為了穩(wěn)定性，必須在 MOSFET 柵極前面放一個(gè) 100 Ω 電阻嗎？
2023-03-13 10:18:05
957 相對(duì)于MOSFET也屬于高端功率器件，但在廣大的中低壓應(yīng)用當(dāng)中，無論是消費(fèi)類電子，還是家用電器，或是嵌入式系統(tǒng)和工業(yè)領(lǐng)域，MOSFET依然占據(jù)著巨大的市場(chǎng)份額。
2021-05-20 10:09:488115 `2014 OPPO N3新品發(fā)布會(huì)10月29日，新款旗艦OPPO N3將于北京奧雅會(huì)展中心舉辦發(fā)布會(huì)，我們能從網(wǎng)上看到不少關(guān)于N3的曝光消息，隨處可見配置、外觀甚至是售價(jià)的曝光。據(jù)傳，OPPO
2014-10-28 16:53:52
8月20日，由昆明維佳特HIFI音頻、iFi中國所主辦的“2016 iFi中國SPDIF iPurifier新品發(fā)布試聽會(huì)”將在云南昆明“春城”隆重開幕。未來主流數(shù)字音頻的發(fā)展趨勢(shì)愈來愈指向
2016-08-13 10:57:28
壓場(chǎng)效率管（MOSFET）MOS管型號(hào)：HC021N10L-AMOS管參數(shù)：100V35A內(nèi)阻：22mR（VGS=4.5V）結(jié)電容：1880pF類型：SGT工藝NMOS開啟電壓：1.8V封裝：TO-252惠
2020-11-12 09:52:03
（MOSFET）MOS管型號(hào)：HC021N10L-AMOS管參數(shù)：100V35A內(nèi)阻：22mR（VGS=4.5V）結(jié)電容：1880pF類型：SGT工藝NMOS開啟電壓：1.8V封裝：TO-252惠海
2020-11-03 15:38:19
（MOSFET）MOS管型號(hào)：HC021N10L-AMOS管參數(shù)：100V35A內(nèi)阻：22mR（VGS=4.5V）結(jié)電容：1880pF類型：SGT工藝NMOS開啟電壓：1.8V封裝：TO-252惠海
2020-11-11 14:45:15
電路顯示LT1303,4芯至5V / 100mA MOSFET降壓/升壓轉(zhuǎn)換器
2020-06-16 12:32:22
（VGS=10V）內(nèi)阻：28mR（VGS=10V）結(jié)電容：550pF結(jié)電容：650pF類型：SGT工藝NMOS類型：SGT工藝NMOS開啟電壓：1.8V開啟電壓：1.8V封裝：TO-252封裝：TO-252惠海半導(dǎo)體MOSFET選型表參考：
2021-06-11 14:05:36
`30V 60V 100V 150V SGT工藝高性能MOS管 低內(nèi)阻 低開啟 低結(jié)電容常規(guī)型號(hào)：25N10 17N06 30N06 50N06 30N03 3400 5N10 10N10
2020-10-27 13:54:30
17N10 30V 60V 100V 150V SGT工藝高性能MOS管 低內(nèi)阻 低開啟 低結(jié)電容東莞市惠海半導(dǎo)體有限公司專業(yè)從事DC-DC中低壓MOS管市場(chǎng)，專注中低壓MOS管的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)與銷售
2020-09-24 16:34:09
7月27日 19:30HarmonyOS 3及華為全場(chǎng)景新品發(fā)布會(huì)高能來襲！在HarmonyOS開發(fā)者社區(qū)企微直播間一起見證HarmonyOS的又一次智慧進(jìn)化掃碼預(yù)約直播，與您不見不散！
2022-07-26 12:02:36
壓大功率MOSFET 100V-250V產(chǎn)品特征1、低導(dǎo)通電阻，低柵極電荷2、高散熱能力，高結(jié)溫下，大電流持續(xù)導(dǎo)通能力3、高EAS能力。（100%UIS測(cè)試）P/NPartNumberPackageV
2012-06-20 16:24:38
供周到完善的技術(shù)支持、售前服務(wù)及售后服務(wù)，讓您無任何后顧之憂 （二）惠海半導(dǎo)體--中低壓場(chǎng)效率管（MOSFET） MOS管型號(hào)：HC080N10L MOS管參數(shù)：100V15A 內(nèi)阻：76mR
2020-11-13 14:59:06
`30V 60V 100V 150V SGT工藝高性能MOS管 低內(nèi)阻 低開啟 低結(jié)電容常規(guī)型號(hào)：25N10 17N06 30N06 50N06 30N03 3400 5N10 10N10
2020-10-27 15:40:02
電源，充電器，小家電，電源，香薰機(jī),美容儀加濕器,霧化器,混色LED燈等電子產(chǎn)品。MOS管型號(hào)：HG160N10LMOS管參數(shù)：100V 8A低內(nèi)阻：110mR（VGS=10V）低結(jié)電容：201pF
2020-12-07 11:02:00
紋波電壓[td]–[tr]效率[td]80[tr][td]–264VAC––50mW輸入：100VAC/230VAC1212.6V–––A––100mV帶寬20MHz––%輸出：12V/1.5A表格
2018-11-27 16:50:30
本帖最后由 mtss 于 2015-11-11 09:50 編輯
論壇的大神們好，我現(xiàn)在需要設(shè)計(jì)一款4MHz的E型功放，要求100V,1mA。請(qǐng)問，需要什么型號(hào)的MOSFET芯片和MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片。對(duì)這個(gè)不太了解，求大神們幫助。多謝了。
2015-10-22 11:41:26
，增強(qiáng)型MOSFET分為P溝道增強(qiáng)型和N溝道增強(qiáng)型，耗盡型MOSFET分為P溝道耗盡型和N溝道耗盡型。在本文中，小編將介紹其中一種類型的MOSFET，即P溝道MOSFET。基本概念溝道由大多數(shù)電荷載流子作為
2022-09-27 08:00:00
子的歐姆區(qū)域（ohmic region），MOSFET“完全導(dǎo)通”。在對(duì)比圖中，N溝道歐姆區(qū)的VGS是7V，而P溝道的是-4.5V。隨著柵極電壓增加，歐姆曲線的斜率變得更陡，表明器件導(dǎo)電能力更強(qiáng)。施加
2018-03-03 13:58:23
SGT100A羅德與施瓦茨SGT100A-------------------------------------------公司名稱：深圳市捷威信電子儀器有限公司聯(lián)系人：譚會(huì)平
2021-08-06 09:35:51
SGT03U13 - Unidirectional Transient - GE Solid State
2022-11-04 17:22:44
新品發(fā)布|業(yè)界首款！潤開鴻最新推出RISC-V 高性能芯片? OpenHarmony標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)的智能硬件開發(fā)平臺(tái)HH-SCDAYU800
2023-01-13 17:43:15
松下于近日發(fā)布：用于替代「FK系列」的—全新「FN系列」貼片鋁電解電容（松下型號(hào)EEEFN***）一、新品介紹：①「FN系列」產(chǎn)品特點(diǎn)：>>105 ℃ 2000 小時(shí)保證產(chǎn)品>
2020-03-17 17:57:12
」 新品發(fā)布會(huì)，我們邀請(qǐng)廣大開發(fā)者和我們一起，見證人機(jī)交互技術(shù)的全新變革！2全新的智能化解決方案這場(chǎng)新品發(fā)布會(huì)，科大訊飛旨在為所有開發(fā)者帶來人機(jī)交互一站式智能化解決方案。在技術(shù)層面上，全新升級(jí)的AIUI將能
2018-05-15 11:56:30
的非常寬的結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍.特征：?溝槽型Power MV MOSFET技術(shù)-60V?低RDS(ON)?低 GATE CHARGE?針對(duì)快速切換應(yīng)用程序進(jìn)行優(yōu)化?VDS：-60V?ID (at VGS
2019-03-13 10:54:35
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
Cogobuy商城Wifi模塊新品發(fā)布1.型號(hào)21033112400環(huán)形公制連接器制造商：Harting詢價(jià)>> 1.型號(hào)F931C475MAA鉭電容 制造商：Nichicon詢價(jià)>
2012-03-20 18:25:22
主要是：電子設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品等模塊供電，包括：BMS POE GPS儀器儀表 車充等等，它們有低功耗，大電流，大功率等特點(diǎn)，往往需要24V 36V 48V 60V 72V 100V 120V
2024-01-20 15:30:35
`華為全場(chǎng)景新品發(fā)布會(huì)直播報(bào)名地址：華為全場(chǎng)景新品發(fā)布會(huì)開播時(shí)間：周三 6月2日 下午20:00一、活動(dòng)話題1、【有獎(jiǎng)討論】 HarmonyOS成為清華等頂級(jí)高校課程，HarmonyOS高校計(jì)劃你
2021-05-27 11:07:19
1 方案名稱 JW1251A杰華特自適應(yīng)100/120Hz電流紋波消除器與功率MOSFET集成 2 品牌名稱杰華特 -QQ 289 271 5427 3 方案特點(diǎn)適應(yīng)性100/120Hz紋波電流劑
2020-08-19 10:52:42
/120Hz電流紋波消除器內(nèi)置60V功率MOSFET可編程LED電流紋波優(yōu)化的TRIAC調(diào)光SOT23-3包 4 規(guī)格 JW?M366用于驅(qū)動(dòng)LED串，消除了恒流AC/DC LED驅(qū)動(dòng)上的100
2020-08-19 11:06:58
【10月9日消息】高集成度模擬與混合信號(hào)半導(dǎo)體廠商Maxim Integrated Products，Inc.(NASDAQ)在京召開2012新品牌新聞發(fā)布會(huì)，正式發(fā)布Maxim新品牌形象及相關(guān)
2013-07-11 15:46:55
【10月9日消息】高集成度模擬與混合信號(hào)半導(dǎo)體廠商Maxim Integrated Products，Inc.(NASDAQ)在京召開2012新品牌新聞發(fā)布會(huì)，正式發(fā)布Maxim新品牌形象及相關(guān)策略
2013-07-11 11:18:45
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
MOSFET 切換高于5V 的電壓，則需要另一個(gè)晶體管（某種晶體管）來打開和關(guān)閉它。P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管P溝道區(qū)域位于P溝道MOSFET的源極和漏極之間。它是一個(gè)四端子器件，具有以下端子：柵極、漏極、源極和主體
2023-02-02 16:26:45
倒計(jì)時(shí)！就在明天！大咖打call 第二彈！OpenHarmony開源大師兄新品發(fā)布會(huì)，6月30日10:00重磅開啟。立即報(bào)名：OpenHarmony開源大師兄新品發(fā)布會(huì)
2022-06-29 13:59:54
R&S羅德SGT100A回收射頻信號(hào)源供應(yīng)熱線：***供應(yīng)VX號(hào)：15015200707供應(yīng)QQ:3140751627（同微）koukou:三一四零七五一六二七(同微)R_SSGT100
2021-06-24 16:22:34
`全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出內(nèi)置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2
2021-07-14 15:17:34
我想知道STL62P3LLH6 P溝道MOSFET的安全工作區(qū)圖表是否正確http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet
2019-07-29 12:23:12
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
`昨日原道召攜英特爾、微軟、京東在京召開新品發(fā)布會(huì)，一大波Win8平板來襲，原道W10pro，原道W11C和原道W11pro亮相發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng)。小鑫作為原道粉絲，在幾天前收到邀請(qǐng)，以原道達(dá)人身份參加此次
2014-05-30 09:10:09
MOS管型號(hào)：HG1006D參數(shù)：100V 25A 封裝：DFN3333內(nèi)阻：25mR(Vgs=10V) 30mR(Vgs=4.5V)結(jié)電容：839pF開啟電壓：1.7V應(yīng)用領(lǐng)域：車燈照明、車載電子
2021-01-07 15:37:15
景新品發(fā)布會(huì)這場(chǎng)直播會(huì)為大家揭示什么呢?首批搭載鴻蒙手機(jī)上線？鴻蒙全場(chǎng)景新品類發(fā)布！平板？智慧屏？全屋智能？智能座艙、車機(jī)？各位開發(fā)者沒有不愛電子產(chǎn)品的吧？大家希望這次的華為全場(chǎng)景新品能上什么呢，有你
2021-05-28 19:07:46
、樂視也都將在本月召開新品發(fā)布會(huì)。今天有網(wǎng)友曝光了中興的新品發(fā)布會(huì)海報(bào)，而此前中興卻沒有公布過一點(diǎn)消息，海報(bào)顯示中興將于 4月20日在北京751召開春季新品發(fā)布會(huì)。 從海報(bào)內(nèi)容來看，中興即將召開的新品
2016-04-14 16:33:37
為什么 ST 在 AN4599 的 LLC 諧振拓?fù)渲刑砑右粋€(gè) 100pf 1000V 1210 并聯(lián)電容器和 MOSFET？
2022-12-26 07:53:01
半導(dǎo)體產(chǎn)品采用的是也是平面柵MOSFET結(jié)構(gòu)。基于平面柵結(jié)構(gòu)，派恩杰已經(jīng)發(fā)布了650V-1700V各個(gè)電壓平臺(tái)的SiC MOSFET，而且已經(jīng)順利在新能源龍頭企業(yè)批量供貨，實(shí)現(xiàn)“上車”。
2022-03-29 10:58:06
中低壓場(chǎng)效率管（MOSFET）MOS管型號(hào)：HG012N06LMOS管參數(shù)：60V50A內(nèi)阻：14mR（VGS=4.5V）結(jié)電容：550pF類型：SGT工藝NMOS開啟電壓：1.8V封裝
2020-07-31 11:03:26
在通孔板上建立電路數(shù)小時(shí)后，我發(fā)現(xiàn)使用P-MOSFET時(shí)Vgs并不容易。經(jīng)過搜索，我發(fā)現(xiàn)我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）將源極電壓帶到柵極，以便關(guān)斷MOSFET。對(duì)我來說非常重要的是，當(dāng)
2018-08-23 10:30:01
，二邊的P區(qū)中間夾著一個(gè)N區(qū)，由于二個(gè)P區(qū)在外面通過S極連在一起，因此，這個(gè)結(jié)構(gòu)形成了標(biāo)準(zhǔn)的JFET結(jié)構(gòu)。 4 隔離柵SGT場(chǎng)效應(yīng)晶體管 功率MOSFET的導(dǎo)通電阻Rds(on)和寄生的電容是一個(gè)相互
2016-10-10 10:58:30
低端，可以直接驅(qū)動(dòng)。如果是+48V的系統(tǒng)，熱插撥的功率MOSFET使用N溝道放在低端，雖然可以直接驅(qū)動(dòng)，但輸出地會(huì)產(chǎn)生浮動(dòng)的問題。使用P溝道的功率管放在高端，驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單，但是這個(gè)電壓規(guī)格的P溝道的功率管
2016-12-07 11:36:11
7月19日消息稱，華為終端官方微博正式宣布，將于7月29日19點(diǎn)30分舉行旗艦新品發(fā)布會(huì)。從此前爆料來看，華為P50系列外觀設(shè)計(jì)類似上個(gè)月剛剛發(fā)布的榮耀50，后置雙圓環(huán)多攝，兩款高配型號(hào)配備f
2021-07-20 16:31:21
上周六華為官方宣布將于北京時(shí)間10月22日20點(diǎn)舉行華為Mate?40系列新品發(fā)布會(huì)，而本次發(fā)布會(huì)除了華為Mate?40系列還將有哪些新品呢？華為本次發(fā)布會(huì)可能會(huì)帶來：1、華為Mate40系列四款
2020-10-12 17:40:11
低噪聲、高電源抑制比、低靜態(tài)電流和很好的負(fù)載/線性瞬變。NCP148提供軟啟動(dòng)功能，集成優(yōu)化的轉(zhuǎn)換率控制用于攝像機(jī)模塊。該器件設(shè)計(jì)為與1 uF輸出陶瓷電容器一起工作。采用超小的0.35P、0.65毫米×0.65毫米的芯片級(jí)封裝（CSP）。欲查看我們的最新產(chǎn)品發(fā)布，請(qǐng)到我們的特色新品頁面。
2018-10-25 08:56:49
安森美半導(dǎo)體的特色新品(FNP)清單重點(diǎn)介紹最新發(fā)布的一些器件。每一更新包括最新產(chǎn)品的產(chǎn)品類別、其獨(dú)特之處的概要和了解更多詳細(xì)信息的鏈接。無論您正在研發(fā)最新的設(shè)計(jì)還是僅僅出于對(duì)新產(chǎn)品的好奇，這些更新
2018-10-23 09:13:18
是您的理想指南。以下是您將在今天的清單中看到的一些新品。安森美半導(dǎo)體的最近的特色新品的完整清單可在這里找到。EFC4C002NL: 功率MOSFET 用于3節(jié)鋰電池保護(hù), 30V, 2.6m
2018-10-22 09:08:52
開放、共享、共建OpenHarmony開源大師兄新品發(fā)布會(huì) 2022 年 6月30日 10:00 AM 2019年12月 521位教師聯(lián)合發(fā)起歷時(shí)三年 探索不止2022年6月 相約線上 正式開啟
2022-06-30 09:24:21
，N溝道歐姆區(qū)的VGS是7V，而P溝道的是-4.5V。隨著柵極電壓增加，歐姆曲線的斜率變得更陡，表明器件導(dǎo)電能力更強(qiáng)。施加的柵極電壓越高，MOSFET的RDS(on)就越小。在某些應(yīng)用中
2021-04-09 09:20:10
`德國R&S 深圳SMR50回收SMR60咨詢SGT100A公司名稱：深圳市捷威信電子儀器有限公司聯(lián)系人：譚S ***座機(jī)號(hào)碼：0755-27538807QQ
2021-04-17 09:34:29
德國羅德與施瓦茨SGT100A/SGS100A射頻信號(hào)源公司名稱：深圳市捷威信電子儀器聯(lián)系人：劉*** V：18025446127座機(jī)號(hào)：0755-27538807QQ
2021-09-26 08:57:49
德國羅德與施瓦茨SGT100A矢量射頻信號(hào)源公司名稱：深圳市捷威信電子儀器聯(lián)系人：劉*** V：18025446127座機(jī)號(hào)：0755-27538807QQ：2770811561Ｅ－mail：liu
2021-10-09 10:46:49
管（MOSFET）MOS管型號(hào)：惠海半導(dǎo)體HG012N06LMOS管參數(shù)：60V50A（50N06）內(nèi)阻：11mR（VGS=10V）結(jié)電容：550pF 類型：SGT工藝NMOS開啟電壓：1.8V封裝
2020-08-29 14:51:46
型號(hào):HC030N10L參數(shù)：100V 30A類型：N溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)阻22毫歐低結(jié)電容2000pF封裝：貼片（TO-252）■HC030N10L是一款采用SGT工藝超結(jié)MOS管，低開啟電壓
2020-12-12 14:41:06
型號(hào)： HG080N10LSMOS管參數(shù)：100V17A（17N10）低內(nèi)阻：76mR（VGS=10V）低結(jié)電容：525pF類型：SGT工藝NMOS低開啟電壓：1.6V封裝：TO-252 HG080N10LS特點(diǎn)
2020-11-12 14:51:50
全國回收SGT100A、高價(jià)收購R&S SGT100A信號(hào)發(fā)生器本公司大量回收二手儀器上門回收現(xiàn)金回收高價(jià)回收無論你在哪，只要你想賣，一個(gè)電話，我們上門回收！R&S?SGT100
2018-11-23 16:33:09
`明德揚(yáng)原價(jià)99元的視頻資料，包含100多個(gè)案例教學(xué)，現(xiàn)在完全免費(fèi)，共享給大家。360云盤下載，http://yunpan.cn/cjZTiDA9pY56x訪問密碼 c359由于視頻非常大，打包下載需要安裝360云盤`
2015-10-12 08:40:13
明德揚(yáng)模板匯總命令1. 明德揚(yáng)設(shè)計(jì)模板匯總前面已經(jīng)介紹了多個(gè)明德揚(yáng)的模板，本視頻將所有的模板匯總起來，供同學(xué)們查詢和掌握。http://v.youku.com/v_show/id_XOTI2MzYxNjUy.html
2015-11-27 15:30:13
明德揚(yáng)FPGA01 時(shí)序約束步驟http://v.youku.com/v_show/id_XMjg3NjY2ODU0MA==.html?spm=a2hzp.8253869.0.0潘文明至簡(jiǎn)設(shè)計(jì)法系
2017-07-27 17:05:14
需要采購MOSFET 測(cè)試設(shè)備， 滿足手工測(cè)試MOSFET的電參數(shù)（IDSS/IGSS/VTH/RDSON/VDSS/VGSS等等），ID電流最大100A，VDS電壓高至1500V， 求推薦生產(chǎn)廠家和設(shè)備型號(hào)。謝謝。
2021-05-06 09:57:38
有沒有人用過SI2307 P溝道MOSFET?不知道為什么5V的電壓無法關(guān)斷、、、是不是設(shè)計(jì)問題？
2016-08-28 18:29:46
本帖最后由 jf_00753945 于 2023-2-2 15:50 編輯
沛城科技2KW單向逆變器新品發(fā)布在“碳達(dá)峰”、“碳中和”國家戰(zhàn)略目標(biāo)和新能源革命的大背景下，我國將推進(jìn)風(fēng)電、太陽能等
2023-02-02 15:46:12
開發(fā)者與我們共同探索新的可能。我們誠摯邀請(qǐng)您參加“科大訊飛AI·飛無界 新品發(fā)布會(huì)”，與全球人工智能領(lǐng)域?qū)W者、企業(yè)家、創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)一起，關(guān)注、體驗(yàn)、揭秘科大訊飛AIUI的全新升級(jí)。 從機(jī)器為中心的人
2018-05-14 21:16:36
40V，60V MOSFET可大幅簡(jiǎn)化熱管理，從而節(jié)省成本。 一個(gè)典型的服務(wù)器電源的輸出電壓為12V，在100%輸出負(fù)載下，功率為600W至2400W，業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)做法是二次側(cè)采用同步整流器（即
2018-12-06 09:46:29
`史上第一家市值突破萬億的科技公司，今晚又要發(fā)布新品了。蘋果2018秋季新品發(fā)布會(huì)將于北京時(shí)間9月13日凌晨1點(diǎn)在史蒂夫·喬布斯劇院開幕。國內(nèi)手機(jī)廠商們都非常識(shí)趣，新品發(fā)布幾乎都推遲到了一周以后
2018-09-13 09:36:01
薄晶圓倒片機(jī)系統(tǒng)（Sorter System）新品發(fā)布會(huì)，同時(shí)還向大家展示了公司具有代表性的各種設(shè)備，包括雙臂潔凈機(jī)械手臂、EFEM系統(tǒng)、Scara機(jī)械手、小型桌面系統(tǒng)等半導(dǎo)體裝置。此次新品發(fā)布會(huì)吸引
2015-12-02 10:48:57
揚(yáng)杰D20JA80 整流橋800V20A 超薄電源專用整流橋 現(xiàn)貨供應(yīng)
2023-01-01 15:52:11
SGT100A 是 Rohde & Schwarz 的 3 或 6 GHz 射頻發(fā)生器。?特征：頻率范圍：1 MHz 至 3 GHz使用 SGT-KB106 選項(xiàng)：1 MHz 至 6 GHz
2023-02-16 14:44:41
供應(yīng)士蘭微焊機(jī)IGBT單管 驅(qū)動(dòng)SGT20T60SDM1P7 20A、600V參數(shù)，提供SGT20T60SDM1P7 關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 16:01:10
供應(yīng)ups逆變器中的igbt管600v 60a SGT60N60FD1P7，是士蘭微IGBT代理，提供SGT60N60FD1P7關(guān)鍵參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-04 10:37:48
2020年7月，作為大華股份旗下存儲(chǔ)子公司，大華存儲(chǔ)重磅發(fā)布了全系列新品，其中包括S100高耐用存儲(chǔ)卡系列、 P100高速存儲(chǔ)卡系列、F100智能存儲(chǔ)卡系列、T100安防監(jiān)控存儲(chǔ)卡系列等，多種規(guī)格的存儲(chǔ)產(chǎn)品，帶來了多種存儲(chǔ)解決方案，滿足日常辦公、休閑娛樂，專業(yè)攝影等不同人群的需求。
2020-07-10 11:33:222381 產(chǎn)品特點(diǎn)
1、優(yōu)異的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性；
2、更好的導(dǎo)通電阻溫度特性，顯著增強(qiáng)器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性；
3、配合先進(jìn)的封裝技術(shù)，SGT MOSFET器件有助于提升系統(tǒng)效率和功率密度；
4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。
2020-11-26 14:54:432062 
的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、逆變器系統(tǒng)及電源管理系統(tǒng)，是核心功率控制部件。 ? ? ? ? ? ?SGT(Shield Gate Trench MOSFET) MOSFET結(jié)構(gòu)及工藝制造方法，因其不需要在溝槽內(nèi)生長厚的屏蔽電極介質(zhì)層，同時(shí)Bsg具有良好的高溫回流特性，具備良好的溝槽填充能力，可以將溝槽CD極大程度縮小
2020-12-25 14:02:0728403 MOSFET大致可以分為以下幾類：平面型MOSFET；Trench （溝槽型）MOSFET，主要用于低壓領(lǐng)域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽柵溝槽）MOSFET，主要用于中壓和低壓領(lǐng)域；SJ-（超結(jié)）MOSFET，主要在高壓領(lǐng)域應(yīng)用。
2021-01-22 08:41:429130 揚(yáng)杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品，采用先進(jìn)的SGT （Shield Gate Trench MOSFET） 制程工藝，針對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS等應(yīng)用設(shè)計(jì)，優(yōu)化BVdss、Rdson、Qg等參數(shù)性能同時(shí)，提升MOSFET抗沖擊電流能力。
2022-04-08 15:01:341688 
近日，昆侖芯新品R100于2022智算峰會(huì)「智能芯力量」專題論壇正式發(fā)布。昆侖芯AI加速卡R100（以下簡(jiǎn)稱“昆侖芯R100”）定位于邊緣大算力推理，較昆侖芯1代AI加速卡K100平均性能提升2.3倍，以更低功耗、更小巧體積靈活適配各類服務(wù)器，賦能多種復(fù)雜邊緣推理場(chǎng)景。
2022-12-29 11:36:231679 揭秘WAYON維安新研發(fā)的SGT MOSFET，三大優(yōu)勢(shì)前途無量！
2023-01-06 12:59:081797 
100 V，P 溝道溝槽 MOSFET-PXP1500-100QS
2023-02-15 18:51:49
0 100 V，P 溝道溝槽 MOSFET-PXP400-100QS
2023-02-20 18:48:420 100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D385-100E
2023-02-20 19:57:310 30 V，N 溝道 MOSFET-PMPB100ENE
2023-02-21 19:32:000 雙 N 溝道 100 V、33 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K32-100E
2023-02-21 19:40:460 雙 N 溝道 100 V、27.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K32-100E
2023-02-22 18:41:140 雙 N 溝道 100 V、121 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7K134-100E
2023-02-22 18:43:220 摘要：CMSH10H12G是一款高性能的100V N-Channel SGT MOSFET。該器件采用SGTLV MOSFET技術(shù)，具有出色的Qg*Ron產(chǎn)品(FOM)，極低的導(dǎo)通電阻(Ron
2023-06-08 14:24:22620 
摘要：CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET，采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力，適用于MB/VGA、POL應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。本文將介紹CMS4070M的特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及關(guān)鍵性能參數(shù)。
2023-06-08 14:28:28663 
安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的全部測(cè)試。
2023-09-06 17:48:45474 安建半導(dǎo)體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，平臺(tái)采用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供了卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，從而實(shí)現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49293 
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