管銷售

得tgf2023-2-10適合高效率的應用。產品型號:TGF2023-2-10產品名稱:碳化硅晶體管TGF2023-2-10產品特性頻率范圍:直流至14千兆赫47.4 dBm的名義PSAT在3
2018-11-15 11:59:01

TGF2954碳化硅晶體管銷售

TGF2954碳化硅晶體管產品介紹TGF2954報價TGF2954代理TGF2954TGF2954現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2954是離散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58

TGF2955碳化硅晶體管銷售

:TGF2955產品名稱:碳化硅晶體管TGF2955產品特性頻率范圍:直流- 12 GHz46.4dbm名義PSAT在3 GHz69%在3 GHz的PAE19.2db標稱功率增益在3 GHz拜厄斯:VD = 32V
2018-11-15 14:06:57

TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性

基本半導體推出1200V 80mΩ的碳化硅MOSFET兩種封裝的典型產品B1M080120HC(TO-247-3)和B1M080120HK(TO-247-4)為例,從理論上來解釋TO-247-4中輔助源
2023-02-27 16:14:19

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結構是如何構成的?
2021-06-18 08:32:43

從硅過渡到碳化硅MOSFET的結構及性能優劣勢對比

近年來,因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應用等下游市場的驅動,碳化硅功率器件取得了長足發展。更快的開關速度,更好的溫度特性使得系統損耗大幅降低,效率提升,體積減小,從而實現變換器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06

傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

應用領域,SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅
2021-09-23 15:02:11

創能動力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

的整體系統尺寸,更小的整體成本,高溫下更高的可靠性,同時降低功率損耗。創能動力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET碳化硅功率模組和集成功率模組,用于太陽能逆變器、功率因數校正、電動車充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51

功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?

90A 的 6 件拓撲結構,適用于 1200V,以及 50A、100A 和 150A 的混合碳化硅芯片組。  半頂 E2 模塊  SEMITOP E2是允許全面優化的無底板模塊。憑借其位于外殼頂部的引腳
2023-02-20 16:29:54

圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應用

和高性能的碳化硅 MOSFET之間,在某些場合性價比更優于超結MOSFET碳化硅MOSFET,可幫助客戶在性能和成本之間取得更好的平衡,具有重要的應用價值,特別適用于對功率密度提升有需求,同時更強
2023-02-28 16:48:24

在開關電源轉換器中充分利用碳化硅器件的性能優勢

員要求的更低的寄生參數滿足開關電源(SMPS)的設計要求。650V碳化硅場效應管器件在推出之后,可以補充之前只有1200V碳化硅場效應器件設計需求,碳化硅場效應管(SiC MOSFET)由于能夠實現硅
2023-03-14 14:05:02

基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC諧振隔離DC/DC變換器方案研究

)。給出了本設計主要參數指標,其中輸出最大電流為35A,輸出電壓范圍在300V-550之間。工作頻率范圍在150KHZ-400KHZ之間。目標最高效率超過98.4%,功率密度達到60瓦/立方英寸。碳化硅
2016-08-05 14:32:43

如何用碳化硅(SiC)MOSFET設計一個高性能門極驅動電路

對于高壓開關電源應用,碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31

如何用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器?

碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40

用于新能源汽車的碳化硅半橋MOSFET模塊

  采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列  產品型號  BMF600R12MCC4  BMF400R12MCC4  汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35

歸納碳化硅功率器件封裝的關鍵技術

電子系統的效率和功率密度朝著更高的方向前進。碳化硅器件的這些優良特性,需要通過封裝與電路系統實現功率和信號的高效、高可靠連接,才能得到完美展現,而現有的傳統封裝技術應用于碳化硅器件時面臨著一些關鍵挑戰
2023-02-22 16:06:08

淺析基于碳化硅MOSFET的諧振LLC和移相電路在新能源汽車的應用

)和1200V 碳化硅隔離全橋DC/DC方案(下圖)因此碳化硅MOSFET在軟開關橋式高輸入電壓隔離DC/DC電路中優勢明顯,簡化拓撲,實現高效和高功率密度。特別是它的超快體二極管特性使無論諧振LLC
2016-08-25 14:39:53

淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動的區別

MOSFET 的單通道驅動核,可以驅動目前市面上大部分 1700V 以內的單管碳化硅 MOSFET, 該驅動核設計緊湊,通用性強。  3、電源模塊  Q15P2XXYYD 是青銅劍科技自主研發的單通道
2023-02-27 16:03:36

電動汽車的全新碳化硅功率模塊

面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能,特別是在800 V 電池系統和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16

被稱為第三代半導體材料的碳化硅有著哪些特點

,同時在正向電壓也減少,耐壓也大大超過200V,典型的電壓有650V1200V等,另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優勢。在開關電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現
2023-02-20 15:15:50

請教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱

使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。但隨著半導體技術的進步,碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關,通過降低電阻和開關損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05

科銳推出芯片型碳化硅MOSFET功率器件

科銳公司(Nasdaq: CREE)將繼續引領高效率電子電力模組變革,宣布推出業界首款符合全面認證的可應用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。
2011-12-19 09:03:161682

英飛凌推出1200 V碳化硅MOSFET技術,助力電源轉換設計達到前所未有的效率和性能

  2016年5月10日,德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技術,使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性,可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091164

Littelfuse在2018年APEC大會上推出超低導通電阻1200V碳化硅MOSFET

Semiconductor Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC) n通道增強型MOSFET,為其日益擴展的第一代電源半導體器件組合注入新鮮血液。Littelfuse與Monolith在2015年結成戰略
2018-03-18 09:19:003708

Littelfuse在2018年APEC大會上推出超低導通電阻1200V碳化硅MOSFET

全球電路保護領域的領先企業Littelfuse, Inc.與從事碳化硅技術開發的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC) n通道增強型
2018-03-19 09:55:275947

深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET

ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(相比第二代)ROHM第三代設計應用于650V和1200V產品之中,包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET,并利用光學顯微鏡和掃描電鏡研究復雜的碳化硅溝槽結構。
2018-08-20 17:26:299042

一種智能的碳化硅MOSFET驅動核

的產品帶來高效率,高頻率,小體積,降低系統成本等效益,廣泛應用于光伏發電,新能源汽車,通信基站電源,充電樁,高鐵,電網輸電等領域。
2018-09-24 09:13:007216

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET產品

的重要補充,也是Littelfuse公司已發布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強有力補充。最終用戶將受益于更加緊湊節能的系統以及潛在更低的總體擁有成本。
2018-10-23 11:34:375600

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

支持電動和混合動力汽車、數據中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應用 Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:414694

Wolfspeed推出適用于電動車充電器的1200V 450A全碳化硅半橋模塊

日前,Wolfspeed宣布推出1200V 450A全碳化硅半橋模塊CAB450M12XM3,該產品可最大限度地提高功率密度,同時最大限度地降低環路電感并實現簡單的功率總線。XM3適用于電動車充電器,牽引驅動器和不間斷電源(UPS)等應用。
2019-09-14 10:54:001843

科銳推出650V碳化硅MOSFET產品組合,為應用領域提供高功率解決方案

作為碳化硅技術全球領先企業的科銳(Cree Inc., 美國納斯達克上市代碼:CREE)公司,于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產品組合,適用于更廣闊的工業應用,助力新一代電動汽車車載充電、數據中心和其它可再生能源系統應用,提供業界領先的功率效率
2020-04-02 15:37:563648

如何使用碳化硅器件實現高效率光伏逆變器的研究

采用新型碳化硅結型場效應功率晶體管的光伏逆變器與采用硅IGBT模塊的傳統光伏逆變器相比,具有開關頻率高、體積小、效率高的特點。本文對橋式碳化硅模塊的驅動,以及以碳化硅器件組成的單相光伏逆變器的開關
2020-04-14 08:00:002

東芝推出新款1200V碳化硅MOSFET產品,主要面向工業應用

該功率MOSFET采用碳化硅(SiC)這種新材料,與常規的硅(Si)MOSFET、IGBT產品相比,具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性,有利于降低功耗,精簡系統。
2020-10-19 16:11:223530

Microchip推出700和1200V碳化硅肖特基勢壘二極管

)今日宣布推出最新通過認證的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)功率器件,為電動汽車(EV)系統設計人員提供了符合嚴苛汽車質量標準的解決方案,同時支持豐富的電壓、電流和封裝選項。 Microchip新推出的器件通過了AEC-Q101認證,對于需要在提高系統效率的同時保持高質
2020-11-05 10:20:351686

英飛凌率先推出1200V碳化硅IPM的CoolSiC

英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出1200V碳化硅(SiC)集成功率模塊(IPM),并在今年大規模推出了SiC解決方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:513427

東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊,有助于提升工業設備效率和小型化

東芝面向工業應用推出一款集成最新開發的雙通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300V和800A特征)的模塊---“MG800FXF2YMS3”,該產品將于2021年5月投入量產。
2021-02-25 14:14:40951

東芝推出新款1200V碳化硅MOSFET——TW070J120B

)和氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料正憑借其優越的性能和巨大的市場潛力,成為全球半導體市場的焦點。借此契機,東芝推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW070J120B”。 01特征屬性分析 TW070J120B采用第2代內置碳化硅SBD芯片設計,TO-3P(N)封裝,具有高
2021-06-04 18:21:233224

碳化硅MOSFET數字柵極驅動器現已量產

隨著對電動公共汽車和其他電氣化重型運輸車輛的需求增加,以滿足更低的碳排放目標,基于碳化硅電源管理解決方案正在為此類運輸系統提供更高效率。為了進一步完善其豐富的碳化硅MOSFET分立和模塊產品組合
2021-10-09 16:17:461644

東芝推出1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊

?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”;額定電壓為1700V、額定
2022-02-01 20:22:024606

Qorvo推出新一代1200V碳化硅場效應晶體管

移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?(納斯達克代碼:QRVO)今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列,該系
2022-05-25 10:46:531004

東芝推出具有低導通電阻的新款功率器件

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻,可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品,現已開始出貨。
2022-09-01 15:37:53479

東芝推出第三代碳化硅MOSFET來提高工業設備效率

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。這是其第三代碳化硅MOSFET[1][2],具 有低導通電阻和大幅降低的開關損耗。10種產品分別為
2023-02-20 15:46:150

碳化硅MOSFET有幾種電壓介紹

、900V、1200V、1700V,當然還有超高壓3300V,目前正在研發中,主要應用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費類產品、工控,電源、工控、空調等、電動工具、儲能等。碳化硅 (SiC
2023-02-21 09:59:541184

汽車碳化硅模塊是什么,作用和用途

  汽車碳化硅模塊是一種用于汽車電力傳動系統的電子器件,由多個碳化硅芯片、散熱器、絕緣材料和連接件等組成。碳化硅芯片作為模塊的核心部件,采用現代半導體技術制造而成,可以實現高功率、高效率、高頻率的控制和開關,適用于電動車的逆變器、充電器、DC-DC轉換器等多種應用。
2023-02-25 15:03:222180

Wolfspeed 的碳化硅 MOSFET 滿足大功率應用需求

碳化硅(SiC)技術的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統,SiC MOSFET 就能為許多行業的許多不同應用提供高效率,包括那些必須在惡劣環境中運行的應用。
2023-05-19 11:27:34547

碳化硅MOSFET什么意思

MOSFET相比傳統的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導通電阻、更高的開關頻率和更高的工作溫度等優點。因此,碳化硅MOSFET可以被廣泛應用于能源轉換、交流/直流電源轉換、汽車和航空航天等領域。
2023-06-02 15:33:151180

Wolfspeed開始向中國終端客戶批量出貨碳化硅MOSFET

。Wolfspeed 1200V碳化硅MOSFET系列針對高功率應用優化設計,適用于光伏與儲能系統、電動汽車充電、高電壓DC/DC轉換器、測試設備、不間斷電
2023-07-06 10:35:14375

逆變器中600V-1200V碳化硅MOSFET預備起飛

逆變器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未來十年的復合年增長率為27%。
2023-07-17 11:33:24278

碳化硅MOSFET的應用場景

碳化硅(SiC)技術的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統,SiC MOSFET就能為許多行業的許多不同應用提供高效率,包括那些必須在惡劣環境下運行的應用。
2023-07-21 11:42:14623

采用STM32G4并基于碳化硅 MOSFET適用于30kW充電電源的ACDC方案

電子發燒友網站提供《采用STM32G4并基于碳化硅 MOSFET適用于30kW充電電源的ACDC方案.pdf》資料免費下載
2023-07-31 17:03:4410

碳化硅MOSFET的應用場景及其影響

  碳化硅(SiC)技術的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統,SiC MOSFET就能為許多行業的許多不同應用提供高效率,包括那些必須在惡劣環境中運行的應用。
2023-08-16 10:28:21656

東芝開發出業界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊,助力工業設備的高效率和小型化

點擊“東芝半導體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布, 推出業界首款 [1] 2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:07254

東芝推出用于工業設備的第3代碳化硅MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,該產品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工業設備應用。
2023-09-07 09:59:32734

東芝第3代碳化硅MOSFET為中高功率密度應用賦能

MOSFET也已經發展到了第3代,新推出的650V和1200V電壓產品現已量產。其柵極驅動電路設計簡單,可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優勢 相同功率等級的硅MOSFET相比,新一代碳化硅MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率,
2023-10-17 23:10:02269

一文了解SiC碳化硅MOSFET的應用及性能優勢

共讀好書 碳化硅是第三代半導體產業發展的重要基礎材料,碳化硅功率器件以其優異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效
2024-02-21 18:24:15412

Qorvo發布1200V碳化硅模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。這一創新產品系列專為電動汽車充電站、儲能系統、工業電源和太陽能應用而設計。
2024-03-06 11:43:19282

已全部加載完成

主站蜘蛛池模板: 成人网站国产在线视频内射视频| 久久在精品线影院精品国产| 亚洲色欲国产AV精品综合| 久久99精品国产99久久6男男| 在线精品视频免费观看| 欧美日韩一区不卡在线观看| 999精品国产人妻无码系列| 久久99国产精品无码AV| 97视频在线观看免费视频| 男女作爱在线播放免费网页版观看| qvod电影资源| 亚婷婷洲AV久久蜜臀无码| 久久观看视频| 成人18视频在线| 中国人泡妞xxxxxxxx19| 国产精品99AV在线观看| 91精品乱码一区二区三区| 香蕉久久一区二区三区啪啪| 青青青草国产| 精品久久电影网| 国产毛A片久久久久久无码| freevideoshd| 专干老肥熟女视频网站300部| 亚洲AV无码影院在线播放| 嫩草国产福利视频一区二区| 九九久久久| 国产小视频免费在线观看| 二次元美女扒开内裤喷水| ASIAN大陆明星裸休合成PICS| 亚洲女初尝黑人巨磁链接| 无码人妻精品国产婷婷| 色人阁影视| 日韩欧美视频一区二区| 伦理片飘花手机在线| 国产呦精品一区二区三区下载| av老司机色爱区综合| 亚洲色噜噜狠狠网站| 亚洲 日韩 国产 中文视频| 无码人妻99久久密AV| 天天色狠狠干| 色欲AV久久综合人妻蜜桃|