美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:06
1242 Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開(kāi)關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率。 產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車(chē)載電源、新能源汽車(chē)電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂(lè)技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
電壓或高溫條件的器件非常有利。在高頻、高溫、高功率及惡劣環(huán)境下，仍具有更優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動(dòng)。 碳化硅二極管廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、功率因素校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
二極管的Vf特性，。Vgs為0V即MOSFET在關(guān)斷狀態(tài)下，沒(méi)有通道電流，因此該條件下的Vd-Id特性可以說(shuō)是體二極管的Vf-If特性。如“何謂碳化硅”中提到的，SiC的帶隙更寬，Vf比
2018-11-27 16:40:24
和相比上一代的優(yōu)點(diǎn)，不過(guò)由于機(jī)會(huì)難得，能否請(qǐng)您首先介紹一下SiC-SBD的基礎(chǔ)內(nèi)容？說(shuō)實(shí)話，我認(rèn)為非常了解使用了SiC（碳化硅）這種半導(dǎo)體的二極管和晶體管的特點(diǎn)的人并不多。是啊！2010年ROHM確立
2018-12-03 15:12:02
?二極管的參數(shù)是選用二極管的決定性因素之一，二極管的壓降的其中的一種。? 二極管在正向?qū)ǖ臅r(shí)候，流過(guò)電流的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生壓降。一般情況下，這個(gè)壓降和正向電流以及溫度有關(guān)。通常硅二極管，電流越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高，壓降越大。二極管規(guī)格書(shū)下載：
2021-03-22 17:25:26
近年來(lái)，以激光作為光源的投影機(jī)層出不窮，但大多數(shù)都使用的是價(jià)格相對(duì)較低的藍(lán)色激光二極管。日前，索尼和住友電工聯(lián)手推出了全新的綠光鐳射半導(dǎo)體二極管，它能提供足夠的亮度來(lái)替換現(xiàn)有RGB裝置中更昂貴的光源
2016-09-28 10:59:59
半導(dǎo)體二極管的伏安特性是什么？
2021-06-15 06:17:58
半導(dǎo)體二極管電子教案，半導(dǎo)體二極管課件教程:2.1 半導(dǎo)體的基本知識(shí) 2.1.1 半導(dǎo)體材料 2.1.2 半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu) 
2009-06-22 23:12:51
半導(dǎo)體激光二極管TOLD9211是由哪些部分組成的？半導(dǎo)體激光二極管TOLD9211是如何工作的？使用半導(dǎo)體激光二極管TOLD9211有哪些注意事項(xiàng)？
2021-08-03 06:27:48
。碳化硅二極管廣泛用于能效至關(guān)重要的各種PFC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。而且更易于處理電磁干擾(EMI)，因其極快的反向恢復(fù)速度。安森美半導(dǎo)體擁有完整的650 V和1200 V SiC二極管產(chǎn)品陣容，涵蓋單相和多相
2018-10-30 08:57:22
范圍的高性能硅方案，也處于實(shí)現(xiàn)寬禁帶的前沿，具備全面的寬禁帶陣容，產(chǎn)品涵蓋碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)分立器件、模塊乃至圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無(wú)二的生態(tài)系統(tǒng)，為設(shè)計(jì)人員提供針對(duì)不同應(yīng)用需求的更多的選擇。
2019-07-31 08:33:30
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱停哂械偷膶?dǎo)通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個(gè)缺點(diǎn)，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
更進(jìn)一步。其中UF系列的最新產(chǎn)品在1200V和650V器件上的導(dǎo)通電阻達(dá)到了同類(lèi)產(chǎn)品最低，分別小于9毫歐和7毫歐。這些器件具有低損耗體二極管效應(yīng)以及固有的抗過(guò)電壓和短路的能力，與Si-MOSFET或
2023-02-27 14:28:47
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢(xún)我司人員！附件是海飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購(gòu)！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
MOSFET 漏極出現(xiàn)浪涌并因寄生效應(yīng)意外打開(kāi)時(shí)。這種導(dǎo)通會(huì)產(chǎn)生從高壓到地的短路，從而損壞電路。 如何驅(qū)動(dòng)碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管 考慮到卓越的材料性能，這個(gè)問(wèn)題提出了如何控制這些部件才能發(fā)揮最佳作用。從我們所知
2023-02-24 15:03:59
泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，憑借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身優(yōu)異的半導(dǎo)體性能，在各個(gè)現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域發(fā)揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45
下降0.5%。PFC拓?fù)渲械母咝室彩峭ㄟ^(guò)通道而不是體二極管升壓來(lái)實(shí)現(xiàn)的。 工作溫度下的導(dǎo)通電阻與硅相當(dāng) 一個(gè)關(guān)鍵的比較參數(shù)是導(dǎo)通電阻 RDS（on）。硅 MOSFET 在紙面上看起來(lái)比 SiC 更好
2023-02-23 17:11:32
電磁性。因碳化硅是一種共價(jià)鍵化合物，原子間結(jié)合的鍵很強(qiáng)，它具有以下一些獨(dú)特的性能，因而得以廣泛應(yīng)用。1)高熔點(diǎn)。關(guān)于碳化硅熔點(diǎn)的數(shù)據(jù).不同資料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類(lèi)應(yīng)用，如汽車(chē)制動(dòng)器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅（SiC）是比較新的半導(dǎo)體材料。一開(kāi)始，我們先來(lái)了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。其結(jié)合力非常強(qiáng)，在熱、化學(xué)、機(jī)械方面都
2018-11-29 14:43:52
碳化硅肖特基二極管主要特點(diǎn)及產(chǎn)品系列 基本半導(dǎo)體B1D系列碳化硅肖特基二極管主要技術(shù)參數(shù)如下： 650V、1200V系列B1D碳化硅肖特基二極管電流范圍從2-40A，封裝涵蓋TO-220，TO-252，TO-263，TO-247及其家族群封裝，產(chǎn)品列表見(jiàn)下：原作者：基本半導(dǎo)體
2023-02-28 16:55:45
。 基本半導(dǎo)體自主研發(fā)推出了650V、1200V、1700V系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品，具有極高的工作效率，性能優(yōu)越達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，可廣泛應(yīng)用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言，半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通損耗與其擊穿場(chǎng)強(qiáng)成反比，故在相似的功率等級(jí)下，SiC器件的導(dǎo)通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
，為2.2MV/cm，而硅是0.25MV/cm。可以進(jìn)一步地提高碳化硅半導(dǎo)體的摻雜濃度，從而降低它的寬度，而這個(gè)寬度是與阻斷電壓呈正比。這就意味著，相對(duì)于硅基的二極管，碳化硅二極管的阻抗會(huì)明顯降低
2019-01-02 13:57:40
通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求。 相較于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品，基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計(jì)的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗、減小產(chǎn)品
2023-02-27 16:14:19
器、太陽(yáng)能電池、壓電換能器、光電材料器件、藍(lán)光、紫外光發(fā)光二極管和激光二極管。氧化鋅對(duì)藍(lán)色/紫外發(fā)光二極管和薄膜晶體管有著濃厚的興趣。在接下來(lái)的章節(jié)中，我們將回顧一些常見(jiàn)的寬帶隙半導(dǎo)體材料系統(tǒng)的濕法刻蝕方法
2021-10-14 11:48:31
有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“薩科微”）為代表的“造芯”勢(shì)力正在奮力追趕，致力補(bǔ)齊國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中重要的一環(huán)。薩科微半導(dǎo)體產(chǎn)品包括“slkor”品牌的碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管
2023-03-17 11:08:33
項(xiàng)目名稱(chēng)：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年來(lái)被越來(lái)越廣泛地用于高頻高溫的工作場(chǎng)合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
，華潤(rùn)微電子在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域匠心深耕，利用全產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì)，從產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造工藝、封裝技術(shù)和系統(tǒng)應(yīng)用等方面大力推進(jìn)SiC器件產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化。華潤(rùn)微SiC SBD系列產(chǎn)品具有可媲美國(guó)際先進(jìn)水平的卓越產(chǎn)品性能，均已
2023-10-07 10:12:26
范圍的高性能硅方案，也處于實(shí)現(xiàn)寬禁帶的前沿，具備全面的寬禁帶陣容，產(chǎn)品涵蓋碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)分立器件、模塊乃至圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無(wú)二的生態(tài)系統(tǒng)，為設(shè)計(jì)人員提供針對(duì)不同應(yīng)用需求的更多的選擇。
2020-10-30 08:37:36
。碳化硅二極管廣泛用于能效至關(guān)重要的各種PFC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。而且更易于處理電磁干擾(EMI)，因其極快的反向恢復(fù)速度。安森美半導(dǎo)體擁有完整的650 V和1200 V SiC二極管產(chǎn)品陣容，涵蓋單相和多相
2020-10-27 09:33:16
有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“薩科微”）為代表的“造芯”勢(shì)力正在奮力追趕，致力補(bǔ)齊國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中重要的一環(huán)。薩科微半導(dǎo)體產(chǎn)品包括“slkor”品牌的碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管
2023-03-17 11:13:35
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢復(fù)二極管FR101-FR105150nsSR260肖特基二極管 10ns左右反向恢復(fù)時(shí)間短，特別適用于高頻電路。二、碳化硅二極管碳化硅是一種新材料，幾乎不
2023-02-15 14:24:47
氧可靠性等可靠性問(wèn)題備受關(guān)注。那么SiC MOSFET體二極管能抗多大的浪涌電流？其短路能力如何？如何保證柵極可靠性？SiC MOSFET的體二極管抗浪涌電流大小與芯片的大小成正比。像派恩杰半導(dǎo)體采用
2022-03-29 10:58:06
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開(kāi)序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯(cuò)式硬開(kāi)關(guān)升壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的參考設(shè)計(jì)和性能。 SiC功率半導(dǎo)體的超低開(kāi)關(guān)損耗使得開(kāi)關(guān)頻率在硅實(shí)現(xiàn)方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
大功率適配器為了減小對(duì)電網(wǎng)的干擾，都會(huì)采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開(kāi)碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn)，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動(dòng)力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
和 500A，帶或不帶碳化硅肖特基續(xù)流 1200V 二極管。 另一個(gè)例子是MiniSKiiP，這是一種無(wú)底板電源模塊，使用賽米控的SPRiNG系統(tǒng)將電源和輔助端子連接到PCB。彈簧位置由外殼設(shè)計(jì)固定
2023-02-20 16:29:54
來(lái)制成發(fā)光二極管，在電路及儀器中作為指示燈，或者組成文字或數(shù)字顯示。磷砷化鎵二極管發(fā)紅光，磷化鎵二極管發(fā)綠光，碳化硅二極管發(fā)黃光。它是半導(dǎo)體二極管的一種，可以把電能轉(zhuǎn)化成光能；常簡(jiǎn)寫(xiě)為L(zhǎng)ED。發(fā)光二極管
2012-07-12 15:40:31
混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）。基本半導(dǎo)體的碳化硅肖特基二極管采用的主要是碳化硅 JBS工藝技術(shù)，與硅 FRD對(duì)比的主要優(yōu)點(diǎn)有： 圖9 二極管反向恢復(fù)
2023-02-28 16:48:24
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）。2010年在日本國(guó)內(nèi)率先開(kāi)始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴(kuò)充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動(dòng)在
2018-12-04 10:26:52
技術(shù)需求的雙重作用，導(dǎo)致了對(duì)于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個(gè)需求寬帶隙（WBG）技術(shù)器件應(yīng)運(yùn)而生，如碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設(shè)計(jì)人
2023-03-14 14:05:02
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
，減少了不必要熱阻的增加。 05 總結(jié) 基本半導(dǎo)體推出的內(nèi)絕緣型TO-220封裝碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品，從優(yōu)化安裝工藝、提升產(chǎn)品質(zhì)量、減少熱阻等方面很好地解決了絕緣和導(dǎo)熱痛點(diǎn)。原作者：基本半導(dǎo)體
2023-02-28 17:06:57
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性?xún)r(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
砷化鎵功率二極管是寬帶隙半導(dǎo)體器件，其性能僅為碳化硅（SiC）的70%左右。本文對(duì)10kW LLC轉(zhuǎn)換器中GaAs、SiC和超快硅二極管的性能進(jìn)行基準(zhǔn)測(cè)試，該轉(zhuǎn)換器也常用于高效電動(dòng)汽車(chē)充電
2023-02-21 16:27:41
金屬和半導(dǎo)體觸點(diǎn)形成肖特基勢(shì)壘以實(shí)現(xiàn)整流。與普通PN結(jié)二極管相比，它的反向恢復(fù)慣量非常低。因此，肖特基二極管適用于高頻整流或高速開(kāi)關(guān)。碳化硅（SiC）是一種高性能半導(dǎo)體材料，因此SiC肖特基二極管具有
2023-02-07 15:59:32
對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來(lái)比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
下一代電源半導(dǎo)體的方案陣容，包括針對(duì)汽車(chē)功能電子化的寬禁帶WBG（碳化硅SiC和氮化鎵GaN）、全系列電子保險(xiǎn)絲eFuse以減少線束、和免電池的智能無(wú)源傳感器以在汽車(chē)感測(cè)/車(chē)身應(yīng)用中增添功能。
2018-10-25 08:53:48
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
碳化硅 MOSFET 量身打造的解決方案，搭配基本半導(dǎo)體TO-247-3 封裝碳化硅 MOSFET。 2、通用型驅(qū)動(dòng)核 1CD0214T17-XXYY 是青銅劍科技自主研發(fā)的一系列針對(duì)于單管碳化硅
2023-02-27 16:03:36
之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導(dǎo)體供應(yīng)商，提供廣泛的高能效和高可靠性的系統(tǒng)方案，并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等進(jìn)行新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，用于汽車(chē)功能電子化和HEV/EV應(yīng)用。
2019-07-23 07:30:07
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員開(kāi)辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對(duì)其開(kāi)關(guān)特性的仔細(xì)分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
能夠提供硅和碳化硅的有用特性，本文探討了一項(xiàng)比較10kW、100kHz相移全橋（PSFB）性能的練習(xí)。在該應(yīng)用中對(duì)GaAs、SiC和超快硅二極管進(jìn)行基準(zhǔn)測(cè)試的結(jié)果表明，GaAs二極管能夠以顯著較低
2023-02-22 17:13:39
，大多數(shù)硅用于高達(dá)250V的電壓，而砷化鎵、碳化硅或硅鍺被用作阻斷200至1700V電壓的半導(dǎo)體材料。硅肖特基二極管具有大約0.4V的低閾值電壓，工作電流較低時(shí)甚至低于0.1V。這遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于電壓約為1V
2017-04-19 16:33:24
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
C3D06065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢(shì)肖特基勢(shì)壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:45:27
推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴(kuò)展了SiC二極管產(chǎn)品組合。
2018-03-01 13:14:178360 2018年6月5日 —推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，發(fā)布了碳化硅 (SiC) 肖特基二極管的擴(kuò)展系列，包括專(zhuān)門(mén)用于要求嚴(yán)苛的汽車(chē)應(yīng)用的器件。
2018-06-21 16:08:423772 的表現(xiàn)越來(lái)越捉襟見(jiàn)肘，表1列出了這些領(lǐng)域中當(dāng)前和未來(lái)對(duì)半導(dǎo)體器件工作溫度的要求。這些都促使人們將目光轉(zhuǎn)向了性能更佳的寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅(SIC)就是人們較為熟悉的一種第三代半導(dǎo)體材料，碳化硅是間接
2018-11-20 15:28:071412 在快充領(lǐng)域商用的大門(mén)。 圖1：SMBF封裝碳化硅肖特基二極管 針對(duì)PD快充“小輕薄”的特點(diǎn)，碳化硅功率器件領(lǐng)先企業(yè)基本半導(dǎo)體在國(guó)內(nèi)率先推出SMBF封裝碳化硅肖特基二極管，該產(chǎn)品具有體積小、正向?qū)▔旱秃涂估擞磕芰?qiáng)等特點(diǎn)，能很好地滿足PD快充對(duì)器件
2021-04-19 11:37:022632 
中，基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士發(fā)布了汽車(chē)級(jí)全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半導(dǎo)體產(chǎn)品布局進(jìn)一步完善，產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力再度提升，將助力國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步發(fā)展。基本半導(dǎo)體的碳化硅
2021-11-29 14:54:087839 
關(guān)鍵半導(dǎo)體領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出 650 V、10 A SiC 肖特基二極管，進(jìn)軍大功率碳化硅 （SiC） 二極管市場(chǎng)。這是 Nexperia 的一項(xiàng)戰(zhàn)略舉措，Nexperia 已經(jīng)是值得信賴(lài)的高效功率氮化鎵 （GaN） FET 供應(yīng)商，旨在擴(kuò)展其高壓寬帶隙半導(dǎo)體器件產(chǎn)品。
2022-03-28 14:30:092205 碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng)，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許
2022-12-30 13:57:49630 
碳化硅（SiC）是一種高性能的半導(dǎo)體材料，基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的首選器件。
2023-02-03 13:45:31321 碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管，號(hào)稱(chēng)反向恢復(fù)時(shí)間為零，是高效PFC boost電路的專(zhuān)用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表的第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展開(kāi)始受到重視，并在智能
2023-02-10 17:45:171730 碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件，它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。
2023-02-15 15:21:40629 晶圓（前端工藝）。碳化硅晶圓再經(jīng)過(guò)劃片封裝測(cè)試（后段工藝）就變成了我們現(xiàn)在使用的半導(dǎo)體-碳化硅二極管和碳化硅MOS。
2023-02-21 10:04:111693 
SiC碳化硅二極管起步電壓為650V，電流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動(dòng)工具、消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品、工控。碳化硅二極管料號(hào)為：KN3D06065F（650V碳化硅二極管，電流6A，貼片
2023-02-21 10:12:241680 
什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體，這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 我們拿慧制敏造碳化硅半導(dǎo)體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來(lái)我們來(lái)看一下碳化硅二極管的貼片封裝，常見(jiàn)的有有TO-263和TO-252封裝，隨著近些年電源對(duì)于功率密度要求不斷提高，碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出 650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用。10 A、650
2023-04-20 15:55:361319 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點(diǎn)，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域，如電源、變頻器、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車(chē)等。
2023-06-02 14:10:32747 碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應(yīng)，即在金屬與半導(dǎo)體接觸處形成一個(gè)肖特基勢(shì)壘，使得半導(dǎo)體中的載流子向金屬一側(cè)偏移，形成整流效應(yīng)。
2023-06-07 17:10:34801 碳化硅肖特基二極管是用碳化硅為原料的二極管。該材料是屬于第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，材料本身的性能就優(yōu)于硅材料。該類(lèi)二極管由于反向恢復(fù)時(shí)間短，可提高系統(tǒng)效率，因此市面上的應(yīng)用非常廣泛。本文重點(diǎn)提到
2022-08-16 10:14:23477 
和管理者。今年，Nexperia（安世半導(dǎo)體）的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產(chǎn)品現(xiàn)已雙雙入圍年度功率半導(dǎo)體！ 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專(zhuān)用MOSFET(ASFET) 同時(shí)
2023-08-28 15:45:311140 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出 650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用。10 A、650
2023-09-22 09:25:32260 2023年11月，日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。
2023-11-25 16:50:53451 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中，碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:29186
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