R系列IGBT-IPM的內部結構電路
2010-02-18 21:59:511805 國際整流器公司IR推出高度創新的600V車用IGBT平臺COOLiRIGBT,適合電動車 (EV) 和混合動力車 (HEV) 中的各種高速開關應用,包括車載直流-直流轉換器、電機驅動器、電池充電器等。
2012-05-17 10:00:201085 瑞薩電子宣布開發出了導通電阻僅為150mΩ(柵源間電壓為10V時的標稱值)的600V耐壓超結(SJ:Super Junction)型功率MOSFET“RJL60S5系列”,將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:021252 國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列,適合在10kHz以下工作的電機驅動應用,包括冰箱和空調的壓縮機。
2012-09-05 11:09:19999 全球知名半導體制造商ROHM開發出在連接信息設備與周邊設備的USB Type-C連接器*1)中實現“USB Power Delivery(以下稱“USBPD”)”的供受電控制器IC“BM92TxxMWV系列”。
2015-09-17 15:54:041453 全球知名半導體制造商ROHM面向需要大功率(高電壓×大電流)的通信基站和工業設備領域,開發出耐壓高達80V的MOSFET內置型DC/DC轉換器 “BD9G341AEFJ”。
2015-10-28 14:09:032171 全球知名半導體制造商ROHM開發出高耐壓風扇電機驅動器“BM620xFS 系列”,用于實現未來在全球市場擁有巨大需求的家用空調等家電產品的變頻化。
2015-12-10 09:44:471221 全球知名半導體制造商ROHM新開發出兼備業界頂級低傳導損耗※1和高速開關特性的650V耐壓IGBT※2“RGTV系列(短路耐受能力※3保持版)”和“RGW系列(高速開關版)”,共21種機型。這些產品
2018-04-17 12:38:467742 全球知名半導體制造商ROHM開發出滿足家電產品和工業設備等的小容量電機低功耗化需求的高效MOS-IPM(Intelligent Power Module)“BM65364S-VA/-VC(額定電流15A、耐壓600V)”,產品陣容更加豐富。
2018-09-19 08:32:005110 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都),面向包括xEV在內的動力傳動系統等車載系統,開發出200V耐壓的超低IR※1肖特基勢壘二極管※2(以下簡稱“SBD”)“RBxx8BM200”“RBxx8NS200”。
2019-08-27 14:36:101100 ROHM針對這些挑戰,于2019年開始開發內置高耐壓、低損耗SiC MOSFET的插裝型AC/DC轉換器IC,并一直致力于開發出能夠更大程度地發揮SiC功率半導體性能的IC,在行業中處于先進地位。
2021-06-20 10:58:48961 有助于提高空調、電動汽車充電樁等的電源效率并為減少噪聲對策做出貢獻 ? 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向在空調和電動汽車充電樁等需要大功率的工業設備和消費電子設備,開發出實現
2022-06-27 09:45:401215 ROHM面向工業設備用電源、太陽能發電功率調節器及UPS等的逆變器、轉換器,開發出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43
、設計和應用的工程技術人員和高等院校相關專業師生閱讀參考。 本書在介紹IGBT和IPM結構與特性的基礎上,結合國內外電力電子器件的應用和發展趨勢,全面系統、深入淺出地闡述了IGBT和IPM的典型電路和應用技術,突出
2011-11-25 15:46:48
在高壓600V,額定電流10A的壓縮機電機控制中,IGBT經常燒壞,主要有哪些原因導致它損壞。
2024-02-22 17:58:38
電壓(600V、1200V、1700V)均對應于常用電網的電壓等級。考慮到過載,電網波動,開關過程引起的電壓尖峰等因素,通常電力電子設備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結構、布線、吸收
2022-05-10 10:06:52
的交疊損耗一致,導通損耗一致。 特性二:由于一般情況下IGBT的規格書給出是一個額定電流的能量損耗,例如600V/600A條件下損耗為Eon和Eoff,但是由于實際工作點在700V,一般默認“電壓
2023-02-24 16:47:34
`我需要通過LC電路產生一個1200A,2.5KHz的脈沖電流,所加電壓500V,電路圖如下。需要用到IGBT來進行開關控制,初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅動電路
2017-10-10 17:16:20
半導體提供。 請注意,BJT的體區電阻和增益是環境溫度的函數,器件在高溫下更容易發生閂鎖。 智能功率模塊 (IPM) 的基本概念 多年來,IGBT制造商改進了器件物理特性,以實現更好的功率開關,這些
2023-02-24 15:29:54
高溫下,此功能增加了IGBT的電流驅動并降低了導通損耗;此外,IGBT溫度在芯片上檢測,以便在最佳時序改變驅動電流。第7代IPM中使用的驅動電流功能提高了開關性能,降低了導通損耗,如下圖所示:與沒有
2023-02-22 17:01:26
相結合,可實現電機設備標準化。推薦產品:BM6202FS-E2;ROHM其它相關產品請 點擊此處 了解特性參數:輸出MOSFET電壓:600V驅動器輸出電流(DC):±1.5A(最大)驅動器輸出電流
2019-12-28 09:47:29
`全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出內置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列(Nch+Pch*2
2021-07-14 15:17:34
的功率模塊系列產品。該電源模塊系列包括驅動器模塊“SA310”(非常適用于高耐壓三相直流電機驅動)和半橋模塊“SA110”“SA111”(非常適用于眾多高電壓應用)兩種產品。ROHM的1,200V
2023-03-29 15:06:13
,也就是說將近5mA的電流損耗在7805里了。有沒有低損耗的電源芯片,可以最大限度的降低損耗呢?哪位神哥給推薦一個啊!
2019-10-25 03:59:57
10KA(ROHS)ARR-BM600L-CA8 陶瓷放電二極管600V 10KA (ROHS)ARR-BP600M-CA8 陶瓷放電二極管600V 20KA (ROHS) ARR-BP800M-CA8
2020-06-05 11:52:50
具有高脈沖電流緩沖級的設計最小驅動器交叉傳導。漂浮的通道可用于驅動N通道電源高壓側配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達600V。特性:欠壓鎖定,電壓高達600V耐負瞬態電壓,dV/dt柵極驅動電源
2021-05-11 19:40:19
IGBT 智能電源模塊? 電機控制連接器(32 引腳)與 ST MCU 板接口? 用試驗板和測試針進行進一步評估的通用概念? 極緊湊結構說明STEVAL-IPM07F 是一種基于小型低損耗智能
2023-09-08 08:02:09
STEVAL-IPM08B 緊湊型電機驅動電源板基于 SLLIMM?(小型低損耗智能成型模塊)第 2 系列模塊(STGIB8CH60TS-L)。該產品為驅動大功率電機提供了一種經濟實惠且易于
2023-09-13 08:05:58
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD(肖特基勢壘二極管)結構得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-04-22 06:20:22
1. 器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件,單位面積的導通電阻也越大(以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加),因此600V以上的電壓中主要采用IGBT(絕緣柵極雙極型晶體管)。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
1. 器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件,單位面積的導通電阻也越大(以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加),因此600V以上的電壓中主要采用IGBT(絕緣柵極雙極型晶體管)。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
`本書在介紹IGBT和IPM結構與特性的基礎上,結合國內外電力電子器件的應用和發展趨勢,全面系統、深入淺出地闡述了IGBT和IPM的典型電路和應用技術,突出實用性。全書共7章,分別介紹了電力電子器件
2015-05-29 10:47:00
。目前,ROHM正在量產的全SiC功率模塊是二合一型模塊,包括半橋型和升壓斬波型兩種。另外產品陣容中還有搭載NTC熱敏電阻的產品類型。以下整理了現有機型產品陣容和主要規格。1200 V耐壓80A~600
2018-11-27 16:38:04
的IGBT模塊相比,具有1)可大大降低開關損耗、2)開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優勢。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
SBD)* ? Hybrid型的IGBT* ? 顯著降低損耗* ? RGWxx65C系列* ? 650V耐壓* ? 與使用Si快速恢復二極管(Si FRD)的IGBT相比,開通損耗顯著降低
2022-07-27 10:27:04
系列Hybrid MOS是同時具備超級結MOSFET(以下簡稱“SJ MOSFET”)的高速開關和低電流時的低導通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時的低導通電阻這些優異特性的新結構MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
STEVAL-IPM10B,基于SLLIMM第二系列IGBT IPM的電機控制電源板。 STEVAL-IPM10B是一款基于SLLIMM(小型低損耗智能模塊)第二系列模塊
2019-07-01 14:23:46
STEVAL-IPM15B,基于SLLIMM第二系列IGBT IPM的電機控制電源板。 STEVAL-IPM15B是一款基于SLLIMM(小型低損耗智能模塊)第二系列模塊
2019-07-02 09:47:51
STEVAL-IPM10F,基于SLLIMM第二系列IGBT IPM的電機控制電源板。 STEVAL-IPM10F是一款基于SLLIMM(小型低損耗智能模塊)第二系列模塊
2019-06-28 08:36:40
STEVAL-IPM05F,基于SLLIMM第二系列IGBT IPM的電機控制電源板。 STEVAL-IPM05F是基于SLLIMM(小型低損耗智能模塑模塊)第二系列產品STGIF5CH60TS-L
2019-07-01 12:01:49
STEVAL-IPM07F,基于SLLIMM第二系列IGBT IPM的電機控制電源板。 STEVAL-IPM07F是一款緊湊型電機驅動電源板,基于小型低損耗智能模塊SLLIMM第二系列
2019-07-01 14:19:33
的電壓為 15 V;- IGBT導通損耗Eon的能量,IGBT關斷損耗Eoff的能量。測量條件:溫度25和150°C;集電極-發射極電壓600V;柵極-發射極電壓±15V;柵極電路中的電阻 2.2
2023-02-22 16:53:33
通特性。 圖2.對于不同的ROUTREF值,使用恒流源驅動器BM60059和1200V IGBT在空載時測量柵極電流和柵極電壓。 圖2顯示了三種不同R的柵極電流和柵極電壓波形奧特雷夫
2023-02-21 16:36:47
導讀:日前,業內高性能硅方案的領先供應商安森美半導體開發出7款高集成度的三相智能功率模塊(IPM),此7款IPM所具備的高集成度特性能夠在提升白家電控制電路能效的同時并降低噪聲。 安森美的7款
2018-09-27 15:30:00
1700V高耐壓,還是充分發揮SiC的特性使導通電阻大幅降低的MOSFET。此外,與SiC-MOSFET用的反激式轉換器控制IC組合,還可大幅改善效率。ROHM不僅開發最尖端的功率元器件,還促進充分發揮
2018-12-05 10:01:25
了第二代600V的全新產品,該系列產品的ESD防護提升至2KV,開關損耗降低了30%,更加安全、耐用。電源管理類產品展柜前人潮涌動LED調光電源展示`
2016-03-17 10:42:05
各位大大,最近在做雙向逆變,想問一下用2變比的高頻變壓器,高壓側600V降壓到300v,升壓的時候可以從300V升壓超過600V嗎,有人說高頻變壓器可以升壓超過原來高壓側輸入的電壓,請問有懂這個的能說一下能實現升壓超過2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
<概要>全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產品,在保持極快反向恢復時間(trr※1))的同時,提高設計靈活度,非常適用于
2020-03-12 10:08:31
<概要>全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產品,在保持極快反向恢復時間(trr※1))的同時,提高設計靈活度,非常適用于
2020-03-12 10:08:47
時間內(由600V IGBT3的6微秒增至650V IGBT4的10微秒),該器件具備出類拔萃的開關性能和短路魯棒性。結論利用英飛凌新型650V IGBT4可開發出專用于大電流應用的逆變器設計,以部署
2018-12-07 10:16:11
加深理解,最好還是參閱技術規格的標準值和特性圖表。【標準SJ MOSFET:AN系列】R50xxANx(500V)R52xxANx系列(520V)R60xxANx系列(600V)R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05
本文將介紹英飛凌的第三代采用溝槽柵場終止技術的 600V IGBT,即IGBT3在UPS中的應用。在介紹最新溝槽柵場終止技術的背景后,本文探討如何充分利用IGBT靜態與動態性能改進和175℃的
2009-11-20 14:30:2788 低損耗超柔射同軸電纜AMR系列
應用環境
特性分析
2010-09-12 16:46:590 IGBT在客車DC 600V系統逆變器中的應用與保護
1.1 IGBT的結構特點
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合
2009-11-05 10:15:211331 IR上市600V耐壓的車載設備用柵極驅動IC
美國國際整流器公司(IR)上市了+600V耐壓的車載設備用柵極驅動IC"AUIRS2301S"。主要用
2010-04-09 10:10:32876 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列,專門針對電動汽車和混合動力汽車中的變速電機控制和電源應用進行了優化
2011-10-13 09:03:46847 美國Transphorm公司發布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國加州大學圣塔巴巴拉分校(UCSB)的GaN元器件研究人員為核心創建的風險企業,因美國谷歌向其出資而備受功率半導體
2012-05-18 11:43:441931 華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司(后簡稱“華潤上華”)宣布已開發完成600V和1700V Planar NPT IGBT(平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管)以及600V Trench PT IGBT(溝槽穿通型絕緣
2012-05-29 08:47:481938 瑞薩電子宣布開發出了導通電阻僅為150m(柵源間電壓為10V時的標稱值)的600V耐壓超結(SJ:Super Junction)型功率MOSFETRJL60S5系列,將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:40794 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日擴充600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列,這些經過優化的新器件尤為適合不間斷電源 (UPS)、太陽能、感應加熱、工業電機和焊接應用。
2013-02-19 10:58:47995 全球功率半導體和管理方案領導廠商——國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布擴充節能的600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列,并提供多種封裝選擇。
2014-05-14 13:58:421270 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) IR66xx系列。堅固可靠的新系列器件提供極低的導通損耗和開關損耗,旨在為焊接應用做出優化。
2014-08-19 16:31:532356 2015年5月19日,TDK株式會社(社長:上釜 健宏)開發出最適合作為NFC用線圈的支持低損耗大電流的積層電感器MLJ1608系列,并已從4月起開始量產。
2015-05-20 17:21:021361 英飛凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz?40kHz開關頻率的低損耗1200V耐壓IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)“RC-E系列”(英文發布資料)。新產品在IGBT上集成續流用體二極管
2016-11-14 14:51:361390 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 全球知名半導體制造商ROHM面向停車場車輛管理系統的車輛檢測領域,開發出檢測地磁的MI傳感器*1“BM1422AGMV”。
2017-09-05 15:48:277894 ROHM新推出四款支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產品。
2019-05-13 18:30:571418 場阻型IGBT(Field-Stop IGBT,FS-IGBT)是近年來出現的一類非常重要的IGBT結構,FS層能實現通態損耗與器件耐壓以及通態損耗與開關損耗之間的良好折中,因此FS型IGBT已經
2019-12-19 17:59:0025 ROHM繼2020年年底發布的新一代Pch MOSFET*2之后,此次又開發出在Nch中融入新微細工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。
2021-11-30 14:48:02748 羅姆(總部位于日本京都市)面向空調、白色家電、FA設備等配備交流電源的家電和工業設備領域,開發出內置730V耐壓MOSFET*1的AC/DC轉換器*2IC“BM2P06xMF-Z系列(BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z)”。
2021-12-21 15:52:07978 600V SPM? 2 系列熱性能(通過安裝扭矩)
2022-11-15 20:04:030 ROHM面向空調、白色家電、FA設備等配備交流電源的家電和工業設備領域,開發出內置730V耐壓MOSFET的AC-DC轉換器IC “ BM2P06xMF-Z系列(BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z)”。
2023-02-08 13:43:17406 關鍵詞 兼具業內優異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉換用 BM6337x系列 無需自舉二極管和限流電阻 當保護電路被激活時,警報輸出(...
2023-02-08 13:43:21561 600V耐壓IGBT IPM:BM6337x系列?關鍵詞 兼具業內優異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉換用 BM6337x系列 優化內置...
2023-02-08 13:43:21869 ROHM新開發的“RGS系列”是滿足汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號,傳導損耗非常低,非常有助于應用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:23456 ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速開關型)”共21種機型,該系列產品同時實現了業界頂級的低傳導損耗和高速開關特性,并大大減少了開關時的過沖。
2023-02-09 10:19:25723 ROHM面向工業設備用電源、太陽能發電功率調節器及UPS等的逆變器、轉換器,開發出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05595 ROHM一直專注于功率元器件的開發。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”,是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:05515 IGBT-IPM是一種集成電力模塊,它由一個IGBT(可控硅反激開關)和一個IPM(智能功率模塊)組成。它可以用于控制電機、變頻器、變壓器等電力電子設備,以實現高效、精確的控制。
2023-02-20 15:30:251770 “ BM2P06xMF-Z系列 ”。 查看詳情 BM2P060MF-Z BM2P061MF-Z BM2P063MF-Z BM2P06xMF-Z系列是將ROHM的低損耗Super Junction
2023-04-04 12:40:05468 有助于配備小型電機的設備減少抗噪聲設計工時和部件數量,并降低功率損耗 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)在其600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-04-19 17:50:02407 :IM323系列的新成員是專門為家用空調和家用電器應用設計的CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊具有優化的性能和緊湊的封裝,可用于額定功率達1
2022-04-24 14:39:00533 同時實現業界超快反向恢復時間和業界超低導通電阻,可進一步降低工業設備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產品陣容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 *1 ,開發出集650V GaN HEMT *2 和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“ BM3G0xxMUV-LB ” ( BM
2023-07-19 17:10:04253 【嗶哥嗶特導讀】微碩開發出高Bs寬溫低損耗FP95B和高Bs低損耗FP91新材料,適用于電子變壓器、PFC、扼流圈和大功率電感等領域,目前已進入量產階段。 曾有光伏龍頭企業的工程師對記者憂慮地表
2023-07-31 11:53:41525 電子發燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 供應5a、600v耐壓igbt SGTP5T60SD1DFS可代換AOD5B65M1 ,提供SGTP5T60SD1DFS規格書參數 ,可應用于光伏,變頻器,UPS,SMPS以及PFC等領域,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 14:48:131 供應全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7,提供SGT20T60SDM1P7關鍵參數 ,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:02:491 供應電機常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A,提供SGTP50V60FD2PU關鍵參數 ,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 17:24:105 IGBT/IPM/DIPIPM定義及應用基礎(2)
2023-12-05 10:26:20308 IGBT/IPM/DIPIPM定義及應用基礎(1)
2023-12-05 14:09:41332 IGBT IPM的優點
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