Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:24
1159 STTH30R04快恢復二極管，電壓400V，電流30A，TO-220封裝，反向恢復時間快，降低開關和導通損耗，快速開關，低反向漏電流，結溫高。主要應用于開關電源、PWM脈寬調制器、變頻器等
2020-09-24 16:18:20
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
從而使元器件數量更少、電路規模更小。一般這類電路是由MOSFET或IGBT與二極管組合構成的。與二極管組合的原因是為了抑制MOSFET和IGBT的內部二極管trr間產生的換流損耗，通常需要2個外置快速
2018-11-28 14:27:08
。Vishay軸向肖特基二極管90SQ045、80SQ045、50SQ100專門針對太陽能電池板應用，具有低Vf、低漏電流、最大結溫為175°C的特點。風電太陽能發電以及電動汽車應用中，為了正確的對電池進行
2010-09-08 15:49:48
的電流越大，導通電壓越大。本人由于需要，將1N4148接在電源輸出端做防反接，當流過0～10mA電流時，1N4148輸出端電壓紋波達600mV，導致系統工作不正常。 由于二極管的導通壓降和流過的電流成正比
2022-03-15 15:41:10
和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比IP/PV），其中，下標"P"代表"峰"；而下標"V
2016-11-11 14:24:30
用數字萬用表測量二極管正向電阻與反向電阻，現在有幾個疑問請教大家。1：黑表筆接二極管陽極，紅表筆接二極管陰極。這個為什么定義為反向電阻，紅表筆接的是二極管陽極，黑表接二極管陰極。這個定義又什么定義為
2017-08-25 10:59:34
很大的特性，可以將二極管作為電子開關器件，即所謂的開關二極管：二極管導通時，其內阻很小，相當于開關接通；二極管截止時兩引腳之間的電阻很大，相當于開關的斷開。在電路中可以起到通與斷的控制作用。二極管規格書下載：
2021-01-22 16:10:45
。經過試驗可以發現，二極管的結溫與其導通電壓是呈線性關系的，其比值可以用 K 來表示。由于無法直接測量到二極管內部溫度，在實際測試中，只能通過改變環境溫度，用環境溫度的變化來模擬結溫的變化情況。試驗中
2018-02-27 10:28:52
溫度一定時，流過二極管的電流越大，導通電壓越大。本人由于需要，將1N4148接在電源輸出端做防反接，當流過0～100mA電流時，1N4148輸出端電壓紋波達600mV，導致系統工作不正常。 由于
2020-12-11 16:44:59
首先，在這里介紹用作硅功率元器件的二極管種類，及堪稱硅半導體之基本的二極管最基礎內容。Si二極管的分類考慮Si二極管的分類時，根據其用途，有幾種分類方法。在這里，主要考慮用于功率轉換，對Si二極管
2018-12-03 14:30:32
` 幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生最早的半導體器件之一，其應用也非常廣泛。 二極管的應用 1、整流二極管 利用二極管單向導電性，可以把
2016-02-29 14:33:39
載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發光二極管`
2020-02-08 15:04:50
0.3PF @1MHz低電容ESD保護二極管可保護半導體設備（如移動設備接口和其他應用）免受靜電和噪聲的影響。這些ESD保護二極管利用了快速恢復特性，具有低動態電阻和出色的保護性能。低電容ESD二極管可優化
2020-05-21 11:01:21
10KA(ROHS)ARR-BM600L-CA8 陶瓷放電二極管600V 10KA (ROHS)ARR-BP600M-CA8 陶瓷放電二極管600V 20KA (ROHS) ARR-BP800M-CA8
2020-06-05 11:52:50
少數載流子的存儲效應很小，其頻率響應僅受RC時間常數的限制。因此，它是一種理想的高頻快速開關器件。 肖特基二極管有什么用？肖特基二極管的最大特點是正向壓降VF比較小，在相同電流情況下，其正向壓降要
2021-10-18 16:45:00
電壓和EMI，使開關器件的作用得到充分發揮。 快恢復二極管MUR860D在直流電路中的作用快恢復二極管MUR860D具有反向阻斷時耐壓高、漏電流小、正向導通電阻低、電流大的特點。因為是作為開關
2021-12-07 16:12:41
湊的系統），內部體二極管能夠像mosfet一樣處理電流嗎？可以說25A電流，還是應該使用外部體二極管？如果我使用外部體二極管;我可以使用快速恢復二極管嗎？那將是什么缺點。外部SiC SBD是昂貴
2019-05-29 06:12:00
STTH80S06/RURG8060快恢復二極管，電流80A，電壓600V，TO-247封裝。超快開關，低反向電流，低熱阻，低開關和導通損耗。產品適用于開關電源和太陽能逆變器。由于它的低正向壓降
2020-09-24 15:59:11
MOSFET模型仿真驗證Id_Vds有效性MOSFET模型導通電壓Vgs(th)驗證MOSFET模型導通電阻測試驗證與體二極管I-V特性測試電路搭建MOSFET模型體二極管正向電流與正向電壓關系I_V性能仿真驗證
2017-04-12 20:43:49
的傳遞函數導出示例 其1升降壓轉換器的傳遞函數導出示例 其2開關的導通電阻對傳遞函數的影響總結總結關鍵詞開關損耗 傳遞函數 電源設計 SiC-SBD 快速恢復二極管 SJ-MOSFET IGBT 狀態空間
2018-11-27 16:40:24
面積小（可實現小型封裝），而且體二極管的恢復損耗非常小。 主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。 2. 標準化導通電阻 SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
1. 器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
1. 器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
電壓后，TVS二極管便發生雪崩，提供給瞬時電流一個超低電阻通路，其結果是瞬時電流通過二極管被引開，避開被保護器件，并且在電壓恢復正常值之前使被保護回路一直保持截止電壓。當瞬時脈沖結束以后，TVS二極管
2017-04-06 16:54:25
瞬態功率可達200W-30000W，甚至更高；? 工作電壓范圍3.3V~600V，甚至更高TVS二極管憑借PS級響應速度、大瞬態功率、低漏電流和電容、箝位電壓易控制、擊穿電壓偏差小、可靠性高、體積小
2020-10-21 16:54:18
工作；當電路出現異常浪涌或電壓并達到了瞬態二極管擊穿電壓時，瞬態二極管迅速由高阻態變為低阻態，瞬間吸收一個瞬時過電流，把異常過電壓鉗位在較低的水平，保護后級電路的精密器件免受瞬態高壓尖峰脈沖的沖擊
2022-05-25 14:16:57
許多的電路中起著重要的作用，它是誕生最早的半導體器件之一，其應用也非常廣泛。二極管的工作原理 晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體
2010-04-09 21:56:24
導通時 耗盡區是否消失？2、當二極管的正偏電壓未達到導通電壓時，其電阻很高,因為電壓變化較大，而電流變化較小。當正偏電壓大于導通電壓時，二極管導通，其電阻很小，因為電壓變化很小，卻導致電流的很大
2010-03-15 09:15:46
在做模擬電路題目，請問怎么設置二極管的參數，需要理想二極管。有時候導通電壓是0V，有時候是0.7V，都是固定的。
2013-12-20 10:12:11
0 引言 微波pin二極管是一種應用非常廣泛的微波控制器件，可以用來制作微波開關、微波衰減器、微波限幅器、微波移相器等。 在各類微波pin二極管電路應用中，二極管電阻的溫度特性強烈地影響著微波電路
2019-06-25 06:06:38
載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且，MIS(金屬-絕緣體-半導體)肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發光二極管。 快
2019-03-11 11:24:39
所示的曲線關系:正向導通壓降與導通電流成正比，其浮動壓差為0.2V。從輕載導通電流到額定導通電流的壓差雖僅為0.2V,但對于功率肖特基二極管來說它不僅影響效率也影響肖特基二極管的溫升，所以在價格條件
2018-10-18 18:19:30
。 肖特基二極管的導通電壓非常低。普通二極管在電流流過時，會產生約0.7-1.7伏特的電壓降，不過肖特基二極管的電壓降只有0.15-0.45伏特，因此可以提升系統的效率。 肖特基二極管的優點是正向壓降
2018-11-05 14:29:49
。啟用輸入可用于關閉MOSFET和控制器的低電流狀態。狀態輸出指示是否MOSFET是開啟或關閉。特點功率二極管的低損耗替代 控制N溝道MOSFET小號 0V至18V電源“或”或持q1an9搶劫 1μs
2012-11-16 17:11:56
請問各種發光二極管的導通電壓和電流時多少？
2012-09-11 12:40:19
發光二極管原理發光二極管特性發光二極管電阻計算方法發光二極管的限流電阻的計算發光二極管電阻接法
2021-03-04 07:46:09
發光二極管有2EF系列和TB系列，常用的三色發光二極管有2EF302、2EF312、2EF322等型號。 電壓控制型發光二極管 通俗發光二極管屬于電流控制型器件，在應用時需串接恰當阻值的限流電阻。電壓
2018-04-03 11:33:11
發光二極管有2EF系列和TB系列，常用的三色發光二極管有2EF302、2EF312、2EF322等型號。 電壓控制型發光二極管 通俗發光二極管屬于電流控制型器件，在應用時需串接恰當阻值的限流電阻。電壓
2018-09-07 11:29:24
MDD肖特基二極管具有的優勢：肖特基二極管MBR系列極快的開關速度以及非常低的反向恢復時間使它們非常適合高頻應用，并能最大程度降低開關損耗。肖特基二極管均具有非常低的正向壓降和比傳統二極管更低的熱
2020-08-28 17:12:29
止。圖 2. 用于降壓轉換的同步開關穩壓器，采用 N 溝道 MOSFET 和額外的肖特基二極管，可最大限度地減少干擾。相應 MOSFET 中的體二極管有一個主要缺點。由于反向恢復現象，其開關速度非常低
2020-11-11 09:08:55
、場效應器件和特殊的肖特基二極管。以下是碳化硅特性：1）碳化硅單載波器件具有薄漂移區和低導通電阻，比硅器件小約100-300倍。由于導通電阻小，碳化硅功率器件的正向損耗小。2）碳化硅功率器件由于其高擊穿
2023-02-07 15:59:32
N型半導體一側，相對較薄，故其正向導通門檻電壓比普通PN結低。但是也是因為肖特基二極管的耗盡區較薄，所以反向擊穿電壓比較低。 如果是使用的話，TVS有二極管類，和壓敏電阻類。個人認為壓敏電阻類更有
2023-03-16 17:29:45
快恢復二極管HFD3060H（可完全替換DSEC30-06A），電壓600V，電流30A，快恢復時間短（20ns），開關速度快，降低器件的開關損耗和提高電力電子電路的工作頻率，在高頻電力調節系統
2020-09-24 16:10:01
快恢復二極管FMD4206S，電壓600V，電流20A，快恢復時間50ns，TO-3PF封裝。開關速度快，低損耗。低漏電流。適用于高頻整流的低損耗電源用二極管。常應用于CCM方式PFC；白色家電
2020-09-24 16:11:08
快恢復二極管HFD8060P（可完全替換MUR8060PT/STTH100W06C），電壓600V，電流80A，超快恢復時間，低漏電流，高浪涌特性，開關特性好，低功耗及射頻干擾。可應用于低電壓
2020-09-24 16:04:45
元件。肖特基二極管與普通二極管從外觀上如何區分？括檢波二極管、整流二極管、阻尼二極管、開關二極管、續流二極管）是由一個PN結構成的半導體器件，具有單向導電特性。通過用萬用表檢測其正、反向電阻值，可以判別
2020-12-15 15:45:54
結構符號用途?特征對電源部的一次側起到整流作用。容易獲得1A以上、400V/600V的高耐壓。整流二極管 (Rectifier Diode) 顧名思義，是指對商用頻率的交流電進行整流的二極管。整流
2019-04-11 02:06:13
正常情況下，要滿足穩壓二極管的反向電壓是等于或者大于整流二極管的方向電壓。普通二極管是指工藝材料沒有什么特殊的二極管。其性能也就沒有特點了。能不能代替整流二極管呢？根據二極管的使用原則，只要其耐壓
2021-05-26 16:49:24
` 肖特基(Schottky)二極管是一種快恢復二極管，它屬一種低功耗、超高速半導體器件。其顯著的特點為反向恢復時間極短(可以小到幾納秒)，正向導通壓降僅0.4V左右。肖特基(Schottky
2018-10-22 15:32:15
` （1）不同耐壓的MOS管的導通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
） MOSFET,以節省一個 MOSFET.通過在理想二極管和熱插拔 MOSFET 之間配置檢測電阻器，LTC4228 比 LTC4225 有了改進，LTC4228 能更快地從輸入電壓欠壓中恢復，以保持輸出電壓
2018-09-29 16:41:57
接近極限電流情況下導通壓降是0.8V左右。兩種二極管都是單向導電，可用于整流場合。區別是普通硅二極管的耐壓可以做得較高，但是它的恢復速度低，只能用在低頻的整流上，如果是高頻的就會因為無法快速恢復而發生
2017-11-30 13:15:14
一樣，可以制成結型器件、場效應器件、和金屬與半導體接觸的肖特基二極管。 其優點是： (1)碳化硅單載流子器件漂移區薄，開態電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導通電阻，碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03
小型化。然而，必須首先解決一個問題：SiC MOSFET反向操作期間，體二極管雙極性導通會造成導通電阻性能下降。將肖特基勢壘二極管嵌入MOSFET，使體二極管失活的器件結構，但發現用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
開關電源小型化，并降低產品噪音。 2、碳化硅肖特基二極管的正向特性 碳化硅肖特基二極管的開啟導通電壓比硅快速恢復二極管較低，如果要降低VF值，需要減薄肖特基勢壘的高度，但這會使器件反向偏壓時的漏電
2023-02-28 16:34:16
常用的穩壓二極管的外形與普通小功率整流二極管的外形基本相似。當殼體上的型號標記清楚時，可根據型號加以鑒別。當其型號標志脫落時，可使用萬用表電阻擋很準確地將穩壓二極管與普通整流二極管區別開來。具體方法
2021-08-16 17:04:51
肖特基二極管正向導通電壓很低，只有0.4v，反向在擊穿電壓之前不會導通，起到快速反應開關的作用。而穩壓二極管正向導通電壓跟普通二級管一樣約為0.7v，反向狀態下在臨界電壓之前截止，在達到臨界電壓
2021-11-12 06:28:29
1.穩壓二極管正向導通電壓跟普通二級管一樣約為0.7v，反向狀態下在臨界電壓之前截止，在達到臨界電壓的條件下會處于導通的狀態，電壓也不再升高，所以用在重要元器件上，起到穩壓作用。穩壓二極管主要利用其
2021-11-15 08:33:46
1.穩壓二極管正向導通電壓跟普通二級管一樣約為0.7v，反向狀態下在臨界電壓之前截止，在達到臨界電壓的條件下會處于導通的狀態，電壓也不再升高，所以用在重要元器件上，起到穩壓作用。穩壓二極管主要利用其
2021-11-15 09:13:52
穩壓二極管 穩壓二極管(又叫齊納二極管)它的電路符號是:此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件.在這臨界擊穿點上,反向電阻降低到一個很少的數值,在這個低阻區中電流增加而電壓則
2012-09-10 17:16:56
，還通過優化內置二極管的特性，改善了超級結MOSFET特有的軟恢復指數※3），可減少引發誤動作的噪聲干擾。通過減少這些阻礙用戶優化電路時的障礙，提高設計靈活度。該系列產品已經以月產10萬個的規模逐步投入
2020-03-12 10:08:31
，還通過優化內置二極管的特性，改善了超級結MOSFET特有的軟恢復指數※3），可減少引發誤動作的噪聲干擾。通過減少這些阻礙用戶優化電路時的障礙，提高設計靈活度。該系列產品已經以月產10萬個的規模逐步投入
2020-03-12 10:08:47
器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作
2019-01-08 13:56:57
` 1、開關二極管是利用二極管的單向導電性，在半導體PN結加上正向偏壓后，在導通狀態下，電阻很小（幾十到幾百歐）；加上反向偏壓后截止，其電阻很大（硅管在100MΩ以上）。利用開關二極管的這一特性
2019-01-03 13:36:59
肖特基二極管正向導通電壓很低，只有0.4V，反向在擊穿電壓之前不會導通，起到快速反應開關的作用。而穩壓二極管正向導通電壓跟普通二級管一樣約為0.7V，反向狀態下在臨界電壓之前截止，在達到臨界電壓
2020-09-25 15:38:08
（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發光二極管。 復二極管：有0.8-1.1V的正向導通壓降，35-85nS的反向恢復時間，在導通和截止之間迅速轉換，提高了器件的使用頻率并改善了
2015-11-27 18:02:58
MOSFET和額外的肖特基二極管，可最大限度地減少干擾。相應MOSFET中的體二極管有一個主要缺點。由于反向恢復現象，其開關速度非常低。在反向恢復時間內，電感（L1）導致開關節點處的電壓下降到比地電壓低幾
2020-12-16 16:57:38
）和功率因數校正（PFC）電路中功率開關器件的續流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復
2017-10-19 11:33:48
的續流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復外延二極管（FRED）和超快速恢復二極管
2020-11-26 17:31:19
的續流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復外延二極管（FRED）和超快速恢復二極管
2021-11-16 17:02:37
）電路中功率開關器件的續流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復外延二極管（FRED）和超
2021-09-09 15:19:01
請問mosfet搭建的H橋為什么比二極管搭建的H橋功耗要低呢？
2023-03-31 13:56:01
大家知道我們在設計電路時該如何選擇這個續流二極管的導通電流值嗎？比如在一個大電感的直流線圈反并聯一個續流二極管，這個二極管的電流值該如何選擇啊？
2019-06-20 04:35:56
請問貼片電阻，貼片電容，貼片二極管，穩壓二極管，MOS管，MOSFET和封裝形式有那些呢？請一一說明，謝謝各們大師哦！！！
2020-11-13 14:54:46
我的電路是驗證電容的充電是有一定過程的，如果讓電阻和發光二極管直接與電源連接，則由于二極管兩端獲得的電壓不夠，所以不能導通。現在我想是先讓電容充電，等到一定的時候，電容兩端的電壓大于發光二極管的導通電壓時，發光二極管就會發光，這個是在Multisim中模擬的，但是二極管沒有點亮，請問：錯在哪了？
2015-08-12 09:38:27
，所以使用可高速開關的快速恢復二極管。需要探討的是耐壓和損耗。施加于輸出二極管的反向電壓考慮到余量為：??Vdr = VIN (max)÷0.7 = 372V÷0.7 = 531V → 600V二極管
2018-11-27 16:51:14
在下面的圖中（假設二極管為理想二極管,正向導通電阻為0）,為什么二極管D1先導通,請解釋得清楚合理些,不要光說V1比V2電壓高所以二極管D1先導通,請詳細給出個合理好理解的解釋.
2016-05-24 11:05:43
二極管，配合周圍R13,R12電路，常理上分析，當電壓大于二極管導通電壓0.7V時，二極管直接導通，這一堆都起不到過壓過流保護作用，只有電壓低于0.7V時，電流才會繞過二極管，走R13,R12,二電阻起限流作用。不確定這二個二極管的保護作用，請教高手解惑，謝謝！
2020-04-08 22:01:04
MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時器件導通。電力 MOSFET的通態電阻具有正溫度系數，對器件并聯時的均流有利。 2、動態特性；其測試電路和開關過程波形如圖3所示。 開通
2023-02-27 11:52:38
?靜電二極管的分類可分為單向和雙向，這兩種具體是怎樣的呢？單向與雙向保護：單向和雙向ESD二極管器件都能抑制正向和負向應力。依據ESD二極管維持高阻抗、低泄漏狀態的電壓范圍，可以最好地理解這兩個術語
2022-06-08 17:06:58
?一、能夠在期望的靜電應力下正常工作；二、在正常電壓范圍內具有高阻抗(低泄漏)；三、在正常電壓范圍之外呈低阻抗；四、導通電壓適合應用；五、在遭受應力期間可快速地從高阻抗轉換至低阻抗六、電容對目標應用而言不太高。靜電二極管規格書下載：
2022-06-09 11:49:54
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
越好。高壓二極管的正向電阻即是正向壓降。正向壓降是指在規定的正向電流下，二極管的正向電壓降，是二極管能夠導通的正向最低電壓。在規定的正向電流下，二極管的正向電壓降，是二極管能夠導通的正向最低
2019-10-12 15:12:19
AN系列是以“漏極-源極間導通電阻RDS(on)和柵極總電荷量Qg比平面MOSFET大幅降低”為目的，最先開發的SJ-MOSFET。與平面MOSFET相比，RDS(on)降低了50%，Qg降低了40
2018-12-03 14:27:05
。當電路反向偏置時，電流停止，直到達到齊納電壓。這一特性非常重要，因為它允許在承載大電流的同時進行可靠的電壓管理。齊納電壓可以根據需要通過摻雜器件進行微調。雖然齊納二極管的電流-電壓（I-V）曲線
2023-02-02 16:52:23
普通二極管（正導通電壓）眾所周知，公共二極管和晶體管的發射極結具有閾值電壓。對于硅器件，導通電壓約為0.65 V。隨著導通電流的變化，這種電壓變化并不顯著。因此，任何硅材料的普通二極管都可以
2023-02-13 17:51:25
MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業和企業級電源提供
2017-02-10 15:10:111667 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。
2020-12-23 14:24:541692 （NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK? 10 x 12封裝的新型第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay
2022-10-12 15:44:14375 
Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業和計算應用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中 600V MOSFET 的重要優值系數（FOM）創業界新低。
2022-10-14 16:16:12817
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