國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發動機壓電噴射系統。
2012-08-15 11:25:08
1422 Vishay具有業內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日推出具有超低導通電阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業應用，包括電
2012-12-04 22:17:341235 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業應用提供基準導通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導通電阻，有助于提升系統效率，還可讓設計人員在多個MOSFET并聯使用時減少產品的組件數量。
2013-01-22 13:27:211206 ? 1、超級結構 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362774 
Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有1.5?低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲（SPST）CMOS模擬開關
2019-03-08 15:06:392213 “XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導通電阻。產品于今日開始出貨。 ? ? 近年來，隨著社會對電動汽車需求的增長，產業對能滿足車載設備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGL?封裝，支持大電流、低導通電阻和高散熱。上
2023-02-06 10:01:471034 
? —小型高邊和低邊開關（8通道）— ? 中國上海， 2023 年 2 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布推出兩款智能功率器件---“TPD2015FN
2023-02-07 14:56:11442 
[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業設備開關電源，涵蓋數據中心和通信基站等電源應用。該產品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH9R00CQ5具有行業領先的[2]9.0mΩ（最大值）的低漏源導通電阻，與東芝現有
2023-03-30 13:37:14609 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”，該器件可用于移動設備鋰離子（Li-ion）電池組中的電池保護電路。該產品于今日開始支持批量出貨。
2023-05-22 14:33:12512 
X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產品適用于數據中心和通信基站所用的工業設備電源線路上的開關電路和熱插拔電路[1]等應用。該產品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業界領先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻，比東芝目前100V產品“
2023-07-03 14:48:14477 
1.低導通電阻 卓越的溝槽工藝與封裝技術相結合實現了低的導通電阻。這有助于提升您應用中的產品性能。 2.小型封裝產品陣容3.封裝類型[tr=transparent]Toshiba Package
2018-05-15 22:37:38
中國上海，2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布推出一款用于空調和工業設備大型電源的功率因數校正（PFC）電路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
XC8102采用小型封裝USP-4 (1.2 x 1.6 x 0.6mm)，XC8102 系列是內置P 溝道MOS FET、帶保護電路的低導通電阻線路開關用電路，輸入電壓范圍1.2V～6.0V,當
2021-04-19 07:57:47
，正常加載持續老化48小時通過 - 控制器短路試驗：A，B，C三相各短路30次全通過 - 控制器堵轉試驗：100次通過 產品特征 - 低導通電阻，低柵極電荷 - 高散熱能力；高結溫下，大電流持續導通能力
2020-08-12 16:08:24
NCP45521的典型（熱插拔）電路是一種負載開關，可通過軟啟動為浪涌電流限制提供高效電源域切換的元件和面積減少解決方案。除了具有超低導通電阻的集成控制功能外，這些器件還通過故障保護和電源良好信號提供系統保護和監控
2020-04-17 10:09:17
高開關頻率,導通電阻小,損耗低等優點。而FS-IGBT則具有通態壓降低,無拖尾電流等優點,使得它們在性能上優于傳統的功率MOSFET與IGBT。【關鍵詞】：SJMOSFET;;FS-IGBT;;超結
2010-04-24 09:01:39
型區。在功率MOSFET的內部，由許多這樣的單元，也稱“晶胞”，并聯而成。硅片的面積越大，所能加工的單元越多，器件的導通電阻越小，能夠通過的電流就越大；同樣，在單位的面積的硅片上，能夠加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58:30
,with ESDFTH23N25R250230.120.14TO-3PSingle N-ch 器件廣泛應用于高效開關電源（SMPS）、低電源適配器/充電器、有源功率因數校正以及低功率鎮流器等領域。250V MOS管由于具有開關速度快、導通電阻低、短路
2011-04-15 11:51:00
管由于具有開關速度快、導通電阻低、短路特性良好以及可靠性高等特點，在直流無刷電機的驅動電路中，有著不可替代的作用，其電路應用原理如下圖所示： 250V N-P對管FTE03C25E是節能燈線路的理想
2011-04-19 15:01:29
第二代。非常有助于改善包括電源在內的PFC等各種功率轉換電路的效率。低噪聲 EN系列以往的超級結MOSFET具有導通電阻低、開關速度快的特點，但存在因其高速性而噪聲較大的課題。EN系列是結合了平面
2018-12-05 10:00:15
本帖最后由 luna 于 2011-3-3 15:02 編輯
高性能音頻和增強了的噪音抑制性能Fairchild二通道單刀雙擲,低導通電阻的音頻開關已經開發了通過減少音頻爆破音的可能性來加強語音體驗。它們包括了最近的特性,具體地說是擁有終端電阻,提供緩慢開啟時間和允許負電壓信號的能力。
2011-03-02 23:11:29
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電阻
2010-05-06 08:55:20
我在網上一些帖子上面看到，MOS管導通后如果工作在現行放大區的話就有可能燒壞管子，這是因為線性區的ID電流較大，同時RDS也較大，功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應用手冊，上面提到的導通后RDS都是mΩ級別的，這個也算是電阻大嘛？這不是與上面的介紹想矛盾嗎？另外，MOS的功耗究竟應該怎么計算呢？
2018-10-25 11:14:39
`Maxim推出具有寬輸入電壓范圍的H橋變壓器驅動器MAX13256，用于隔離電源設計。工程師可以利用該方案在短時間內輕松完成高效(高達90%)、隔離DC-DC轉換器的設計。MAX13256采用8V
2011-08-25 14:43:44
大，而MOSFET的導通電阻大，卻有著驅動電流小的優點。IGBT正是結合了這兩者的優點：不僅驅動電流小，導通電阻也很低。 具有四個交替層（P-N-P-N）的IGBT由不具有再生作用的金屬氧化物半導體
2020-07-07 08:40:25
的設計而言，它大幅降低了MOSFET導通電阻，并保持了出色的開關性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
忽略輸入開關的導通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠大于外部電阻Rext，輸入開關導通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計算？另外Vstep為什么這樣計算？
2018-08-06 07:49:37
，而且在高溫條件下的工作也表現良好，可以說是具有極大優勢的開關元件。這張圖是各晶體管標準化的導通電阻和耐壓圖表。從圖中可以看出，理論上SiC-DMOS的耐壓能力更高，可制作低導通電阻的晶體管。目前
2018-11-30 11:35:30
面積小（可實現小型封裝），而且體二極管的恢復損耗非常小。 主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。 2. 標準化導通電阻 SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
相比，能夠以具有更高的雜質濃度和更薄的厚度的漂移層作出600V～數千V的高耐壓功率器件。高耐壓功率器件的阻抗主要由該漂移層的阻抗組成，因此采用SiC可以得到單位面積導通電阻非常低的高耐壓器件。理論上
2019-07-23 04:20:21
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點
2018-11-29 14:35:23
，個人感覺很不錯。基本參數：4A/50V/32細分。封裝：HSSOP36，大功率封裝，改善了東芝之前QFN封裝產品焊接難的問題。散熱窗朝上，安裝散熱片非常方便導通電阻：0.49Ω。耗散功率相對于之前的產品
2016-10-25 10:13:51
汽車級電阻，節省電路板空間，工作電壓為450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，擴充其TNPV e3系列汽車級高壓薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
`一種簡便精確測量低阻器件的方法。通常情況下，一些器件的導通電阻非常小，比如低阻值的測電流電阻、導線電阻、開關電阻、保險絲、繼電器以及點火器等等。下面給出了一些這樣低阻值器件示例。通常使用的萬用表
2020-06-17 07:38:45
電氣技師和電子制造工程師用接地導通電阻測試儀驗證電器和消費產品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當地連接到了其機殼底座。當電器內部發生故障電流時，如果電器沒有適當地連接到已接地的機殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。這幾款單通道高側開關IC采用N溝道功率MOSFET，具備低導通電阻（典型值63m?，VIN=5V），輸入電壓范圍2.7V~5.5V，非常適用于通用串行總線（USB
2019-04-10 06:20:03
電源型產品，皆有提供。 BD9E100FJ-LB、BD9E101FJ-LB是ROHM推出的內置低導通電阻功率MOSFET的同步整流降壓型開關穩壓器，具有非常寬的輸入電壓范圍。采用電流控制模式，具有高速
2019-04-01 22:19:17
接地導通電阻測試儀及其他交直流低阻儀器，同時還是一臺很好的交直流電流表。參考標準：JJG 984-2004《 接地導通電阻測試儀檢定規程》、GB/T 28030-2011《 接地導通電阻測試儀》，可按
2018-07-06 09:35:16
上一篇和上上篇介紹了“升降壓轉換器的傳遞函數導出示例”的其1和其2。本文將探討“開關的導通電阻對傳遞函數的影響”。本次也采用同樣的方法展開探討。推導出的傳遞函數同樣為和，同樣按兩個步驟來推導。開關
2018-11-30 11:48:22
，正常加載持續老化48小時通過 - 控制器短路試驗：A，B，C三相各短路30次全通過 - 控制器堵轉試驗：100次通過 產品特征 - 低導通電阻，低柵極電荷 - 高散熱能力；高結溫下，大電流持續導通能力
2020-08-12 16:04:41
求推薦一款導通電阻毫歐級別的常閉型固態繼電器，或者其他的導通電阻很小的也行,不想用電磁繼電器，要求就是常態下是閉合，給電才導通
2021-01-09 09:50:06
如何將阻斷高電壓的低摻雜、高電阻率區域和導電通道的高摻雜、低電阻率分開解決。如除導通時低摻雜的高耐壓外延層對導通電阻只能起增大作用外并無其他用途。這樣，是否可以將導電通道以高摻雜較低電阻率實現，而在MOS
2018-11-01 15:01:12
測量MOS管的導通電阻除了在選定開關時有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
并提高可靠性。東芝實驗證實，與現有SiC MOSFET相比，這種設計結構在不影響可靠性的情況下[1]，可將導通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設備電能，降低功耗以及實現碳中和
2023-04-11 15:29:18
，重要的特性——低導通電阻、柵極電荷量與耐壓在本質上存在權衡取舍的關系。在功率元器件中有成為單元的晶體管，將多個單元晶體管并聯可獲得低導通電阻。但這種做法需要同時并聯寄生于晶體管的電容，導致柵極電荷量
2019-07-08 06:09:02
我有2個很快的問題。1。AMUX和AMUX定序器的導通電阻和電容是多少？2。SAR和Delta DigMA ADC的采樣電阻和電容是多少？
2019-09-10 15:18:05
請問有人知道MOS管作為開關如何仿真在開啟與中斷狀態下，不同頻率點的導通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態下MOS管的導通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結果查看ZM的實部，但是出來的結果如下所示：結果都很小并且打開和關斷阻抗大小是相反的，請問有人知道這個是出了什么問題嗎
2021-06-25 07:59:24
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時器件導通。電力 MOSFET的通態電阻具有正溫度系數，對器件并聯時的均流有利。 2、動態特性；其測試電路和開關過程波形如圖3所示。 開通
2023-02-27 11:52:38
PS22920YZPR，具有受控接通功能的超低導通電阻，4A 集成負載開關 特性 說明 ? 輸入電壓范圍：0.75V 至 3.6V TPS22920L 是一款小型
2023-02-08 23:30:53
VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美國IR 公司推出VDMOS 結構，將器件耐壓、導通電阻和電流處理能力提高到一個新水平。功率VDMOS 管是在外延片上制作的，由于一個管芯包括幾千個元胞
2009-12-21 10:52:24
40 Vishay推出具有最高32V電源電壓的新款IGBT和MOSFET驅動器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出兩款新型IGBT和MOSFET驅動器，豐富了其已
2009-07-01 09:30:55556 Vishay Siliconix推出業內最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 TI具有最低導通電阻的全面集成型負載開關
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標準導通電阻 (rON) 比同類競爭
2009-12-18 09:26:06681 TI 推出具備最低導通電阻的完全整合型負載開關
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:28846 ANADIGICS推出具有豐富功能的新型功率放大器
為應對全球不斷增長的移動WiMAX服務需求，ANADIGICS, Inc.今日推出具有豐富功能的新型功率放大器(PA)AWT6283R，專用于提升WiMAX
2010-02-06 10:53:33502 ANADIGICS推出具有豐富功能的新型功率放大器AWT6283R
ANADIGICS 推出具有豐富功能的新型功率放大器（PA）AWT6283R，專用于提升WiMAX收發器的性能和效率。AWT6283R 是業界首部可
2010-02-23 08:47:13746 Maxim推出具有2.3A GSM測試模式的Li+電池充電器
Maxim推出具有2.3A GSM測試模式的30V單輸入鋰離子(Li+)電池充電器MAX8922L。器件提供的GSM測試模式簡化了帶有Micro-USB連接器的
2010-03-12 10:20:28517 導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么?
傳統模擬開關的結構如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯構成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:474912 IR推出汽車專用MOSFET系列低導通電阻
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32746 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。該器件采用業界標準SOT-23封裝，具有超低導通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電
2010-07-22 09:29:411162 飛兆半導體推出了導通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391534 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
2011-01-26 09:04:081505 日前，Vishay 推出新的PHP系列精密高功率薄膜貼片電阻。這些器件具有低至±25ppm/℃的絕對TCR，低至±0.1%的容差
2011-02-14 09:12:021157 日前，Vishay 宣布，推出新款采用2512外形尺寸的表面貼裝Power Metal Strip?電阻--- WSLP2512，這種電阻具有高達3W的功率和0.0005Ω的極低阻值。
2012-02-07 11:43:061082 東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導通電阻功率MOSFET，該產品也成為其專為汽車應用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產品“TK80A04K3L”還實現了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產品不但非常適用于汽車應用，還適用于電機驅動器和開關穩壓器
2013-01-22 10:25:30963 瑞薩電子宣布推出新款低導通電阻MOSFET產品，包括經過最佳化的μPA2766T1A，做為網路伺服器與儲存系統之電源供應器內的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10938 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅動下具有業內最低的導通電阻，在便攜電子產品里能夠節省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:44885 東芝推出采用DIP4封裝的大電流光繼電器，具有低導通電阻和大額定導通電流，更易使用。
2018-09-29 15:35:354448 東芝的新一代DMOS工藝讓TC78H660FNG能夠在最大額定值為18V／2.0A［1］時實現低至0.48Ω的導通電阻，較東芝的現有產品發熱更低。
2020-10-22 14:36:221000 功率調節器等工業設備的開關電源。 產品線擴展了器件的封裝、漏源導通電阻和柵漏電荷。 與上一代DTMOSIV-H系列相比，新一代DTMOSVI系列“
2022-03-18 17:35:264581 全球被動元件領導廠商-國巨集團，推出新款薄膜車用晶片電阻-RP系列。 RP系列具備抗濕、抗硫、高精密度、高穩定性的特性，外殼尺寸從0402到1206，電阻范圍為10Ω-1.5MΩ，具有±0.1
2022-11-10 14:16:22328 )(統稱“東芝”)已經開發了一種碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。該晶體管將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成方格狀(方格狀嵌入式SBD)，以實現低導通電阻和高可靠性。東芝
2022-12-12 18:01:531070 ”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導通電阻。產品于今日開始出貨。 ? 近年來，隨著社會對電動汽車需求的增長，產業對能滿足車載設備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGLTM封裝，支持大電流、低導通電阻和高散熱。上述產品未采用內部接線柱[1]結構，
2023-02-04 18:31:452676 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（下稱“東芝”）宣布推出兩款智能功率器件——TPD2015FN高邊開關（8通道）和TPD2017FN低邊開關（8通道），用于控制電機、螺線管、燈具和工業設備可編程邏輯
2023-02-08 13:22:37268 中國上海，2023年2月7日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布推出兩款智能功率器件---“TPD2015FN”和“TPD2017FN”，用于可控制電機、螺線管、燈具和其他應用（如工業
2023-02-09 15:30:00156 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。這是其第三代碳化硅MOSFET[1][2]，具
有低導通電阻和大幅降低的開關損耗。10種產品分別為
2023-02-20 15:46:150 ROHM | 開發出具有業界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
保險電阻在正常情況下具有普通電阻的功能，一旦電路出現故障，超過其額定功率時，它會在規定時間內斷開電路，從而達到保護其它元器件的作用。保險電阻分為不可修復型和可修復型兩種。
2023-05-09 15:12:28405 新產品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現了僅2.1mΩ的業界超低導通電阻（Ron）*2，相比以往產品，導通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
列產品的參考資料，助力您快速了解產品各項信息。 點擊下載產品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:02471 
點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:01368 
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。
2023-08-03 14:34:59347 
有很多區別，本文將從電阻材料、工作頻段、電容和電感等幾個方面進行詳細的介紹。 1.材料 射頻電阻和普通電阻使用的材料不同。在射頻電路中，通常使用碳膜、金屬膜以及石墨等高純度材料來制造電阻，這些材料具有極佳的頻率特
2023-09-02 10:25:431207 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。
2023-09-27 10:08:55300 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調、空氣凈化器和泵等直流無刷電機驅動應用。
2023-10-27 11:05:54657 
精密電阻和普通電阻之間的區別，并探討普通電阻能否代替精密電阻。 一、精密電阻的定義 精密電阻是一種特殊的電阻元件，它具有更高的精度和穩定性，通常是0.1%或更高的精度。這些電阻通常由高質量的材料制成，例如金屬薄膜、
2023-10-29 11:21:55933 近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 和限制。它們通常具有較小的尺寸和較低的功率容量。低功率電阻器通常以小型電阻器的形式存在，如普通電阻器、電位器、燒線等。 低功率電阻器的主要特點如下： 1. 高精度：低功率電阻器通常具有高精度的阻值，能夠提供穩定的電阻
2024-02-19 09:25:13300 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結結構的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41977 
電子發燒友網站提供《具有1.8V邏輯器件的36V、低導通電阻、2:1 、4通道精密開關TMUX6234數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 13:53:000
電子發燒友App
工商網監
評論