V、13 mOhm導通內阻、邏輯控制電平MOSFET，應用于LFPAK33封裝。ASFET是專門為用于某一應用而設計并優化的MOSFET。此產品組合是Nexperia為電池隔離、電機控制、熱插拔和以太網
2022-05-12 10:20:49
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DSN1006和DSN1010中的三款全新器件可在空間受限的應用中節省電力并簡化散熱管理 ? 奈梅亨，2022年7月27日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出
2022-07-27 10:14:36526 
多年來，功率MOSFET一直是高功率應用的支柱，能夠可靠地提供大電流。然而，隨著功率應用技術的進步，需要極高水平的電流。這些應用已達到功率水平要求，而一個MOSFET的實現已不再足夠，這迫使設計人
2021-03-12 11:29:324652 Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產線啟動，首批產品使用最新的NextPower芯片技術的低RDS（on）和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。
2021-06-24 09:18:57701 Nexperia（安世半導體）今日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數。
2022-03-24 09:31:461418 
產品組合，旨在提高電子系統的靈活性和重復利用能力。其中一款GPIO擴展器NCA9595采用可通過寄存器配置的內部上拉電阻，可根據實際需要自定義以優化功耗。當需要擴展I/O數量時，利用該產品組合可實現簡潔的設計，同時盡可能減少互連。這有助于設計工程師增添新功能，而且不會增加
2023-04-28 10:37:19612 
80/100 V MOSFET產品組合的封裝系列。此前該產品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設計。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務器
2023-06-21 09:21:57596 
SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品，隨后Nexperia將持續擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，
2023-11-30 09:12:02432 
字符，這樣就編譯不過去了，提示在lcd.c中重新定義 White0[]，怎么定義呀？？？？？提前謝謝大家幫忙！！
2014-12-24 20:25:58
對MOSFET的重要設計參數進行介紹。 1. 功率損耗MOSFET的功率損耗主要受限于MOSFET的結溫，基本原則就是任何情況下，結溫不能超過規格書里定義的最高溫度。而結溫是由環境溫度和MOSFET自身的功耗決定
2018-07-12 11:34:11
速度。更能說明器件實際開關速度的是器件的柵極電荷參數和內部柵極電阻，Rg，這兩個參數幾乎不受這些技術指針差距 (specmanship) “游戲”的影響。圖2：定義MOSFET數據表開關時間的波形
2018-09-05 09:59:06
MOSFET簡介MOSFET的一些主要參數MOSFET的驅動技術
2021-03-04 06:43:10
什么是MOSFET管？由哪幾部分組成？MOSFET的主要參數是什么？如何選型？
2022-02-23 06:57:53
。推薦產品：BCP56-16,115；BCX56-16,115Nexperia其它相關產品請 點擊此處 了解特性：大電流三種電流增益選擇高功耗能力裸露的散熱器具有出色的導熱性和導電性（SOT89
2020-03-11 17:20:01
的工作環境，由于其額定溫度為+175°C，因此非常適合用于要求高溫的環境。Nexperia汽車用MOSFET具有額定重復性雪崩，開關速度非常快，ESD電阻高。Nexperia MOSFET采用先進的業界領先
2021-01-23 11:20:27
通常為 36V；最大充電電壓為 42 V。額定擊穿電壓介于 45 V 和 52.5 V 之間的 MOSFET 可提供至少 80% 的降額。然而，在這些應用中通常使用 60 V MOSFET，因為它提供了
2022-10-28 16:18:03
` 誰來闡述一下mosfet選型什么參數優先考慮？`
2019-10-29 16:30:15
和更快的切換速度與傳統的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅動在設計過程中必須仔細考慮需求。本應用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅動IC時的關鍵參數。
2023-06-16 06:04:07
)DSS。它具有正溫度特性。故應以此參數在低溫條件下的值作為安全考慮。5、RDS(on)：在特定的VGS（一般為10V）、結溫及漏極電流的條件下，MOSFET導通時漏源間的最大阻抗。它是一個非常重要
2016-05-23 11:40:20
）其他如板上絲印所示，引出所有未使用到的 IO 管腳
新定義 TBK-RD8T3x 開發板提供了以上各項功能，同時新定義 TBK-RD8T3x 開發板也提供了豐富的開發板資料，下面給各位朋友列出資料地址
2023-09-24 22:28:07
。
產品資料
新定義TBK-RD8T3x應用資料.rar
包含TBK-RD8T37x開發板原理圖、開發板板載觸控demo、開發板使用指南
KEIL 插件RD_KEIL_Setup.rar
安裝以后在
2023-09-24 22:38:03
AD16 PCB重新定義板型時沒有Redefine BoardShape，求指導
2017-05-14 16:05:02
的推出，為業界提供了最佳功率密度和低傳導損耗。FDMC8010采用飛兆半導體的PowerTrench技術，非常適合要求在小空間內實現最低RDS(ON)的應用，包括：高性能DC-DC降壓轉換器、負載點
2012-04-28 10:21:32
，幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現了雙極性早期產品不可能實現的性能和密度級別。然而，近年來，這些已取得的進步開始逐漸弱化，為下一個突破性技術創造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
范圍內，OptiMOS 3器件不僅具備同類最佳性能，而且同時在幾個重要參數上取得了改善。這種全新的器件具備較低的柵極電荷特性、較高的開關速度和良好的抗雪崩性能，從而成為眾多開關電源（SMPS）產品的理想之
2018-12-07 10:21:41
;  MOSFET的規格書中，通常會給出MOSFET的特性參數，如輸出曲線、輸出電壓、通態電阻RDS(ON)、柵極閥值電壓VGS(TH)等。在選擇MOSFET時，需要根據電路
2010-08-10 11:46:47
HSI_VALUE 值為 4000000，它被重新定義為編譯器指令：-mcpu=cortex-m0plus -std=gnu11 -g3 -DDEBUG -DSTM32L031xx
2022-12-13 06:07:18
各位大神，有沒有經典的MOSFET，所給的說明書里，能提供襯底摻雜濃度這樣的信息？ 小弟畢設要用到這些參數，奈何市面上很多都沒有這個信息。特發此貼，求大神解答、謝！{:1:}
2014-04-19 22:38:47
提供了詳盡的文檔資料，包括技術規格、硬件設計指南、開發指南等。這些文檔為開發者提供了必要的技術支持和參考資料，有助于更深入地了解NBK-RD8x3x的功能和使用方法。
總結
綜上所述，新定義mcu
2023-09-24 22:11:00
MOSFET技術的過程中，以往常見以QG和QGD(即RDS(on)×QG和RDS(on)×QGD)為基礎的因子(FOM)已無法滿足需求，若堅持采用固定因子，將可能導致技術選擇無法達成優化。通過此次分析的啟示
2019-07-04 06:22:42
。MOSFET數據表的第二部分提供器件的電氣特性。每個參數被定義為一組特定的測試條件，并顯示器件的典型值、最小值和最大值。數據表的第三部分包含一組典型的性能曲線，描繪器件在多種條件下包括電壓、電流
2018-10-18 09:13:03
`功率Mosfet參數介紹V(BR)DSS（有時候叫做BVDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過漏極電流達到一個特定值時的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
單片機中宏定義與重新定義數據類型（typedef）區別，并且各自的優勢（初學單片機）eg:#define SKY unsigned chartypedef unsigned char SKY
2012-08-27 20:21:25
在AD14中如何在重新定義板子形狀時畫出圓形的板子，求高手解答
2015-08-17 10:36:16
` 功率MOSFET具有開關速度快，導通電阻小等優點，因此在開關電源，馬達控制等電子系統中的應用越來越廣。通常在實際的設計過程中，電子工程師對其的驅動電路以及驅動電路的參數調整并不是十分關注
2011-09-27 11:25:34
確地控制閾值電壓和柵極電阻分布提供了許多優勢。有幾個這種性質的設備參數，其中參數的絕對值不如觀察到的參數變化寬度重要。對這些分布進行更嚴格的控制將使設計人員能夠靈活地在系統設計中做出權衡，根據特定
2023-02-27 10:02:15
51單片機里有引腳重新定義命令***it如：***it LED_G = P1^6 ;在pic里頭要把RA0定義為LED_G呢，請教大俠什么實現：***it LED_G = RA0； 編譯提示錯誤的
2013-11-18 17:34:03
■記者：胥京宇愛特梅爾公司推出結合了 USB 控制器和高性能模擬功能的全新AVR微控制器產品，型號為 ATmega16UA 和 ATmega32U4。雖然電池供電設備能夠通過USB連接進行充電，然而
2019-06-27 07:20:29
更優的雪崩耐量，提高了器件應用中的可靠性。同時，采用自主創新先進的多層外延技術，優化了器件開關特性，使其在系統應用中具有更好的表現，為系統設計提供更多選擇。 安森德SJ MOSFET優勢 效率高
2023-06-13 16:30:37
請教大神怎樣去重新定義 _write函數呢？
2021-12-01 07:55:36
請問AD21版本如何重新定義板子形狀？
2022-02-07 09:15:27
圖取自NXP / Nexperia發布的本應用筆記。結論本文回顧了在器件選擇中起著重要作用的低頻MOSFET特性。在下一篇文章中，我們將研究動態參數，由于它經常使用FET代替線性控制器作為開關模式控制器（例如，在開關穩壓器，LED調光器，音頻放大器中使用），因此動態參數在當今尤為重要。
2019-10-25 09:40:30
傳感器參數來優化實時控制系統的數據捕獲提供了三個技巧。您可能需要監控電機的位置和轉速、調節電動汽車(EV)充電站的輸出功率，甚至需要測量車輛與其前方停車間的極近距離。無論什么應用，對于閉環系統的安全
2022-11-03 07:33:52
和編譯器并使其工作。他們的最終產品不是芯片。而是系統，他們需要能有效地解決他們的問題的東西。你提供的是一種尺寸縮減的帶有大量功能和選項的器件，所以你需要滿足每個人的需求，從最高級的用戶到開發一次性產品
2018-01-10 15:45:47
Diodes推出為VoIP應用優化的全新MOSFET
Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網絡電話 (VoIP) 通信設備的設計人員帶來一種更堅固的解決方案，極大地降低了電路的復雜性
2009-12-03 09:50:37764 Diodes針對VoIP應用優化的全新MOSFET，可極大降低成本
Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網絡電話 (VoIP) 通信設備的設計人員帶來一種更堅固的解決方案，極大地降低了電路
2009-12-04 08:33:09626 飛兆UniFET II MOSFET優化消費產品功率轉換器
2011-02-09 10:53:02936 2015年2月4日，北京訊。日前，德州儀器 （TI） 宣布推出了四款全新SIMPLE SWITCHER? 超小型電源模塊。這幾款模塊重新定義了應用于較小空間的電源設計。
2015-02-04 11:06:321266 通過高壓創新重新定義電源管理，感興趣的可以瞧一瞧。
2016-11-16 15:22:12
1 ？MultiTasking Once More（重新定義多任務），表明360手機N5將會在多任務處理上，進行更多的改進和優化，360手機覺得要通過“重新定義多任務管理”，令用戶的體驗更加出彩。
2017-02-20 16:49:142070 中國北京2017年6月6日訊 – 全球領先的測量解決方案提供商——泰克科技公司再次突破創新障礙，基于全新平臺推出5系列混合信號示波器（MSO）。為了更好地滿足現代電子設計挑戰，5系列MSO融入大量
2017-06-06 17:43:261146 智能家居新定義有兩個變化：增加了人工智能技術、明確了營造個性化的智慧健康場景這一功能需求。
2018-08-08 16:41:34668 3月12日，TCL 2019春季發布會在上海1933老場坊拉開帷幕，夢想之家T-HOME第四個成員TCL X10洗衣機全球耀世發布，3月14日X10洗衣機亮相2019AWE，驚艷四座，引發重磅關注。X10洗衣機打破傳統洗衣概念，將免污帶入洗衣行業，全新定義洗衣機，走向高端家電市場。
2019-03-25 13:46:011399 有一個共同的用戶界面所有的工具在你的設計過程聽起來像一個好主意,但是你會使用Microsoft?Excel寫一本書嗎?更好的方法是優化的用戶界面手頭的任務。墊提供特定于任務的用戶界面,這樣你可以盡可能高效地交付高質量的產品。
2019-10-10 07:02:002918 總部位于荷蘭的分立和 MOSFET 器件及模擬與邏輯 IC領域的專家Nexperia公司今日推出一款全新高質量、高可靠性的MJD 3 A 和 8 A 功率汽車雙極晶體管（符合 AEC-Q101 標準
2019-12-03 09:32:352721 半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產品。
2020-05-09 11:07:263164 ，部分供應商和制造商。 嵌入式世界今天，PCB設計軟??件的全球領導者altium宣布推出新的基于云的應用程序，該應用程序重新定義了設計師之間共享印刷電路板設計的方式，部分供應商和制造商。！ 由Altium 365云平臺提供支持的A365 Viewer是一種全新的創新方式，
2020-10-27 09:57:461558 本應用筆記介紹了IXYS功率MOSFET數據表中使用的參數定義。本文檔介紹了基本額定值和特性，例如溫度，能量，機械數據以及電流和電壓額定值。它還簡要介紹了數據手冊中包含的圖形以及功率MOSFET
2021-05-26 14:52:161508 
高通5G芯片在5G領域占據著重要地位，每一款高通5G芯片都成為市場關注的焦點。第三代高通5G芯片驍龍888，采用了全新半導體制程、全新處理器架構的高通5G芯片重新定義了“旗艦機型”性能和體驗，一經推出，便熱度不斷。
2020-12-21 14:43:501996 Alitum中如何將原有默認的板框刪除或重新定義板框
2020-12-24 09:25:390 等……諸多蘋果造車的信息引發股市、車企、ICT產業的廣泛關注。蘋果重新定義了智能手機，現在蘋果要造車，會重新定義汽車嗎？蘋果會顛覆誰？又會給未來車的世界帶來怎樣的變革？
2020-12-29 09:26:201901 重新定義ADC在無線領域的角色
2021-05-26 16:23:081 搜芯易今天宣布，它從知名半導體企業Nexperia獲得原廠正式授權代理，可在全球范圍內銷售Nexperia產品。通過互利共贏的戰略合作伙伴關系，Sourceability與Nexperia在全新的全球分銷協議框架下，進一步增強了搜芯易在滿足采購用戶需求與提供高質量零件的能力，同時還擴大對元器件市場的洞
2021-07-06 16:10:40279 AD pcb設計規則檢查報錯Silk To Solder Mask Clearance Constraint問題：新版本沒有“重新定義板子形狀”解決軟件版本Altium Designer
2021-12-04 16:51:050 Nexperia今天宣布，其位于德州達拉斯的全新設計中心正式啟動。值此成為獨立實體五周年之際，這一舉措標志Nexperia朝著2030年成為全球基礎半導體領軍企業的既定目標又邁出了重要的一步。
2022-03-25 09:13:241015 
基本半導體專家Nexperia今天宣布為其 MOSFET 器件發布新的增強型電熱模型。半導體制造商通常會為其 MOSFET 提供仿真模型，但這些模型通常只包含在典型工作溫度下建模的有限數量的器件參數
2022-03-28 09:56:054259 Nexperia全新POWER MOSFET工程師設計指南 認識理解功率 MOSFET 數據手冊中的參數 功率 MOSFET 單次和重復雪崩強度限值 RC 熱阻模型的使用 基于 LFPAK 封裝的 MOSFET 熱設
2022-04-07 11:40:220 揚杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET產品，采用先進的SGT （Shield Gate Trench MOSFET） 制程工藝，針對電機驅動、BMS等應用設計，優化BVdss、Rdson、Qg等參數性能同時，提升MOSFET抗沖擊電流能力。
2022-04-08 15:01:341688 
超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經提供采用該封裝的ESD保護器件，如今更進一步，Nexperia成功地將該封裝技術運用到MOSFET產品
2022-07-06 16:13:22586 
基礎半導體元器件領域的高產能生產專家Nexperia(安世半導體)今日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數。Nexperia的全新先進模型可捕獲-55℃至175℃的整個工作溫度范圍的一系列完整器件參數。
2022-09-21 00:08:34704 TI全新Sitara?? AM2x系列重新定義MCU，處理能力相比現有器件提高10倍
2022-10-28 12:00:090 通過高壓創新 重新定義電源管理
2022-11-02 08:16:230 全面優化12V熱插拔和軟啟動應用中控制浪涌電流的RDS(on)和SOA ? 奈梅亨， 2022 年 11 月 18 日： 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布擴展其適用于熱插拔
2022-11-18 10:32:58399 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動的 ASFET 產品組合，推出 10 款全面優化的 25V 和 30V 器件。新款器件將業內領先
2022-11-21 16:11:38646 重新定義零售體驗——RF技術的四大機遇
2022-12-26 10:16:19692 
使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優化電源設計
2022-12-29 10:02:53785 
邊緣計算如何重新定義 IIoT 應用程序
2023-01-03 09:45:08455 
針對空間非常緊湊的功率MOSFET應用而言，3x3封裝是理想的尺寸。因此，在Nexperia的MOSFET產品序列中，采用了非常可靠的高性能LFPAK33封裝。Nexperia開發了MLPAK33，它是一款功率MOSFET封裝，與業界聞名的DFN3333封裝保持管腳兼容性，提供給客戶另外一個選項。
2023-02-08 09:18:00243 、可靠的線性模式性能、增強保護或EMI特性等。突然之間，一系列全新的MOSFET參數（例如安全工作區域(SOA)）已經成為某個特定應用的關鍵參數。而優化這些參數通常會對歷來很重要的參數產生直接負面影響。
2023-02-08 09:22:39590 用于功率 MOSFET 的 SPICE 和 VHDL-AMS 中的 Nexperia 精密電熱模型-AN90034
2023-02-09 21:43:380 MOSFET 和 GaN FET 應用手冊-Nexperia_document_bo...
2023-02-17 19:13:1625 NEXPERIA LFPAK 功率 MOSFET 中的最大連續電流-AN90016
2023-02-17 19:38:100 Nexperia（安世半導體）的高功率氮化鎵場效應晶體管，共將分為（上）（下）兩期，包含其工藝、性能優勢、產品及封裝等
內容。本期將先介紹 Nexperia（安世半導體）氮化鎵產品的成熟的工藝
2023-02-22 15:40:430 超重載AGV領域全新一代單只載荷20T“神獸級”舵輪-讓鳳凰動力重新定義“精工制造”
2023-03-03 14:23:40970 
【工業實踐干貨分享】AI2.0時代，工業視覺正被重新定義
2023-04-12 13:40:11876 
Nexperia | 推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產品組合 基礎半導體器件領域的專家 Nexperia（安世半導體）推出了用于自動化安全氣囊應用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 重新定義連接-物聯網卡流量池解決方案
2023-09-22 10:11:16272 Nexperia ASFET 是定制器件。經過優化，可用于特定的設計和 IU。通過專注于對某一應用至關重要的特定參數，它提供全新性能水平，從而最好地滿足系統要求。
2023-11-02 16:07:45292 
) MOSFET分立產品。Nexperia和三菱電機都是各自行業領域的領軍企業，雙方聯手開發，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。 三菱電機的功率半導體產品有助于客戶在汽車、家用電器、工業設備和牽引電機等眾多領域實現大幅節
2023-11-14 10:06:00101 
電子發燒友網站提供《ADC中的集成式容性PGA:重新定義性能.pdf》資料免費下載
2023-11-22 10:40:390 Nexperia 適用于 36V 電池系統的特定應用 MOSFET
2023-11-30 11:47:40251 
電子發燒友網站提供《Nexperia NEH2000BY 能量采集 PMIC產品手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-08 16:57:380 全球基礎半導體器件領域的領軍企業Nexperia（安世半導體）最近發布了全新的專用于監測和保護1.8V電子系統的4通道和8通道模擬開關系列產品。這一創新系列產品的推出，旨在滿足汽車、消費類電子產品及工業應用等多樣化領域對高性能模擬開關的需求。
2024-03-11 10:08:3582
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