的驅(qū)動(dòng)損耗和更短的死區(qū)時(shí)間電路優(yōu)勢，因?yàn)闁艠O電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 顯著降低。因此，GaN HEMT 在高頻軟開關(guān)諧振拓?fù)洌ㄈ?LLC 諧振轉(zhuǎn)換器）中顯示出優(yōu)于硅 MOSFET 的顯著
2021-10-11 14:49:23
5154 
氮化鎵（GaN）器件具有類似硅的電性能，可以由硅MOSFET設(shè)計(jì)中使用的許多現(xiàn)成的驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)。
2022-07-12 13:05:422400 超結(jié)（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來，在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件，我們將在本文中重點(diǎn)介紹其一些性能特性和應(yīng)用空間。
2023-06-08 09:33:241389 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361220 硅MOSFET功率晶體管多年來一直是電源設(shè)計(jì)的支柱。雖然它們?nèi)匀槐粡V泛使用，但是在一些新設(shè)計(jì)中，氮化鎵（GaN）晶體管正在逐漸替代MOSFET。GaN技術(shù)的最新發(fā)展，以及改進(jìn)的GaN器件和驅(qū)動(dòng)器電路
2017-05-03 10:41:53
的MOSFET和IGBT會(huì)產(chǎn)生不可接受的損耗、WBG半導(dǎo)體晶體管比如GaN能夠克服這些問題集成GaN HEMT和驅(qū)動(dòng)器方案現(xiàn)在已經(jīng)可以應(yīng)用于電機(jī)系統(tǒng)中能夠承受高壓條件的高性能電容也可以應(yīng)用到需要高壓高頻電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的直流部分
2019-07-16 00:27:49
，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級(jí)別。然而，近年來，這些已取得的進(jìn)步開始逐漸弱化，為下一個(gè)突破性技術(shù)創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
（MOSFET）是在20世紀(jì)70年代末開發(fā)的，但直到20世紀(jì)90年代初，JEDEC才制定了標(biāo)準(zhǔn)。目前尚不清楚JEDEC硅材料合格認(rèn)證對(duì)GaN晶體管而言意味著什么。 標(biāo)準(zhǔn)滯后于技術(shù)的采用，但標(biāo)準(zhǔn)無需使技術(shù)可靠
2018-09-10 14:48:19
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
所示為硅（Si）MOSFET和GaN MOSFET的上升和下降時(shí)間。圖中數(shù)字顯示死區(qū)時(shí)間存在兩倍的差異，硅 MOSFET速度更慢。此外，GaN MOSFET的上升和下降更加線性。這些屬性使得更精細(xì)的邊緣
2018-08-30 15:05:41
的應(yīng)用做好準(zhǔn)備。要使數(shù)字電源控制為GaN的應(yīng)用做好準(zhǔn)備，它需要針對(duì)更高開關(guān)頻率、更窄占空比和精密死區(qū)時(shí)間控制的時(shí)基分辨率、采樣分辨率和計(jì)算能力。圖1和圖2顯示的是一個(gè)硅 (Si) MOSFET和一個(gè)GaN
2018-09-06 15:31:50
為什么GaN可以在市場中取得主導(dǎo)地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術(shù)而言，GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44。肯定地說，GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破。
2019-06-26 06:14:34
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
;gt;N溝道MOSFET有三個(gè)電極，分別是源極S、漏極D和柵極G。當(dāng)VGS=0時(shí)，漏、源極之間無原始導(dǎo)電溝道，ID=0；當(dāng)VGS>0但是比較小時(shí)，漏、源極之間也無導(dǎo)電溝道。當(dāng)
2010-08-17 09:21:57
N 型 MOSFET。下圖顯示了MOSFET的結(jié)構(gòu)。MOSFET的操作由柵極電壓控制。由于柵極與通道隔離，因此可以對(duì)其施加正電壓和負(fù)電壓。當(dāng)柵極偏置電壓為負(fù)時(shí)，它充當(dāng)耗盡型MOSFET，當(dāng)柵極偏置電壓
2023-02-02 16:26:45
S34SL04G200BHI003閃存芯片S34SL04G200BHI000網(wǎng)絡(luò)保護(hù)廠商Acronis 選擇西部數(shù)據(jù)Ultrastar?Data60和Ultrastar Data102高容量混合存儲(chǔ)
2022-01-27 13:12:56
SOP-830V18A可替換 AO4410 SL4430N溝道SOP-830V18A可替換 AO4430SL4468N溝道SOP-830V12A可替換 AO4468SL4842N溝道SOP-830V 8A可替換
2020-06-02 14:14:46
深圳市聚能芯半導(dǎo)體有限公司是一家集芯片代理、芯片生產(chǎn)、技術(shù)服務(wù)為一體的綜合性電子元器件公司。供應(yīng)中低壓MOS管，供應(yīng)替代AO系列MOS管。 可提供技術(shù)支持，DEMO測試及設(shè)計(jì)方案?SL25N
2020-06-09 10:23:37
TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道sl44460V12ATO-252封裝N溝道SL426460V10ASOP-8封裝 N溝道
2020-06-05 10:20:57
深圳市聚能芯半導(dǎo)體有限公司是一家集芯片代理、芯片生產(chǎn)、技術(shù)服務(wù)為一體的綜合性電子元器件公司。供應(yīng)中低壓MOS管，供應(yīng)替代AO系列MOS管。 可提供技術(shù)支持，DEMO測試及設(shè)計(jì)方案?SL35N
2020-06-09 10:36:41
及方案解決，提供原裝正品芯片、提供技術(shù)支持、提供優(yōu)先貨源，保障客戶利益，為客戶提供全方面服務(wù)。我司還提供MOS管，支持樣品測試供應(yīng)【100V MOS管 N溝道】SL05N
2020-07-27 17:15:08
深圳市聚能芯半導(dǎo)體有限公司是一家集芯片代理、芯片生產(chǎn)、技術(shù)服務(wù)為一體的綜合性電子元器件公司。供應(yīng)中低壓mos管，供應(yīng)替代AO系列MOS管。 可提供技術(shù)支持，DEMO測試及設(shè)計(jì)方案?SL50N
2020-06-10 14:33:23
方案：SL1585 30V 3A 500kHz同步降壓芯片描述SL1585是一款高頻、同步、整流、降壓、開關(guān)模式轉(zhuǎn)化器，內(nèi)置電源MOSFET。它提供了一種非常緊湊的解決方案在寬輸入電源范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)4A
2022-07-09 10:01:47
SL 2284Q provides up to total3.5A output current limit at 5V output with floating ISETpin. Switching
2021-04-28 17:45:20
SL4410N溝道SOP-830V18A可替換 AO4410 SL4430N溝道SOP-830V18A可替換 AO4430SL4468N溝道SOP-830V12A可替換 AO4468SL4842N溝道
2020-08-03 14:29:24
等。電摩兩輪GPS 出行位置管理方案面向電瓶車摩托車兩輪出行位置管理需求，結(jié)合智能硬件和位置服務(wù)平臺(tái)提供整體解決方案，滿足實(shí)時(shí)定位、歷史軌跡、地理圍欄、監(jiān)控報(bào)警等功能需求。SL
2022-06-18 09:28:58
1.方案名稱：150V降壓恒壓IC 12v10A大電流 2.方案品牌：森利威爾電子有限公司 3.方案規(guī)格：SOP-8 4.方案簡介：SL3038是一款支持寬電壓輸入的開關(guān)降壓型DCDC控制器，最高
2021-04-08 09:17:51
封裝N溝道SL4294100V12ASOP8封裝N溝道供應(yīng)【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道sl44460V12ATO-252封裝N溝道
2020-05-30 11:47:59
】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道sl44460V12ATO-252封裝N溝道SL426460V10ASOP-8封裝 N溝道SL4421-60V-7ASOP-8封裝P溝道【55V MOS
2020-07-03 16:56:53
】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道sl44460V12ATO-252封裝N溝道SL426460V10ASOP-8封裝 N溝道SL4421-60V-7ASOP-8封裝P溝道【55V MOS管 N溝道
2020-08-03 14:48:45
AO系列MOS管。SL444場效應(yīng)管 60V12A N溝道功率MOS管完美替代AO444SL680030V3.4A60毫歐SOT23-6封裝N溝道優(yōu)勢替代AO6800SL482230V8A19毫歐
2020-06-12 10:41:06
AOD4184SL444N溝道TO-252 60V 12A可替代 AOD444SL50N06 N溝道TO-252 60V 50ASL15N10 N溝道TO-252100V 15ASL403N溝道
2020-06-03 15:06:15
TO23-3L 封裝N溝道SL4294100V12ASOP8封裝N溝道供應(yīng)【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道sl44460V12ATO-252封裝N溝道
2020-06-05 10:14:58
、MOS管、LED/LEC驅(qū)動(dòng)等等，廣泛應(yīng)用于臺(tái)燈、鐘表、LCD顯示模塊、數(shù)碼伴侶、玩具、車燈、扭扭車、等各類工業(yè)和民用電器產(chǎn)品上。 可提供技術(shù)支持，DEMO測試及設(shè)計(jì)方案SL484 30V/41A N
2020-06-04 13:58:07
、MOS管、LED/LEC驅(qū)動(dòng)等等，廣泛應(yīng)用于臺(tái)燈、鐘表、LCD顯示模塊、數(shù)碼伴侶、玩具、車燈、扭扭車、等各類工業(yè)和民用電器產(chǎn)品上。 可提供技術(shù)支持，DEMO測試及設(shè)計(jì)方案SL7410N溝道DFN3.3
2020-06-04 11:25:10
作者： TI 工程師 Aki Li, Rayna Wang高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計(jì)高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-00961
2019-03-07 06:45:04
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-09 09:09:18
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-12 09:12:51
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
`Altium中這種電容規(guī)格封裝表什么SL-H/SL-G/SL-E/SL-D`
2017-05-13 17:26:02
電流2A以內(nèi)功率20W以內(nèi)5.方案應(yīng)用范圍：DCDC低壓球泡燈方案AC36V球泡燈方案等SL1502內(nèi)置MOS 降壓型大功率LED 恒流驅(qū)動(dòng)芯片 負(fù)載可驅(qū)動(dòng)2A電流SL1502 供電12-85V轉(zhuǎn)3串2A球泡燈方案6.SL1502芯片電路圖：
2015-08-25 16:23:02
關(guān)鍵詞：SHARP，夏普，光電耦合開關(guān)，響拇指電子，Sumzi提要：GP1S093HCZ0F是一個(gè)透射式的光電耦合開關(guān)，器件集光電三極管、發(fā)光二極管（LED）、光電倍增管以及紅外光發(fā)射端和探測端于
2013-11-13 10:57:43
ISL6594A和ISL6594B是高頻MOSFET專為驅(qū)動(dòng)上下功率而設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)器同步整流buck中的N溝道mosfet轉(zhuǎn)換器拓?fù)洹＿@些驅(qū)動(dòng)程序與ISL6592數(shù)字多相降壓型脈寬調(diào)制控制器N溝道
2020-09-30 16:47:03
PCM15N12E 3A以上快充鋰電池保護(hù)MOSFET 的參數(shù)介紹 威明半導(dǎo)體/周R:***產(chǎn)品類型:12V ESD 鋰電池保護(hù)MOSFET參數(shù): 12V,5.9mohm (TYP: 4mohm
2019-07-31 10:45:31
是主開關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對(duì)P溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對(duì)市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
全新的電源應(yīng)用在同等的電壓下以更高的轉(zhuǎn)換頻率運(yùn)行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實(shí)現(xiàn)比基于硅材料的解決方案更高的效率。TI日前發(fā)布了LMG5200，隨著這款全集成式原型機(jī)的推出，工程師們能夠輕松地將
2018-09-10 15:02:53
[tr=transparent]USB 2.0接口4口HUB芯片：SL2.2s/SL2.1ASL2.2s/SL2.1A是一顆高集成度,高性能,低功耗的USB2.0集線器主控芯片；該芯片采用STT技術(shù)
2018-06-29 15:52:37
GaN器件在許多應(yīng)用中取代現(xiàn)有的IGBT和MOSFET，能夠帶來更優(yōu)異的性能、更低的損耗以及更快的開關(guān)速度。不變的是仍然需要隔離型上橋臂驅(qū)動(dòng)器，以及可承受高開關(guān)電壓、嚴(yán)苛的工作溫度和高轉(zhuǎn)換速率的隔離
2017-09-20 10:28:09
本帖最后由 暗星歸來 于 2016-9-6 12:53 編輯
如題，因?yàn)橐獙?duì)電池進(jìn)行管理，對(duì)充電過程和放電過程控制其何時(shí)開始充電、停止充電、何時(shí)放電、何時(shí)停止放電，所以用兩個(gè)N溝道增強(qiáng)型
2016-09-06 12:51:58
10MTO220封裝 HGP100N12SLTO220封裝PD電源100W：HGN077N10SL DFN5*6封裝 HGP082N10MTO220封裝 HGP100N12SLTO220 封裝 PD電源開關(guān)30V
2018-08-07 15:25:45
生活中有各種各樣的電源，其中就有一款叫高頻開關(guān)電源系統(tǒng)，什么是高頻開關(guān)電源系統(tǒng)？它有什么作用？高頻開關(guān)電源（也稱為開關(guān)型整流器SMR）是通過MOSFET或IGBT的高頻工作的電源，開關(guān)頻率一般控制在50-100kHz范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)高效率和小型化。
2020-11-25 06:00:00
基于平面矩陣的高頻高效LLC模塊基于GaN功率集成電路的CPRS變壓器
2023-06-16 06:48:18
SL4410N溝道SOP-830V18A可替換 AO4410 SL4430N溝道SOP-830V18A可替換 AO4430SL4468N溝道SOP-830V12A可替換 AO4468SL4842N溝道
2020-07-27 16:55:26
我實(shí)際搭了一個(gè)N型的MOSFET FDS9945管來試驗(yàn)他的性能，結(jié)果發(fā)現(xiàn)光耦PC817 IN2腳不管是高電平還是低電平，N型mosfet的2腳都是高電平，實(shí)測通過IO口給IN2高電平信號(hào)，IN2
2019-02-12 17:12:04
描述PMP4435 是一款面向工業(yè)和電信應(yīng)用并且采用 GaN mosfet 的直流-直流隔離式數(shù)字模塊參考設(shè)計(jì)。直流輸入范圍為36V-60V，其中典型輸入為 12V，而輸出為 12V/5A。此設(shè)計(jì)中
2018-11-02 16:47:28
ISL6594A和ISL6594B是高頻MOSFET專為驅(qū)動(dòng)上下功率而設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)器同步整流buck中的N溝道mosfet轉(zhuǎn)換器拓?fù)洹＿@些驅(qū)動(dòng)程序與ISL6592數(shù)字多相降壓型脈寬調(diào)制控制器N溝道
2020-09-29 17:38:58
分享一款不錯(cuò)的TiWi－SL：2.4GHz WLAN解決方案
2021-05-25 07:01:50
的功率MOSFET的G極、S極加上正向電壓后，在G極的下面的P型體區(qū)，就會(huì)形成一個(gè)非常薄的反型層N型，這樣D極的N、反型層N、S極的N，就會(huì)形成導(dǎo)通的路徑。圖1：N溝道(左）、P溝道MOSFET結(jié)構(gòu)P
2016-12-07 11:36:11
的氮化鎵(GaN)直流/直流解決方案去除了中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換級(jí)，設(shè)計(jì)師可以在單級(jí)中將48V電壓降至更低的輸出電壓。去除中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換器使得功率密度和系統(tǒng)成本顯著增加，同時(shí)提高了可靠性。與硅
2019-07-29 04:45:02
開通造成橋臂短路； 通過優(yōu)化 PCB 布局減小寄生電感能有效減小驅(qū)動(dòng)振蕩[3]，但在硬開關(guān)場合依舊存在較大電壓過沖； 而且 GaN HEMT 的反向?qū)〒p耗往往高于同電壓等級(jí)的 MOSFET，尤其是工作
2023-09-18 07:27:50
今天觀看了電子研習(xí)社的直播課程，由TI工程師王蕊講解了TI的基于GaN的CrM模式的圖騰柱無橋PFC參考方案的設(shè)計(jì)（TIDA00961）。下面是對(duì)該方案的介紹：高頻臨界導(dǎo)電模式 (CrM) 圖騰柱
2022-01-20 07:36:11
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
的功率損耗。這些功率損耗會(huì)引起發(fā)熱，需要設(shè)計(jì)人員執(zhí)行散熱管理，從而增加系統(tǒng)成本和解決方案尺寸。二極管的另外一個(gè)缺點(diǎn)就是較高的反向泄露電流—最高會(huì)達(dá)到大約1mA。用N溝道MOSFET替換高損耗二極管可以通過
2018-05-30 10:01:53
選用32 MHz的石英晶振作為基準(zhǔn)信號(hào)，從而保證測頻精度。 2.1 STC12C5A60S2單片機(jī) 在測高頻信號(hào)時(shí)，由于普通51單片機(jī)在確認(rèn)一次負(fù)跳變時(shí)需要2個(gè)機(jī)器周期，即24個(gè)時(shí)鐘周期，因此
2018-10-18 16:46:46
, Robert. 電源技巧29：估算熱插拔MOSFET內(nèi)的瞬態(tài)溫度上升—第2部分，EFTimes，2010年11月7日下載LMG5200 技術(shù)指南進(jìn)一步了解TI GaN解決方案Bahl, Sandeep.一個(gè)限定GaN產(chǎn)品的綜合方法，白皮書，德州儀器 (TI)，2015年3月
2019-07-12 12:56:17
溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對(duì)市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal Solution for Energy Transfer）的縮寫。對(duì)工程師來說
2021-04-09 09:20:10
SL440630V13A7毫歐SOP-8封裝 N溝道SL441030V20A6毫歐SOP-8封裝 N溝道SL443030V18A4.5毫歐SOP-8封裝 N溝道SL446830V12A10毫歐SOP-8封裝
2020-06-05 11:33:57
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
求一個(gè)適用于高頻開關(guān)電路的mosfet，極間電容要小一點(diǎn)，越小越好
2019-08-19 13:47:23
拓?fù)洹?b class="flag-6" style="color: red">GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復(fù)的特點(diǎn)。這些特性可實(shí)現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關(guān)拓?fù)洹Ｓ捎谒鼈兊母唛_關(guān)損耗，MOSFET
2023-02-14 15:06:51
拓?fù)洹?b class="flag-6" style="color: red">GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復(fù)的特點(diǎn)。這些特性可實(shí)現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關(guān)拓?fù)洹Ｓ捎谒鼈兊母唛_關(guān)損耗，MOSFET和絕緣
2020-10-27 06:43:42
參數(shù)極其敏感，因此相較于傳統(tǒng)的Si基半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路，GaN的驅(qū)動(dòng)要求更為嚴(yán)苛，因此對(duì)其驅(qū)動(dòng)電路的研究很有意義。在實(shí)際的高壓功率GaN器件應(yīng)用過程中，我們用GaN器件和當(dāng)前主流的SJ MOSFET在
2021-12-01 13:33:21
運(yùn)放正負(fù)12伏供電，運(yùn)放輸出端連接mosfet的G極。mosfet的D連接500v直流高壓，mosfet的S極連接一個(gè)20歐姆電阻到地，20歐姆電阻連接運(yùn)放反饋端，我想把運(yùn)放個(gè)mosfet進(jìn)行隔離，求方案。求器件。整個(gè)原理其實(shí)就是運(yùn)放控制mosfet實(shí)現(xiàn)電流源。
2018-08-02 08:55:51
LTC2924，采用外部N溝道MOSFET的電源排序的簡單緊湊型解決方案
2019-04-16 06:07:32
驅(qū)動(dòng)25A/12V的mosfet，IR2103S需要多大的自舉電容
2021-01-28 12:07:56
MT-093：散熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)
2021-03-21 08:44:42
13 DC093A-設(shè)計(jì)文件
2021-04-12 15:25:161 DC093A-演示手冊
2021-05-23 15:13:210 DC093A-設(shè)計(jì)文件
2021-06-16 11:22:062 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ti)DC093A相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有DC093A的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DC093A真值表，DC093A管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-09-07 11:00:04
SL12-THRU-SL110-SMA規(guī)格書下載
2021-11-30 16:20:327 在設(shè)計(jì)基于氮化鎵的轉(zhuǎn)換器七年后，我們可以肯定地說，從硅 MOSFET 到 GaN 晶體管的轉(zhuǎn)換是一個(gè)革命性事件，其規(guī)模可與 70 年代后期的功率 MOSFET 革命相媲美，當(dāng)時(shí) Alex Lidow
2022-08-01 11:18:04513 GaN 、SiC很有可能在高壓高頻方面完全取代硅基，SiC MOSFET 主打高壓領(lǐng)域；GaN MOSFET 主打高頻領(lǐng)域。
2022-10-19 11:57:57306 MOSFET 和 GaN FET 應(yīng)用手冊-Nexperia_document_bo...
2023-02-17 19:13:1625 立元微ZS2934SL 24W開關(guān)電源方案
2023-10-24 11:36:15640 
立元微ZS3086SL 12W小功率開關(guān)電源方案
2023-10-26 14:23:26520 fp6102v093-lf
2021-12-01 10:25:010 SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比
2023-12-05 14:31:21258 
碳化硅MOSFET在高頻開關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，具有在高頻開關(guān)電路中廣泛應(yīng)用的多個(gè)優(yōu)勢。 1. 高溫特性： 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03357
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