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電子發燒友網>電源/新能源>功率器件>東芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊,助力實現尺寸更小,效率更高的工業設備

東芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊,助力實現尺寸更小,效率更高的工業設備

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2018-11-03 11:02:414694

東芝推出新款1200V碳化硅MOSFET產品,主要面向工業應用

該功率MOSFET采用碳化硅(SiC)這種新材料,與常規的硅(Si)MOSFET、IGBT產品相比,具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性,有利于降低功耗,精簡系統。
2020-10-19 16:11:223530

英飛凌率先推出1200V碳化硅IPM的CoolSiC

英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出1200V碳化硅(SiC)集成功率模塊(IPM),并在今年大規模推出了SiC解決方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:513427

東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊,有助于提升工業設備效率和小型化

東芝面向工業應用推出一款集成最新開發的雙通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300V和800A特征)的模塊---“MG800FXF2YMS3”,該產品將于2021年5月投入量產。
2021-02-25 14:14:40951

東芝推出新款1200V碳化硅MOSFET——TW070J120B

)和氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料正憑借其優越的性能和巨大的市場潛力,成為全球半導體市場的焦點。借此契機,東芝推出了新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW070J120B”。 01特征屬性分析 TW070J120B采用第2代內置碳化硅SBD芯片設計,TO-3P(N)封裝,具有高
2021-06-04 18:21:233224

Microchip宣布擴大其碳化硅產品組合

Inc.(美國微芯科技公司)宣布擴大其碳化硅產品組合,推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。 Microchip的1700V碳化硅技術是硅IGBT的替代產品。由于硅IGBT的損耗問題限制了開關頻率,之前的技術要求設計人員在性能上做出妥協并使用
2021-08-12 11:14:191807

碳化硅MOSFET數字柵極驅動器現已量產

,Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布推出一款全新1200V可直接用于生產的數字柵極驅動器,為系統開發人員提供多層級的控制和保護,以實現安全、可靠的運行并滿足嚴格的運輸要求。 對于基于碳化硅的電源轉換設備的設計人 員
2021-10-09 16:17:461644

東芝推出1200V1700V碳化硅MOSFET模塊

?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET模塊:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”;額定電壓為1700V、額定
2022-02-01 20:22:024606

瑞能最新推出1700V SiC MOSFET提升效率和輸出功率的目的

相比于硅基高壓器件,碳化硅開關器件擁有更小的導通電阻和開關損耗。電力電子系統需要輔助電源部分用來驅動功率器件,為控制系統及散熱系統等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設計更簡單,成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:582310

碳化硅的下一波浪潮

功率半導體是實現節能世界的關鍵。碳化硅和氮化鎵等新技術可實現更高的功率效率更小的外形尺寸和更輕的重量。尤其是碳化硅是一種寬帶隙材料,能夠克服傳統硅基功率器件的限制。
2022-08-04 17:30:09414

基于碳化硅(SiC)的MOSFET實現更高效率水平

相比基于硅(Si)的MOSFET,基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實現更高效率水平,但有時難以輕易決定這項技術是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標準因素。
2022-12-01 10:23:191014

東芝推出第三代碳化硅MOSFET來提高工業設備效率

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)推出全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。這是其第三代碳化硅MOSFET[1][2],具 有低導通電阻和大幅降低的開關損耗。10種產品分別為
2023-02-20 15:46:150

碳化硅MOSFET有幾種電壓介紹

、900V、1200V1700V,當然還有超高壓3300V,目前正在研發中,主要應用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費類產品、工控,電源、工控、空調等、電動工具、儲能等。碳化硅 (SiC
2023-02-21 09:59:541184

碳化硅MOSFET什么意思

MOSFET相比傳統的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導通電阻、更高的開關頻率和更高的工作溫度等優點。因此,碳化硅MOSFET可以被廣泛應用于能源轉換、交流/直流電源轉換、汽車和航空航天等領域。
2023-06-02 15:33:151180

逆變器中600V-1200V碳化硅MOSFET預備起飛

逆變器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未來十年的復合年增長率為27%。
2023-07-17 11:33:24278

東芝開發出業界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊助力工業設備的高效率和小型化

點擊“東芝半導體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布, 推出業界首款 [1] 2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:07254

東芝推出用于工業設備的第3代碳化硅MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,該產品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工業設備應用。
2023-09-07 09:59:32734

東芝第3代碳化硅MOSFET為中高功率密度應用賦能

MOSFET也已經發展到了第3代,新推出的650V和1200V電壓產品現已量產。其柵極驅動電路設計簡單,可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優勢 相同功率等級的硅MOSFET相比,新一代碳化硅MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率,
2023-10-17 23:10:02269

瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源

11月27日,瞻芯電子開發的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω,
2023-11-30 09:39:18756

碳化硅的優勢和難處

 碳化硅(SiC)具有更低的阻抗和更寬的禁帶寬度,使其能夠承受更大的電流和電壓,同時實現更小尺寸的產品設計和更高效率
2023-12-11 11:48:24391

碳化硅MOSFET在高頻開關電路中的應用優勢

,從而具有較高的導電能力和熱導率。相比傳統的硅MOSFET,在高溫環境下,碳化硅MOSFET表現更加出色。這意味著碳化硅MOSFET能夠在高溫條件下提供更高的功率密度和更高效率。高溫特性使得碳化硅MOSFET成為高頻開關電路的理想選擇。 2. 快速開關速度: 碳化硅MOSFET具有極
2023-12-21 10:51:03357

Qorvo發布緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日發布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:35332

Qorvo發布1200V碳化硅模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。這一創新產品系列專為電動汽車充電站、儲能系統、工業電源和太陽能應用而設計。
2024-03-06 11:43:19282

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