恢復(fù)二極管兩種：采用先進的擴鉑工藝生產(chǎn)的具有極低反向漏電、極短反向恢復(fù)時間和--的抗反向浪涌沖擊能力的高可靠性的全系列（200V-1200V）FRD芯片及成品器件；采用SiC材料設(shè)計和生產(chǎn)的具有
2019-10-24 14:25:15
影響檢測的準確度；數(shù)字萬用表測試CE兩腳正反壓降，正常情況下，IGBT管的C、E極間正向壓降約為0．35~0.7V間都是好的,反相電壓為無窮大。 （內(nèi)不含阻尼二極管），IGBT管的C、E極間正向,反相壓
2012-04-18 16:15:53
最近看到網(wǎng)友們對IGBT反并聯(lián)二極管存在著很大的誤解，特寫此文告訴大家真相。此圖是三相雙向逆變電路，圖中我們可以看到反并聯(lián)二極管的用法。當輸入直流電壓高于負載反向電動勢時，它是一個逆變電路，將直流電
2021-11-16 08:59:28
等級，從而提升變流器的功率等級?？紤]到前者功率密度相對較低，從性價比出發(fā)，IGBT并聯(lián)技術(shù)是最好的選擇。1IGBT并聯(lián)運行分析1.1 影響并聯(lián)IGBT均流的主要因素1)IGBT和反并聯(lián)二極管靜態(tài)參數(shù)
2015-03-11 13:18:21
像IGBT或MOS管，他的CE有的會加續(xù)流二極管，這時在CE端加RCD緩沖電路還有作用嗎??！
2019-04-23 04:30:30
改變二極管的個數(shù)來調(diào)整過流保護動作點的方法，雖然簡單實用，但精度不高。這是因為每個二極管的通態(tài)壓降為固定值，使得驅(qū)動模塊與IGBT模塊散熱器集電極c之間的電壓不能連續(xù)可調(diào)。在實際工作中，改進方法有兩種
2012-06-19 11:26:00
` 全球知名半導(dǎo)體制造商 ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款高輸出功率半導(dǎo)體激光二極管“RLD90QZW3”，非常適用于搭載測距和空間識別用 LiDAR*1 的工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的 AGV*2
2021-07-30 17:06:44
半導(dǎo)體制造商羅姆電子(ROHM)采用既小且薄以及符合環(huán)保樹脂(無鹵素)材質(zhì)，全新研發(fā)出超小型復(fù)合二極管封裝，以因應(yīng)手機、數(shù)碼相機(DSC
2008-11-14 14:32:57
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET
2018-11-27 16:40:24
10倍的絕緣擊穿場強,所以不僅能保持實際應(yīng)用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，1700V產(chǎn)品正在開發(fā)中。SiC-SBD和Si-PN結(jié)二極管通過Si二極管來應(yīng)對
2018-11-29 14:35:50
ROHM推出了SiC肖特基勢壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產(chǎn)品“SCS3系列”。SCS3系列是進一步改善了第二代SiC SBD實現(xiàn)的當時業(yè)界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產(chǎn)品
2018-12-03 15:12:02
上圖有兩個反向串聯(lián)的二極管，請問這兩個二極管的作用是什么
2018-12-25 15:19:15
(a)二極管一般符號;(b)發(fā)光二極管;(c)熱敏二極管;(d)變?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">二極管;(e)隧道二極管;(f)隱壓二極管;(g)雙向擊穿二極管;(h)雙向二極管、交流開關(guān)二極管;(i)體效應(yīng)二極管:(j)磁敏
2012-12-18 10:01:03
我的兩個二極管的管子上絲印是V6 71，L4 69（插件），這是什么樣的二極管呢？我該怎么確定的，告急。
2013-09-03 14:00:20
二極管整流橋的作用是什么？ASEMI二極管整流橋和普通二極管是一樣的嗎？
2016-09-21 18:02:18
防雷過壓器件的具體作用二極管的應(yīng)用二極管是什么原理二極管有哪些分類？
2021-03-16 13:54:35
二極管是如何工作的？二極管有哪些應(yīng)用？
2021-10-14 06:28:13
正向恢復(fù)發(fā)生在二極管開通的時刻，如下圖示，在下管IGBT關(guān)斷的瞬間，驅(qū)動器電流就要轉(zhuǎn)移到上管的續(xù)流二極管，在這瞬間一瞬間，上管的二極管發(fā)生正向恢復(fù)過程。如右圖紅圈所示的時刻。 ?二極管規(guī)格書下載：
2021-04-16 14:25:58
二極管簡易直流穩(wěn)壓電路及故障處理二極管溫度補償電路及故障處理二極管控制電路及故障處理二極管限幅電路及故障處理二極管開關(guān)電路及故障處理二極管檢波電路及故障處理繼電器驅(qū)動電路中二極管保護電路及故障處理
2021-03-10 07:14:45
Boost升壓PFC電感上的二極管是做什么的？二極管的作用
2021-02-24 07:49:55
以上的叫做中功率/大功率二極管。4. 按集成度分類我公司的強點是二極管排列，是指二極管集聚的復(fù)合二極管。最近我公司充實齊納二極管，肖特基二極管的復(fù)合品等豐富系列。5. 按形狀分類封裝，實際安裝形狀
2019-04-12 00:31:05
在二極管正極加+VCC電源，二極管負極懸空，此時負極的電壓是多少？因為二極管是通過PN結(jié)形成的結(jié)構(gòu)，和電阻的模型不同，所以想請教一下，有沒有可以更好分析的二極管模型，判斷負極的電壓。如果使用萬用表
2018-03-22 09:16:29
下圖為MDD品牌1700V/450A的IGBT模塊具體測試波形。在關(guān)斷下管IGBT瞬間，觀測上管整流二極管的電流及電壓。可以看到，在極管開的時刻二極管開通的時刻，二極管的陽極的電位比陰極要高，峰值大約150V，持續(xù)時間為300 400ns ~400ns。? 二極管規(guī)格書下載：
2021-04-14 15:07:25
內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的車載充電器案例中開關(guān)損耗降低67%關(guān)鍵詞* ? SiC肖特基勢壘二極管（SiC
2022-07-27 10:27:04
和次級保護。三、再選用ESD靜電二極管時，更多看的是ESD二極管的的ESD rating (HBM/MM)和IEC61000-4-2的LEVEL，高速的USB和I/O非常重視ESD二極管的C；而選用TVS二極管時，看的是功率和封裝形式。靜電二極管規(guī)格書下載：
2022-05-18 11:23:17
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關(guān)能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
，可以用萬用表測量IGBT的C極和E極，如果IGBT是好的，C、E兩極測得電阻值無窮大，則說明IGBT沒有體二極管。IGBT非常適合應(yīng)用于如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。MOS管
2022-04-01 11:10:45
IGBT內(nèi)部是否有體二極管也并不困難，可以用萬用表測量IGBT的C極和E極，如果IGBT是好的，C、E兩極測得電阻值無窮大，則說明IGBT沒有體二極管。 IGBT非常適合應(yīng)用于如交流電機、變頻器
2020-07-19 07:33:42
、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對于硬開關(guān)拓撲的影響。1導(dǎo)通損耗除了IGBT的電壓下降時間較長外
2018-08-27 20:50:45
時的波形可以看到，SiC-MOSFET原理上不流過尾電流，因此相應(yīng)的開關(guān)損耗非常小。在本例中，SiC-MOSFET＋SBD（肖特基勢壘二極管）的組合與IGBT＋FRD（快速恢復(fù)二極管）的關(guān)斷損耗Eoff相比
2018-12-03 14:29:26
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過200V的工作電壓場合，普通的PIN二極管占主導(dǎo)地位?！ ≡从诠杌男ぬ鼗?b class="flag-6" style="color: red">二極管，近年來開發(fā)出來新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關(guān)鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
Si整流器與SiC二極管：誰會更勝一籌
2021-06-08 06:14:04
羅姆(ROHM)是半導(dǎo)體和電子零部件領(lǐng)域的著名生產(chǎn)商，其近期推出了TO-247N封裝的RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）——RGS60TS65DHR、RGS80TS65
2019-04-09 06:20:10
和快恢復(fù)二極管替代，答案是否定的。目前，TVS二極管在防浪涌過電壓保護方面，是理想的新型電路保護器件，目前還沒有研發(fā)出新的產(chǎn)品完全取代它。客戶找瞬態(tài)電壓抑制TVS二極管替代，是具體型號的替代。二極管型號之間的替換，具體型號替換需要咨詢FAE工程師指導(dǎo)應(yīng)用！?TVS二極管規(guī)格書下載：
2022-05-19 15:30:42
TVS二極管，也叫瞬變二極管、瞬態(tài)電壓抑制二極管、瞬變抑制二極管、瞬態(tài)抑制二極管、TVS、TVS二極管、TVS管、二極管TVS等等，叫法很多，不同的客戶叫法略有差異，但是東西都是一個東西，是防浪涌
2022-05-25 14:16:57
困難，可以用萬用表測量IGBT的C極和E極，如果IGBT是好的，C、E兩極測得電阻值無窮大，則說明IGBT沒有體二極管。IGBT非常適合應(yīng)用于如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域
2021-05-14 09:24:58
一、檢波二極管的選用檢波二極管一般可選用點接觸型鍺二極管，例如2AP系列等。選用時，應(yīng)根據(jù)電路的具體要求來選擇工作頻率高、反向電流小、正向電流足夠大的檢波二極管。二、整流二極管的選用整流二極管一般為
2022-06-07 15:51:38
為什么IGBT在集電極和射極之間要并聯(lián)一個二極管呢？
2023-03-16 11:42:38
萬用表二極管檔，測量IGBT的C極和E極，如果IGBT是好的，C極和E極測得電阻值無窮大，E極和C極測得0.3v（具體要看手冊），則可以初步判斷IGBT是好的，C、E兩極測得電阻值都是無窮大，說明
2021-03-02 13:47:10
續(xù)流二極管作用及工作原理是什么？續(xù)流二極管為什么要反向接個二極管呢？續(xù)流二極管在正激開關(guān)電源的作用是什么？在變流技術(shù)中，續(xù)流二極管在電路里起什么作用？
2021-07-06 06:53:37
擴展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設(shè)計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車（EV / HEV）充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
發(fā)光二極管與激光二極管在發(fā)光原理上有何差別？發(fā)光二極管與激光二極管在工作原理上有何差別？發(fā)光二極管與激光二極管在架構(gòu)上有何差別？發(fā)光二極管與激光二極管在效能上有何差別？
2021-07-28 07:02:48
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
功率二極管、晶閘管、mosfet、IGBT和功率IC的區(qū)別和應(yīng)用
2019-10-24 09:19:22
半導(dǎo)體制造商ROHM株式會社（總部：京都市）最近開發(fā)了三種新型雙波長激光二極管。這些新產(chǎn)品相比舊有產(chǎn)品，在很大程度上降低了所需工作電流，其工作狀態(tài)在高溫環(huán)境下依然穩(wěn)定出色。目前，用于播放DVD和CD
2019-07-11 04:20:19
`發(fā)光二極管隨著科技的不斷進步，工業(yè)化程度也在不斷的提升，現(xiàn)在高科技產(chǎn)品被大量的使用，相信大家對于紅外發(fā)光二極管一定不會陌生，紅外發(fā)光二極管指的就是一種能發(fā)出紅外線的二極管，比較常見的被應(yīng)用于遙控器
2018-04-03 11:33:11
`發(fā)光二極管隨著科技的不斷進步，工業(yè)化程度也在不斷的提升，現(xiàn)在高科技產(chǎn)品被大量的使用，相信大家對于紅外發(fā)光二極管一定不會陌生，紅外發(fā)光二極管指的就是一種能發(fā)出紅外線的二極管，比較常見的被應(yīng)用于遙控器
2018-09-07 11:29:24
本文介紹ROHM命名為“Hybrid MOS”的、同時具備MOSFET和IGBT兩者優(yōu)勢的MOSFET。產(chǎn)品位于下圖最下方紅色框內(nèi)。同時具備MOSFET和IGBT優(yōu)異特性的Hybrid MOS GN
2018-11-28 14:25:36
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動在
2018-12-04 10:26:52
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
MDD肖特基二極管具有的優(yōu)勢：肖特基二極管MBR系列極快的開關(guān)速度以及非常低的反向恢復(fù)時間使它們非常適合高頻應(yīng)用，并能最大程度降低開關(guān)損耗。肖特基二極管均具有非常低的正向壓降和比傳統(tǒng)二極管更低的熱
2020-08-28 17:12:29
就功率半導(dǎo)體而言，高規(guī)格輔助電源發(fā)展中最有前途的方向之一與使用基于硅IGBT和SiC肖特基二極管的“混合”半導(dǎo)體開關(guān)有關(guān)。肖特基二極管的使用可以大幅降低二極管中功率損耗的頻率相關(guān)分量，減少IGBT中
2023-02-22 16:53:33
許多不同類型的二極管可供選擇。大多數(shù)早期的二極管都是由鍺單晶制成的。后來，隨著硅材料的解決和制造工藝，硅管得到了開發(fā)和推廣。以下是區(qū)分硅（Si）二極管和鍺（Ge）二極管的方法。I. 電路特性：硅管與鍺
2023-02-07 15:59:32
在看IGBT這一節(jié)的時候，提到了加速二極管，新手沒看懂，請大神賜教。書上說圖中的VD2是加速二極管。
2015-01-08 15:10:57
=無窮大，而IGBT管的之間有阻尼二極管的存在，因此具有單向?qū)щ姺聪蚪刂固匦?，即Rce=無窮大，Rec=幾千歐。從這里只能用萬用表的電阻檔判斷出管子的好壞，卻區(qū)分不出是那種管子。測量得阻值很小，則說明管子被
2019-05-02 22:43:32
如何識別普通二極管？晶體二極管的參數(shù)有哪些？普通二極管怎么使用？
2021-06-08 06:38:05
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
斷電，它兩端就會產(chǎn)生很大的反向電動勢，如果在線圈兩端并聯(lián)一個快恢復(fù)二極管，使它產(chǎn)生一個回路，電動勢通過這個回路使線圈儲存的能量泄放。2、快恢復(fù)二極管在IGBT開關(guān)管的應(yīng)用如下圖是電磁爐全橋控制的LC
2023-02-16 14:56:38
斷電，它兩端就會產(chǎn)生很大的反向電動勢，如果在線圈兩端并聯(lián)一個快恢復(fù)二極管，使它產(chǎn)生一個回路，電動勢通過這個回路使線圈儲存的能量泄放。2、快恢復(fù)二極管在IGBT開關(guān)管的應(yīng)用如下圖是電磁爐全橋控制的LC
2023-02-20 15:22:29
1.整流二極管的代換整流二極管損壞后，可以用同型號的整流二極管或參數(shù)相販其它型號整流二極管代換。通常，高耐壓值（反向電壓）的整流二極管可以代換低耐壓值的整流二極管，而低耐壓值的整流二極管不能代換高
2021-07-07 14:58:27
請問一下怎樣使用集成二極管和外部二極管呢？
2022-12-05 12:04:41
較高，且反向恢復(fù)時司短快恢復(fù)型整流二極管。而不能使用一般整流二極管。可選擇使用fr一系列，pfr一系列，mur一系列快恢復(fù)二極管。對低電壓整流電路應(yīng)選擇使用正問壓降小整流二極管。對于5A對下整流
2021-04-25 14:03:51
我們都知道整流二極管的工作頻率低，有電壓和電流的要求指標?！ ?而普通二極管有許多種類，有的可用作為整流，有的可用作為檢波、限幅、開關(guān)等，但不一定都能用作為整流。不過，只要在電壓和電流上滿足整流的要求，一般的二極管都可以作為整流管；但是整流管卻不一定能夠勝任檢波、開關(guān)等工作。整流二極管規(guī)格書下載：
2021-10-29 17:37:21
模塊回收電源模塊回收斯達IGBT回收STARPOWER電源模塊回收功率二極管模塊快恢復(fù)二極管模塊 整流二極管回收晶閘管模塊回收電焊機配件 高頻加熱感應(yīng)電磁加熱IGBT 電焊機氬弧焊機等離子切割機專用IGBT模塊各種逆變焊機氣保焊機氬弧焊機 、電話151-5220-9946 QQ 2360670759
2022-01-04 20:52:15
普通二極管和肖特基二極管的伏安特性如何
2021-10-13 08:57:54
正常情況下，要滿足穩(wěn)壓二極管的反向電壓是等于或者大于整流二極管的方向電壓。普通二極管是指工藝材料沒有什么特殊的二極管。其性能也就沒有特點了。能不能代替整流二極管呢？根據(jù)二極管的使用原則，只要其耐壓
2021-05-26 16:49:24
應(yīng)的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管，包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi)，特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC
2018-12-05 10:04:41
不同，ROHM利用多種金屬，推出如下產(chǎn)品陣容。低VF型 RB**1系列低IR型 RB**0系列車載用超低IR型 RB**8系列特點通過改變金屬種類，可制造低VF型、低IR型產(chǎn)品。關(guān)于熱失控肖特基勢壘二極管在
2019-04-11 02:37:28
`用于保護VFD/IGBT逆變器的TVS二極管AK3-380C在幾乎所有的工業(yè)控制系統(tǒng)中，變頻器(VFD)/逆變器通常安裝在電機的前端，以便調(diào)節(jié)速度和節(jié)約能源。根據(jù)不同的輸入電壓要求，逆變器通常分為
2021-07-23 14:47:02
保護。3.再選用ESD靜電二極管時，更多看的是ESD二極管的的ESD rating (HBM/MM)和IEC61000-4-2的LEVEL，高速的USB和I/O非常重視ESD二極管的C；而選用TVS
2020-12-24 14:55:58
保護。3.再選用ESD靜電二極管時，更多看的是ESD二極管的的ESD rating (HBM/MM)和IEC61000-4-2的LEVEL，高速的USB和I/O非常重視ESD二極管的C；而選用TVS
2021-12-30 17:52:36
250V左右。對于能夠耐受500～600V以上反向電壓要求，人們開始使用碳化硅(SiC)制造器件，因為它能夠耐受較高的電壓?！ 〕艘酝獾钠骷?shù)均相當于或優(yōu)于硅肖特基二極管。詳見表2?！ ∮捎?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件的成本較高(是同類硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，還沒有用它來替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
?穩(wěn)壓二極管（又名齊納二極管），是利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài)，能在電流變化大變化范圍內(nèi)，而保持電壓穩(wěn)定所研發(fā)出來穩(wěn)壓作用的二極管。TVS二極管（瞬態(tài)電壓抑制二極管），在穩(wěn)壓管工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的新產(chǎn)品
2022-04-15 18:01:26
常用的穩(wěn)壓二極管的外形與普通小功率整流二極管的外形基本相似。當殼體上的型號標記清楚時，可根據(jù)型號加以鑒別。當其型號標志脫落時，可使用萬用表電阻擋很準確地將穩(wěn)壓二極管與普通整流二極管區(qū)別開來。具體方法
2021-08-16 17:04:51
1.符號封裝穩(wěn)壓二極管和TVS二極管的電路符號與穩(wěn)壓二極管基本相同，封裝也基本相同。有時很難區(qū)分外表上的區(qū)別;2.電路連接穩(wěn)壓二極管和TVS電路中二極管連接相對地,也就是說,他們有一個臨界電壓反向
2021-12-21 11:16:32
的逆變器和轉(zhuǎn)變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復(fù)導(dǎo)致的功率轉(zhuǎn)換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動作的SiC-MOSFET的開發(fā)備受期待。但是，傳統(tǒng)的SiC-MOSFET，體二極管通電
2019-03-18 23:16:12
肖特基二極管正向?qū)妷汉艿停挥?.4V，反向在擊穿電壓之前不會導(dǎo)通，起到快速反應(yīng)開關(guān)的作用。而穩(wěn)壓二極管正向?qū)妷焊胀?b class="flag-6" style="color: red">二級管一樣約為0.7V，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止，在達到臨界電壓
2020-09-25 15:38:08
肖特基二極管和普通穩(wěn)壓二極管有什么區(qū)別
2020-04-13 17:11:31
選用肖特基二極管的時候需參考以下參數(shù)。1.導(dǎo)通壓降VF：VF為二極管正向?qū)〞r二極管兩端的壓降，選擇肖特基二極管是盡量選擇VF較小的二極管。2.反向飽和漏電流IR：IR指在二極管兩端加入反向電壓
2022-01-24 11:27:53
?一、導(dǎo)通壓降VF：VF為二極管正向?qū)〞r二極管兩端的壓降，當通過二極管的電流越大，VF越大；當二極管溫度越高時，VF越小。二、反向飽和漏電流IR：IR指在二極管兩端加入反向電壓時，流過二極管的電流
2022-05-31 17:17:19
肖特基二極管一種應(yīng)用電路，這是肖特基二極管在步進電動機驅(qū)動電路中的應(yīng)用。利用肖特基二極管的管壓降小、恢復(fù)時間短的特點，這樣大部分電流就流過外部的肖特基二極管，從而集成電路內(nèi)部的功耗就小了很多，提高了熱穩(wěn)定性能，也就提高了可靠性。?肖特基二極管規(guī)格書下載：
2021-04-12 17:25:17
不同，ROHM利用多種金屬，推出如下產(chǎn)品陣容。低VF型 RB**1系列低IR型 RB**0系列車載用超低IR型 RB**8系列特點通過改變金屬種類，可制造低VF型、低IR型產(chǎn)品。關(guān)于熱失控肖特基勢壘二極管在
2019-04-30 03:25:24
MOS管在制作生產(chǎn)時，這個反并聯(lián)的快速恢復(fù)二極管就自動復(fù)合而成，不需要人為特意去另裝這個PN結(jié)。但是IGBT在制作生產(chǎn)時，這個反并聯(lián)二極管不是自動復(fù)合而成，是沒有的，需要單獨再并聯(lián)一個快速恢復(fù)二極管。請問我的理解對嗎？請大家指導(dǎo)，謝謝！
2019-09-09 04:36:22
我發(fā)現(xiàn)現(xiàn)在大家在選型這個二極管的時候，一般都是采用那種快恢復(fù)的二極管，有些場合明明不需要高速的快恢復(fù)二極管，但是大家也一樣的采用了，看來是不是快恢復(fù)二極管已經(jīng)可以通吃整個二極管應(yīng)用了？
2019-05-16 00:12:23
各位弱弱的問一句，肖特基二極管可以當整流二極管用嗎？比如IN5822二極管可以替換IN5408二極管嗎？在線等，
2017-08-15 11:20:46
IGBT 模塊上有一個“續(xù)流二極管”。它有什么作用呢？答：當 PWM 波輸出的時候，它是維持電機內(nèi)的電流不斷用的。我在說明變頻器逆變原理的時候，用的一個電阻做負載。電阻做負載，它上面的電流隨著電壓有
2020-03-13 07:00:00
ΘJC-IGBT= 0.470 °C/W PD-IGBT= 65 W PD-DIODE= 35 W Psi交互影響= 0.15°C/WIGBT的裸片溫度就是： 二極管裸片溫度 RΘJC-diode
2018-10-08 14:45:41
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開發(fā)出非常適用于服務(wù)器和高端計算機等的電源PFC電路※1的、第3代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基勢壘二極管（以下稱“SiC-SBD”） “SCS3系列”。
2016-05-10 14:25:51
1837 帶反并聯(lián)二極管IGBT中的二極管設(shè)計
2017-01-24 16:35:05
39 由于 IGBT反并聯(lián)SiC 肖特基勢壘二極管，在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下，CoolSiC? Hybrid IGBT能大幅降低開關(guān)損耗。
2021-02-23 10:23:021660 IGBT 模塊上有一個“續(xù)流二極管”。它有什么作用呢?
2022-12-29 09:08:553117 內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的車載充電器案例中開關(guān)損耗降低67%關(guān)鍵詞 ? SiC肖特基勢壘二極管（...
2023-02-08 13:43:19434 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論