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英飛凌推出全新650V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管,進一步提高效率

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650V混合SiC單管的開關特性

英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管,取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538

提高效率——如何將雙向功率流集成到UPS設計中(第一部分)

提高效率——如何將雙向功率流集成到UPS設計中(第一部分)
2022-11-01 08:27:170

使用 DSN2 肖特基二極管提高效率

使用 DSN2 肖特基二極管提高效率
2022-11-15 20:25:240

LFPAK88是提高效率的捷徑

Nexperia的LFPAK88不使用內部焊線,減小了源極引腳長度,從而最大程度地減少在開關過程中產生的寄生源極電感,以此提高效率。 無引腳(QFN)封裝或開爾文源極連接等備選方案也具有類似的優點,但它們也存在很大的缺陷,這就使得“提高效率的捷徑”LFPAK88成為我們的首選。
2023-02-10 09:38:03448

英飛凌SiC芯片嵌入PCB提高效率

英飛凌和Schweizer Electronic AG正在合作,將英飛凌的1200V CoolSiC?芯片嵌入印刷電路板(PCB),以提高基于碳化硅的芯片效率
2023-05-05 10:31:31518

NIKKEI邏輯整合Brocade SAN以提高效率和安全性

電子發燒友網站提供《NIKKEI邏輯整合Brocade SAN以提高效率和安全性.pdf》資料免費下載
2023-08-30 10:36:070

英飛凌推出面向高能效電源應用的分立式650V TRENCHSTOP? IGBT7 H7新品

英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品,進一步擴展其TRENCHSTOPIGBT7產品陣容。全新器件配新一代發射極控制的EC7續流二極管,以滿足對環保和高效電源解決方案日益增長的需求
2023-11-21 08:14:06255

如何使用自增自減運算提高效率

使用自增自減運算提高效率 在使用到加一和減一操作時盡量使用增量和減量操作符,因為增量符語句比賦值語句更快,原因在于對大多數CPU來說,對內存字的增、減量操作不必明顯地使用取內存和寫內存的指令,比如
2023-11-21 11:29:42188

帶有快速體二極管的MOSFET器件通過LLC拓撲和FREDFET來提高效率

帶有快速體二極管的MOSFET器件通過LLC拓撲和FREDFET來提高效率
2023-12-08 17:35:56359

英飛凌推出全新62mm封裝CoolSiC產品組合,助力實現更高效率和功率密度

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310

提高效率的DC電源模塊設計技巧

BOSHIDA ?提高效率的DC電源模塊設計技巧 設計高效率的BOSHIDA ?DC電源模塊可以幫助減少能源浪費和提高系統功耗,以下是一些設計技巧: 1. 選擇高效率的功率轉換器:選擇具有高效率
2024-02-26 14:27:38110

英飛凌推出G2 CoolSiC MOSFET進一步推動碳化硅技術的發展

碳化硅(SiC)技術一直是推動高效能源轉換和降低碳排放的關鍵,英飛凌最近推出CoolSiC MOSFET第2代(G2)技術,也是要在這個領域提高了MOSFET的性能指標,擴大還在光伏、儲能、電動汽車充電等領域的市場份額。
2024-03-12 09:33:26239

介紹一款用于光伏儲能充電樁的50A 650V TO-247封裝IGBT單管

本次推出的產品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管;
2024-03-15 14:26:07188

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